「CL」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The photoresponsive copper ion adsorption material includes a copolymer prepared by copolymerizing a photoresponsive compound which reversibly exhibits transition of adsorption and desorption of a metal ion in a metallic ion solution according to the presence or absence of light irradiation and a monomer component containing a quaternary amine compound, wherein the copolymer selectively adsorbs Cu(II) ion in a dark place from the metallic ion solution including Cl ion, Na ion and Cu(II) ion.例文帳に追加

金属イオン溶液中で金属イオンの吸着及び脱離の転移を光照射の有無により可逆的に示す光応答性化合物と、四級化アミン化合物とを含む単量体成分を共重合させてなる共重合体を含む光応答性銅イオン吸着材料であり、前記共重合体は、塩素イオン、ナトリウムイオンおよび銅（II）イオンを含む金属イオン溶液から、暗所下で銅（II）イオンを選択的に吸着する。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

The electroconductive polymer has a structure of formula (1) (wherein R is an alkyl group having ≥4 carbon atoms which is bound to the β-carbon in a thiophene ring; X and X' are each independently an element chosen from the group consisting of H, Cl and Br; and n is the repeating number of thiophene rings).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４以下であり、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められるチオフェン環の平均繰り返し数（ｎ）が３０以上８６以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の９２％以上が立体規則性を示すようにする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the ammonium tungstate aqueous solution from the sodium tungstate aqueous solution is carried out by passing the sodium tungstate aqueous solution through the CL type strong basic anion exchange resin to form a tungstic acid type strong basic anion exchange resin on which tungstic ion is adsorbed and bringing an ammonium chloride and ammonia-containing aqueous solution into contact with the tungstic acid type strong basic anion exchange resin to elute the ammonium tungstate aqueous solution.例文帳に追加

タングステン酸ナトリウム水溶液からタングステン酸アンモニウム水溶液を製造する方法において、タングステン酸ナトリウム水溶液をＣＬ形強塩基性陰イオン交換樹脂に通液し、タングステン酸イオンを吸着したタングステン酸形強塩基性陰イオン交換樹脂となした後、溶離剤として、塩化アンモニウム及びアンモニア含有水溶液を該タングステン酸形強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させ、タングステン酸アンモニウム水溶液を溶離させることを特徴とするタングステン酸アンモニウム水溶液の製造方法。 - 特許庁