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「MEMORY OF」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > MEMORY OFに関連した英語例文

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MEMORY OFの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

MODELING METHOD FOR MEMORY OF COMPUTER例文帳に追加

計算機のメモリのモデル化方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの製造方法 - 特許庁

DATA MANAGEMENT DEVICE OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ管理装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

例文

OPTICAL TRANSMISSION OF SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリの光伝送 - 特許庁


例文

CONTROL OF INPUTS TO A MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリデバイスへの入力制御 - 特許庁

ADDRESS BUFFER OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのアドレスバッファ - 特許庁

CAM CELL OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のCAMセル - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING FLUSH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

例文

OPERATION METHOD OF PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

相変化メモリ素子の動作方法 - 特許庁

MEMORY CONTROL UNIT OF PRINTER例文帳に追加

印刷装置のメモリ制御ユニット - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリの製造方法 - 特許庁

ADDRESS SPECIFICATION OF MEMORY MATRIX例文帳に追加

メモリマトリックスのアドレス指定 - 特許庁

INFORMATION RECORDING METHOD OF MEMORY CARD例文帳に追加

メモリーカードの情報記録方法 - 特許庁

ELEMENT OF MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリの素子及びその製造方法 - 特許庁

STORAGE STRUCTURE OF MEMORY CARD例文帳に追加

メモリーカードの収納構造 - 特許庁

WORD DRIVER OF SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリのワードドライバ - 特許庁

INITIALIZATION METHOD OF MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気メモリの初期化方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の形成方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁性メモリ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

DISPLAY DEVICE FOR USE STATE OF MEMORY例文帳に追加

メモリの使用状況表示装置 - 特許庁

Some of the females carried USB memory sticks. 例文帳に追加

USBメモリを持ち歩く人も見られた。 - 経済産業省

Therefore there is no concept of virtual memory, and no concept of memory protection. 例文帳に追加

したがってここには仮想記憶の概念はなく、記憶保護の概念もない。 - コンピューター用語辞典

Set the size of the shared memory object. (A newly created shared memory object has a length of zero. 例文帳に追加

共有メモリオブジェクトの大きさを設定する。 - JM

CONTROL METHOD OF MEMORY CARD, AND CONTROL METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

メモリカードの制御方法および不揮発性半導体メモリの制御方法 - 特許庁

APPARATUS OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY例文帳に追加

相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NOR-TYPE MEMORY CELL OF NON- VOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

非揮発性メモリ素子のNOR型メモリセルの製造方法 - 特許庁

ANALYZING DEVICE FOR DEFECT OF MEMORY LSI, AND ANALYZING METHOD FOR DEFECT OF MEMORY LSI例文帳に追加

メモリLSI不良解析装置およびメモリLSI不良解析方法 - 特許庁

A memory card is inserted to one of a plurality of memory card slots.例文帳に追加

メモリカードは、複数のメモリカードスロットの一つに挿入される。 - 特許庁

To provide a memory module and a method of arranging a signal line of the memory module.例文帳に追加

メモリモジュール及びその信号ライン配置方法を提供する。 - 特許庁

To lower required capacity of memory while securing reliability of memory.例文帳に追加

メモリの信頼性を確保しながら、必要なメモリの容量を下げる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE AND INSPECTION METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気メモリ素子の製造方法、磁気メモリ素子の検査方法 - 特許庁

Each page in the memory may include a plurality of lines of memory.例文帳に追加

メモリの各ページは複数のメモリのラインを有することができる。 - 特許庁

INSPECTION METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY AND INSPECTION SYSTEM OF MEMORY DEVICE例文帳に追加

集積回路メモリの検査方法及びメモリデバイスの検査システム - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING EMBEDDED MEMORY例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリの製造方法及び混載メモリの製造方法 - 特許庁

In the semiconductor memory, each memory block has a plurality of memory cells and a plurality of word lines connected to each of the memory cells.例文帳に追加

各メモリブロックは、複数のメモリセルと、メモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線とを有している。 - 特許庁

To effectively utilize the memory space of a main memory in a data processing device provide with one main memory and a plurality of memory banks.例文帳に追加

一個のメインメモリと複数のメモリバンクを具備するデータ処理装置で、メインメモリのメモリ空間を有効に利用する。 - 特許庁

The leaf node 50B carries out memory mapping for mapping addresses of the remote memory 602C to a memory space of a main memory 501B.例文帳に追加

リーフノード50Bは、リモートメモリ602Cのアドレスについて、メインメモリ501Bのメモリ空間へマッピングするメモリマッピングを行う。 - 特許庁

MEMORY REWRITING CONTROL SYSTEM FOR FLASH MEMORY, MEMORY REWRITING CONTROL METHOD, AND PROGRAM ALLOWING EXECUTION OF EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法及びメモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラム - 特許庁

The memory unit includes a plurality of memory circuits and is formed as one memory space by coupling the plurality of memory circuits.例文帳に追加

また、メモリ部は、複数のメモリ回路を有し、複数のメモリ回路が連結されることで1つのメモリ空間として形成される。 - 特許庁

To provide an inspection method of an integrated circuit memory which selects a memory cell near the peripheral part of a memory array and a memory twist part.例文帳に追加

メモリアレイの周辺部及びメモリツイスト部に近接したメモリセルを選択する集積回路メモリの検査方法を提供すること。 - 特許庁

For this reason, the memory cell of the redundant information area operates quickly compared with the memory cells of the memory cell area and the redundant memory cell area.例文帳に追加

このため、冗長情報領域のメモリセルは、メモリセル領域、冗長メモリセル領域のメモリセルに比べ早く動作する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROL DEVICE, DATA WRITE-IN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND READ-OUT METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びメモリ制御装置、不揮発性メモリ装置のデータ書き込み方法及び不揮発性メモリ装置のデータ読み出し方法 - 特許庁

In the tag mode, the data memory of an SRAM 2 as a secondary cache memory is used as the tag memory of a DRAM 4 as large capacity memory.例文帳に追加

タグ・モードでは、二次キャッシュメモリとしてのSRAM2のデータメモリを大容量メモリであるDRAM4のタグメモリとして利用する。 - 特許庁

For instance, the memory cell of the general memory cell mat 10 is formed as a 6F^2 cell, whereas the memory cell of the end memory cell mat 20 is formed as an 8F^2 cell.例文帳に追加

例えば、通常メモリセルマット10のメモリセルを6F^2セルとする一方、端メモリセルマット20のメモリセルを8F^2セルとする。 - 特許庁

The memory system with clusters selects a cache memory device of the memory system nodes or uses the plurality of the cache memory devices based on the attributes.例文帳に追加

クラスタ構成記憶システムは属性に基づいて、記憶システムノードのキャッシュメモリを選択、あるいは複数のキャッシュメモリを使用する。 - 特許庁

A memory-cell array 21 of the nonvolatile memory 20 is divided into a plurality of banks and a control memory area is allocated inside the memory-cell array 21.例文帳に追加

不揮発性メモリ20のメモリセルアレイ21を複数のバンクに分割して、メモリセルアレイ21内に制御メモリ領域をアロケートする。 - 特許庁

例文

In a memory device, a memory array 10 having a plurality of memory cells 11 and a reading circuit 20 for determining the status of the memory cell 11 as a reading target.例文帳に追加

メモリセル11を複数備えたメモリアレイ10と、読み出し対象のメモリセル11の状態を判別する読み出し回路20を設ける。 - 特許庁

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