| 例文 (12件) |
C/F ratioの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12件
Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加
さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO_2層２２を貫通する。 - 特許庁
The converted data M(C)×F of the manner of fluttering is a signal to specify the duty ratio in pulse waveform of the actuator drive voltage.例文帳に追加
変換された羽ばたき方のデータＭ（Ｃ）・Ｆは、アクチュエータ駆動電圧のパルス波形のデューティ比を特定する信号である。 - 特許庁
To improve the selectivity in dry etching using fluorocarbon gas of ≥0.5 in C/F ratio.例文帳に追加
Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスを用いてドライエッチングを行なう場合の選択性を向上させる。 - 特許庁
After the deposited film is removed once, the film 16 is etched with C2F6 with the low C/F ratio and O2.例文帳に追加
ここでいったんこの堆積物を除去した後、Ｃ／Ｆ比の低いＣ_2 Ｆ_6 ＋Ｏ_2 ガスで膜１６をエッチングする。 - 特許庁
A four-contact ratio C_f which is a ratio of surface pressure of smaller surface pressure to larger surface pressure with respect to respective maximum contact pressures P_1, P_2 of the respective two raceway surfaces and rolling elements of the inner ring, is employed as the contact state.例文帳に追加
この接触状態として、内輪の２つの軌道面と転動体とのそれぞれの最大接触圧力Ｐ_1，Ｐ_2についての、大きい方の面圧力に対する小さい方の面圧力の比である４点接触率Ｃ_fを用いる。 - 特許庁
In the methylated hesperidin mixed components, it is preferable that the C/F ratio of the total amount of the chalcone compound (C) to the total amount of the fravanone compound (F) on the basis of absorbance is 50/50 to 10/90.例文帳に追加
前記メチル化処理ヘスペリジン混合成分において、前記カルコン体（Ｃ）の総和と前記フラバノン体（Ｆ）の総和との吸光度に基づく比Ｃ／Ｆは、５０／５０〜１０／９０の範囲であることが好ましい。 - 特許庁
Further, for a given period of time from the start of etching, a CxFy gas having a lower C/F ratio or a lower CxFy gas flow rate than that in the main etching condition is used.例文帳に追加
さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。 - 特許庁
This high-toughness non-heat treated forged steel product contains C, Si, Mn, and V and has a Gf particle size number of No.11 or higher and a ferrite area ratio (f) satisfying inequality (1): {1-1.5[C]}(%)≤f例文帳に追加
Ｃ、Ｓｉ、ＭｎおよびＶを含有させ、かつＧｆ粒度番号がＮｏ．１１以上でフェライト面積率ｆが下記式（１）を満たすようにする。 - 特許庁
Under the control to the first display ratio state, the display performances are carried out by moving the figures variably displayed between the first variable display part and the second variable display part ((c), (f) and (i)).例文帳に追加
そして、第１表示比率状態に制御するときにおいて、第１変動表示部と第２変動表示部との間で、変動表示されていた図柄の移動表示演出を行なう（（ｃ），（ｆ），（ｉ））。 - 特許庁
After a semiconductor substrate where a silicon oxide film is formed and a resist film is formed on the silicon oxide film is installed in the reaction chamber of a plasma processor, the fluorocarbon gas of ≥0.5 in C/F ratio is introduced into the reaction chamber.例文帳に追加
プラズマ処理装置の反応室内に、シリコン酸化膜が形成されていると共に該シリコン酸化膜の上にレジスト膜が形成されている半導体基板を設置した後、反応室内に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する。 - 特許庁
This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加
パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁
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