「Dbr」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the quantity of the current in one DBR region 101c is reduced and that in the other DBR region 101a is increased, the two reflectances are overlapped, and a DBR oscillation is obtained.例文帳に追加

一方のDBR領域101cの電流量を減少させ、他方のDBR領域101aの電流量を増加させたときに2つの反射率分布がオーバーラップし、DBR発振が得られる。 - 特許庁

HYBRID DBR LASER AND ITS ARRAY例文帳に追加

ハイブリッドＤＢＲレーザ及びそのアレイ - 特許庁

The optical wavelength conversion device includes a DBR laser 101, an optical wavelength conversion element 102, and a control means 103 to control a current injected into the DBR laser 101 according to a modulation signal per period to control its oscillation wavelength and optical output.例文帳に追加

光波長変換装置は、DBRレーザ101と、光波長変換素子102と、変調信号に応じてDBRレーザ101への注入電流を周期ごとに制御してその発振波長と光出力を制御する制御手段103を含む。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element comprises an upper DBR part 7, a lower DBR part 3, and an active layer 5 provided between the upper DBR part 7 and the lower DBR part 3.例文帳に追加

本発明の面発光半導体レーザ素子は、上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と、上部ＤＢＲ部７と下部ＤＢＲ部３との間に設けられた活性層５と、を備える。 - 特許庁

The polarization modulating laser device includes a resonator structure having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer 102 and a DBR layer 112 disposed opposite each other, and an active layer 103 disposed between the DBR layer 102 and DBR layer 112.例文帳に追加

本発明は、対向して配置されたＤＢＲ層１０２及びＤＢＲ層１１２と、ＤＢＲ層１０２とＤＢＲ層１１２との間に配置された活性層１０３とを有する共振器構造を備える。 - 特許庁

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR (DBR) SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＤＢＲ半導体レーザ及びその製造方法 - 特許庁

The surface light emitting semiconductor laser 100 includes a lower DBR portion 3 provided on an n-type GaAs substrate 1, an upper DBR portion 7 provided on the lower DBR portion 3, and an active layer 5 provided between the lower DBR portion 3 and upper DBR portion 7.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に設けられた下部ＤＢＲ部３と、下部ＤＢＲ部３上に設けられた上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と上部ＤＢＲ部７との間に設けられた活性層５とを備える。 - 特許庁

The optical wavelength conversion element 102, on which fundamental harmonic light emitted from the DBR laser 101 is made incident, outputs the second harmonic light.例文帳に追加

光波長変換素子102は、DBRレーザ101から発せられる基本波光を入射して、その第2高調波光を出力する。 - 特許庁

In the optical wavelength conversion device, two DBR regions 101a and 101c having different reflectances are arranged on both sides of an active region 101b.例文帳に追加

光波長変換装置は、活性領域101bの両側に、反射率分布の異なる2つのDBR領域101a、101cを配置している。 - 特許庁

In order to resolve the tradeoff, a semiconductor DBR mirror film for which the InP layer 102a and an InGaAlAs-MQW layer 102b are alternately laminated is applied.例文帳に追加

上記のトレードオフ解消のためにInP層102aとInGaAlAs-MQW層102bが交互に積層された半導体DBR反射鏡膜を適用する。 - 特許庁

A surface-emitting laser element comprises a substrate 101, a lower semiconductor DBR 103, a resonator structure, an upper semiconductor DBR 107, a contact layer 109, and so on.例文帳に追加

基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser 11 has an active layer 17 provided between a first DBR 13 and a second DBR 15.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１のＤＢＲ１３と第２のＤＢＲ１５との間に設けられる。 - 特許庁

A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁

The first DBR 13, the active layer 15, and the second DBR 17 are arranged in the predetermined axis Ax direction.例文帳に追加

第１のＤＢＲ１３、活性層１５および第２のＤＢＲ１７は、所定の軸Ａｘの方向に配置されている。 - 特許庁

A second DBR 15 has third and fourth DBR semiconductor layers 15a and 15b alternately arranged therein.例文帳に追加

第２のＤＢＲ部１５では、第３のＤＢＲ半導体層１５ａおよび第４のＤＢＲ半導体１５ｂが交互に配列されている。 - 特許庁

A VCSEL 10 comprises a substrate 12, an n-type lower DBR 14, an active region 16, and a p-type upper DBR 18.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２と、ｎ型の下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１８とを含む。 - 特許庁

A lower DBR layer 11, a cavity layer 12, and an upper DBR layer 13 are laminated on a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、キャビティ層１２および上部ＤＢＲ層１３をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

The first DBR 13, active layer 17, tunnel junction TJ, and second DBR 15 are arrayed along an axis Ax.例文帳に追加

第１のＤＢＲ１３、活性層１７、トンネル接合ＴＪおよび第２のＤＢＲ１５は、軸Ａｘに沿って配列される。 - 特許庁

In a vertical resonance type surface light emitting device 11, an active region 17 is provided between distributed bragg reflector (DBR) 13 and DBR 15.例文帳に追加

垂直共振型面発光素子１１では、活性領域１７は、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１３とＤＢＲ１５との間に設けられている。 - 特許庁

The surface emitting semiconductor laser includes a temperature compensation DBR layer 17 and a traverse-mode adjustment layer 22 on an upper DBR layer 16.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１６上に温度補償ＤＢＲ層１７および横モード調整層２２を備えている。 - 特許庁

The dielectric DBR 19 includes dielectric layers 19a and 19b.例文帳に追加

誘電体ＤＢＲ１９は誘電体層１９ａ、１９ｂを含む。 - 特許庁

The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2.例文帳に追加

変調光源1は、ＤＢＲ部5と位相部6と活性部7とを有するＤＢＲレーザー2と、ＤＢＲレーザー2から基本波を受けてＳＨＧ光を出す光波長変換素子3と、ＤＢＲレーザー2を制御する制御手段4とを有する。 - 特許庁

A second DBR 17 includes a first chunk 21 and a second chunk 23.例文帳に追加

第２のＤＢＲ１７は、第１の部分２１および第２の部分２３を含む。 - 特許庁

The thickness T of one film of the DBR 17 is 3 to 6 μm.例文帳に追加

ＤＢＲ１７の１つの厚みＴは３μｍ以上６μｍ以下である。 - 特許庁

The scanner has also a DBR control means for changing the wavelength of laser light in the DBR area in each scanning and the laser light of the wavelength changed by the DBR control means is deflected by the photonic crystal to execute main scanning.例文帳に追加

更に、ＤＢＲ領域における波長を一走査毎に可変するＤＢＲ制御手段を有し、このＤＢＲ制御手段によって可変された波長のレーザ光をフォトニック結晶により偏向して主走査する。 - 特許庁

In the upper DBR layer 13, a first upper DBR layer 19, an inclined layer 20 having an inclined surface 20A, a planarization layer 21, and a second upper DBR layer are laminated from the side of the cavity layer 12 in this order.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１３は、第１上部ＤＢＲ層１９、傾斜面２０Ａを有する傾斜層２０、平坦化層２１および第２上部ＤＢＲ層をキャビティ層１２側からこの順に積層されたものである。 - 特許庁

An inside first DBR film 3a, an outside first DBR film 13, a quantum well active layer 5, a second DBR film 7 and an SiO_2 film 10 are formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型のＧａＡｓ基板１上には、内側第１ＤＢＲ膜３ａ、外側第１ＤＢＲ膜１３、量子井戸活性層５、第２ＤＢＲ膜７及びＳｉＯ_2膜１０を形成している。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加

面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。 - 特許庁

The active layer 14 of the semiconductor laser has a DBR reflecting layer 15 on the emission-edge side, while a space for phase adjustment, where no DBR reflecting layer is formed, is provided between the emission edge 16 and the end of the emission-edge side of the DBR reflecting layer 15.例文帳に追加

活性層１４は出射側にＤＢＲ反射層１５を有し、出射端１６とＤＢＲ反射層１５の出射端側の端部との間にＤＢＲ反射層が形成されていない位相調整用の空間を設ける。 - 特許庁

A surface emitting laser 1 includes a DBR portion 5 in which a DBR semiconductor layer 5a and a DBR semiconductor layer 5b are alternately arranged; a DBR portion 9; a mesa portion 19 provided between the DBR portions 5 and 19, and including an active layer 13; and a group III-V compound semiconductor layer 17 provided on a side surface 9a of the mesa portion 9.例文帳に追加

面発光レーザ１は、ＤＢＲ半導体層５ａとＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列されたＤＢＲ部５と、ＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。 - 特許庁

A VCSEL 100 is obtained by sequentially laminating semiconductor layers on a substrate 102 including an n-type lower DBR 106, an active layer region 108, a p-type upper DBR 112 constituting a resonator together with the lower DBR, and a p-type GaAs contact layer 114.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１００は、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性層領域１０８、下部ＤＢＲとともに共振器を構成するｐ型の上部ＤＢＲ１１２、及びｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を順次積層する。 - 特許庁

The constituent element layer 6 includes an InGaAs layer 61A and a DBR film 62A.例文帳に追加

構成要素層６はＩｎＧａＡｓ層６１ＡおよびＤＢＲ膜６２Ａを含む。 - 特許庁

SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER HAVING DIELECTRIC DBR MIRROR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

誘電体ＤＢＲミラーを有する面発光半導体レーザおよびその製造方法 - 特許庁

A p-GaAs cap layer 19 and an upper DBR 18 are formed as a mesa post 20.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層１９及び上部ＤＢＲ１８は、メサポスト２０として形成される。 - 特許庁

Semiconductor layers 13a and 13b of a semiconductor DBR 13 are arrayed alternately.例文帳に追加

半導体ＤＢＲ１３の半導体層１３ａ、１３ｂは交互に配列される。 - 特許庁

A second DBR 23 is provided on the second semiconductor spacer layer 19.例文帳に追加

第２のＤＢＲ２３は、第２の半導体スペーサ層１９上に設けられる。 - 特許庁

One process evaluates the aging characteristics of a distribution Bragg reflector(DBR) laser.例文帳に追加

１つのプロセスが、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのエージング特性を評価する。 - 特許庁

The DBR portion 19 is provided on the group III-V compound semiconductor layer 17.例文帳に追加

ＤＢＲ部１９は、III−Ｖ族化合物半導体層１７上に設けられている。 - 特許庁

The inside first DBR film 3a which faces the SiO_2 film 10 does not contain Al_nO_m.例文帳に追加

また、ＳｉＯ_2膜１０に対向する内側第１ＤＢＲ膜３ａはＡｌ_nＯ_mを含まない。 - 特許庁

To provide a surface-emitting semiconductor laser of improved low heat radiation characteristics caused by dielectrics DBR.例文帳に追加

誘電体ＤＢＲに起因する低い放熱性を改善する面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser 11 has an active layer 15 provided on a first DBR 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１１では、活性層１５は、第１のＤＢＲ１３上に設けられる。 - 特許庁

The dielectric DBR 19 has refractive index variation provided periodically in a direction of an axis Ax.例文帳に追加

誘電体ＤＢＲ１９は軸Ａｘの方向に周期的に設けられた屈折率変化を有する。 - 特許庁

A semiconductor laser 30 has an active area 10 and a DBR area 8.例文帳に追加

半導体レーザ３０は、活性領域１０とＤＢＲ領域８とを有している。 - 特許庁

The reflectance peak wavelength of the n-type DBR layer 12 is 1.20 to 1.35 μm.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２の反射率ピーク波長は１．２０μｍ〜１．３５μｍである。 - 特許庁

A current narrowing layer 18 and a buffer layer 19 are formed in an upper DBR layer 15.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８およびバッファ層１９が設けられている。 - 特許庁