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MOSFET deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 526件
The semiconductor device 1 is a vertical-type power MOSFET.例文帳に追加
半導体装置1は、縦型のパワーMOSFETである。 - 特許庁
PROTECTION DEVICE OF MOSFET例文帳に追加
MOSFETの保護装置 - 特許庁
PROTECTIVE DEVICE OF MOSFET例文帳に追加
MOSFETの保護装置 - 特許庁
SOI-MOSFET DEVICE例文帳に追加
SOI−MOSFET装置 - 特許庁
MULTIFACETED GATE MOSFET DEVICE例文帳に追加
マルチファセット・ゲートMOSFETデバイス - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加
MOSFET素子の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MOSFET DEVICE例文帳に追加
MOSFETデバイスの製造方法 - 特許庁
CURRENT DETERMINATION DEVICE FOR MOSFET例文帳に追加
MOSFETの電流判定装置 - 特許庁
POWER MOSFET AND BATTERY MONITORING DEVICE例文帳に追加
パワーMOSFETと電池監視装置 - 特許庁
MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界効果トランジスタおよび半導体装置 - 特許庁
HIGH-OUTPUT MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高出力MOSFET半導体装置 - 特許庁
To provide a method of manufacturing high permittivity film for a device such as a MOSFET.例文帳に追加
MOSFET等のデバイスのための高誘電率膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
MOSFET DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
MOSFETデバイス及びその製造方法 - 特許庁
SIMULATION OF MOSFET AND DEVICE例文帳に追加
MOSFETのシミュレーション方法及び装置 - 特許庁
To manufacture a high-pressure MOSFET capable of restraining a short channel effect, without increasing process flows and the number of processes, in a semiconductor device including the high-pressure MOSFET.例文帳に追加
高耐圧MOSFETを含む半導体装置において、プロセスフロー及び工程数を増やさずに、短チャネル効果を抑制した高耐圧MOSFETを製造する。 - 特許庁
MOSFET DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF例文帳に追加
MOSFETデバイスおよびその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL MOSFET STRUCTURE例文帳に追加
縦型MOSFET構造の半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH LONGITUDINAL MOSFET例文帳に追加
縦型MOSFETを備えた半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL MOSFET例文帳に追加
縦型MOSFETを有する半導体装置 - 特許庁
The semiconductor device 1a is a MOSFET.例文帳に追加
半導体装置1aはMOSFETである。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THIN-LINE MOSFET例文帳に追加
細線状MOSFETを含む半導体装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
MOSFET型半導体装置の製造方法 - 特許庁
The output (120) of the first power supply (112) is connected to the input of a switching device (124) such as an MOSFET.例文帳に追加
第1の電源(112)の出力(120)は、MOSFETのようなスイッチング装置(124)の入力に接続される。 - 特許庁
MOSFET AND PROTECTIVE CIRCUIT DEVICE USING THAT例文帳に追加
MOSFETおよびそれを用いた保護回路装置 - 特許庁
MOSFET PROTECTIVE DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
MOSFETの保護装置およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING HYBRID MOSFET DEVICE AND HYBRID MOSFET OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加
ハイブリッドMOSFETデバイスの製造方法およびそれにより得られるハイブリッドMOSFET - 特許庁
MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
MOSFET型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
MOSFET DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM HAVING THE SAME例文帳に追加
MOSFETデバイス及び該デバイスを備える電子システム - 特許庁
MOSFET, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
MOSFET、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
The semiconductor device comprises a first MOSFET transistor.例文帳に追加
半導体デバイスは、第1MOSFETトランジスタを含む。 - 特許庁
The electrostatic protection device is provided with a MOSFET for a trigger and a MOSFET for high drive performance protection.例文帳に追加
静電保護装置はトリガー用MOSFETと駆動能力高い保護用MOSFETとを備える。 - 特許庁
In the embodiment, a power switch device (33) includes a first MOSFET device (41) and a second MOSFET device (42).例文帳に追加
本発明の一実施例において、パワー・スイッチング・デバイス(33)は、第1MOSFETデバイス(41)および第2MOSFETデバイス(42)を含む。 - 特許庁
FLIP-CLIP ATTACH AND COPPER CLIP ATTACH ON MOSFET DEVICE例文帳に追加
MOSFETデバイス上のフリップクリップアタッチおよび銅クリップアタッチ - 特許庁
OPTICAL MOSFET RELAY DRIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR TESTING DEVICE例文帳に追加
光MOSFETリレー駆動回路および半導体試験装置 - 特許庁
To obtain a semiconductor device of a lateral MOSFET structure which is capable of operating at a high speed as it is realizing a stable threshold.例文帳に追加
安定したしきい値を実現しながら、高速動作が可能な横型MOSFET構造の半導体装置を得る。 - 特許庁
To demonstrate the performance of a p-type MOSFET to the maximum extent while controlling the leakage current of an n-type MOSFET in a semiconductor device provided with the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加
N型MOSFETおよびP型MOSFETを備える半導体装置において、N型MOSFETのリーク電流を抑制しつつ、P型MOSFETの性能を最大限に発揮させる。 - 特許庁
LOW-CAPACITANCE MOSFET AND SEMICONDUCTOR RELAY DEVICE USING IT例文帳に追加
低容量MOSFETおよびこれを用いた半導体リレー装置 - 特許庁
DOUBLE DIFFUSION MOSFET AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING IT例文帳に追加
二重拡散型MOSFETおよびこれを用いた半導体装置 - 特許庁
PROTECTIVE CIRCUIT DEVICE USING MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
MOSFETを用いた保護回路装置およびその製造方法 - 特許庁
To achieve further on resistance reduction in the horizontal trench MOSFET that has achieved on resistance reduction, without extending a device area.例文帳に追加
素子面積を増大させずにオン抵抗の低減を実現した横型MOSFETにおいて、更にオン抵抗を低減させる。 - 特許庁
POWER MOSFET, SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF POWER MOSFET例文帳に追加
パワーMOSFET及び同パワーMOSFETを有する半導体装置及び同パワーMOSFETの製造方法 - 特許庁
The semiconductor device 1 for the power has a cell forming section 3 having a formed MOSFET cell, and a terminal 5 surrounding the cell forming section 3.例文帳に追加
電力用の半導体装置1は、MOSFETセルが形成されたセル形成部3と、これを囲む終端部5と、を備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a hybrid MOSFET device that includes a first MOSFET and a second MOSFET having a first channel material and a second channel material, respectively.例文帳に追加
第1および第2のチャネル材料をそれぞれ有する第1MOSFETと第2MOSFETを含むハイブリッドMOSFETデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
To lower the cost of a semiconductor device having a power MOSFET.例文帳に追加
パワーMOSFETを備える半導体装置のコストの低減を図る。 - 特許庁
SILICON MOSFET HIGH-FREQUENCY SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
シリコンMOSFET高周波半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
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