「BTO」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A tire plant singly produces the ordered tire by a BTO production method.例文帳に追加

タイヤ工場は、ＢＴＯ生産方法により、受注したタイヤを一品生産する。 - 特許庁

Our build to order platforms and servers are developed on the power of Intel microprocessor technology and feature ... 例文帳に追加

当社のBTO(build to order)のプラットフォームとサーバーは,Intelのマイクロプロセッサ技術力を基盤として開発され,...を特色としています． - コンピューター用語辞典

When a customer visits a store, and performs concrete business negotiation, a store terminal 4 performs access to business negotiation support information for a store prepared by a BTO server 1, and the BTO server 1 transmits business negotiation support information to the store terminal 4 in a step S317.例文帳に追加

販売店に顧客が赴き、具体的な商談を行う際には、販売店端末４から、ＢＴＯサーバ１が用意している販売店用の商談支援情報にアクセスすると、ＢＴＯサーバ１は、ステップＳ３１７において、商談支援情報を販売店端末４に送信する。 - 特許庁

Especially, it is preferable that the crystals be of perovskite structure of ABO3 type, and BTO, PZT, PMN-PT, or PZN-PT is more preferable.例文帳に追加

特に、ＡＢＯ_３型のペロブスカイト結晶構造を有することが望ましく、とりわけ、ＢＴＯ、ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＴ、又はＰＺＮ−ＰＴが望ましい。 - 特許庁

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。 - 特許庁

The store terminal 4 receives the business negotiation support information from the BTO server 1 in a step S318, and effectively advances the business negotiation with the customer by using the information.例文帳に追加

販売店端末４では、ステップＳ３１８においてＢＴＯサーバ１から商談支援情報を受信し、その情報を用いて顧客との商談を効果的に進める。 - 特許庁

A nonvolatile ferroelectric capacitor is provided with a Bi4-xAxTi3O12 thin film obtained by replacing part of the bismuth, which is the volatile element of Bi4Ti3O12(BTO) with a nonvolatile element A, such as lanthanum(La), etc.例文帳に追加

本発明の非揮発性強誘電体キャパシタは、Ｂｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12（ＢＴＯ）の揮発性元素であるビスマスの一部を、ランタニウム（Ｌａ）等の非揮発性元素Ａに置換して得られたＢｉ_4-XＡ_XＴｉ_3Ｏ_12薄膜を備える。 - 特許庁

Simultaneously with the transmission of an estimated value to a build-to-order (BTO) server 1 from a selling company terminal 4 in a step S310, a screen for selecting the form of storing the estimated value in an estimated value database 802 is displayed on the selling company terminal 4.例文帳に追加

ステップＳ３１０で販社端末４がＢＴＯサーバ１に見積り価格を送信すると同時に、その見積り価格をどのような形で見積り価格データベース８０２に保存するかを選択する画面が、販社端末４に表示される。 - 特許庁

To provide electronic equipment and a component mounting method for the electronic equipment for easily providing a system meeting built-to- order(BTO) by easily replacing basis components such as a CPU and a cooling device, and easily performing works such as the maintenance and extension of the basic components.例文帳に追加

本発明は、ＣＰＵ、冷却装置等の基本部品を容易に交換可能にして、受注加工組立（ＢＴＯ）対応システムが容易に提供できるとともに、基本部品の保守、拡張等の作業を容易に行うことのできる電子機器および電子機器の部品実装方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a low pressure CVD device capable of suppressing total film thickness by properly specifying an end point of gas cleaning for removing a deposition film, even if an oxide film (BTO) of SiO_2 which is identical with quartz of a reactive tube is formed on the reactive tube as a precoat film for suppressing peeling of nitride film (BTN) of BTBAS (bis tertiary butylamino silane) base.例文帳に追加

ＢＴＢＡＳ（ビス３級ブチルアミノシラン）ベースの窒化膜（ＢＴＮ）の剥離を抑えるため、反応管の石英と同じＳｉＯ_2からなる酸化膜（ＢＴＯ）をプリコート膜として反応管上に形成していても、堆積膜を除去するためのガスクリーニングの終点を適当に定め、総膜厚を抑えることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

Order information including specification information concerned with components specified in the case of ordering a computer product by a client on the basis of a BTO (build to order) system is stored in a database in relation with serial numbers, and at the time of receiving an input of a serial number from the client, the specified information is retrieved and transmitted to the client's computer (S208, S210).例文帳に追加

クライアントがコンピュータ製品をＢＴＯ（Ｂｕｉｌｄ Ｔｏ Ｏｒｄｅｒ）の方式で注文する際に指定した部品に関する指定情報を含む注文情報をシリアル番号と関連付けてデータベース化し、クライアントからのシリアル番号の入力を受けたときに指定情報を検索してクライアントのコンピュータに送信する（Ｓ２０８，Ｓ２１０）。 - 特許庁

A BTO ferroelectric thin film 36 is grown epitaxially on an Si substrate 31 through the intermediary of a lower electrode, and an SRO upper electrode 37 is formed on the ferroelectric thin film 36 for the formation of a ferroelectric capacitor, where the lower electrode is formed of a three- layered epitaxial film composed of a (Ti, Al) N film layer 33, an Ir layer 38, and an SOR layer 365.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１上に下部電極を介してＢＴＯ強誘電体薄膜３６がエピタキシャル成長され、強誘電体薄膜３６上にＳＲＯ上部電極３７が形成された強誘電体キャパシタにおいて、下部電極を、Ｓｉ基板３１側から（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜層３３，Ｉｒ層３８，ＳＲＯ層３５の３層構造のエピタキシャル膜で形成した。 - 特許庁