「MOSFET device」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the yield of manufacturing by suppressing variations in a threshold voltage of a P-channel MOSFET in a semiconductor device comprising an N-channel MOSFET and the P-channel MOSFET.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳＦＥＴとＰチャネルＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴの閾値電圧のばらつきを抑制し、製造歩留まりを上げる。 - 特許庁

To provide a small-sized power MOSFET with small internal resistance, a power MOSFET application device small in a packaging area, and a method for manufacturing a power MOSFET which is easy to be manufactured.例文帳に追加

小型で内部抵抗の小さいパワーＭＯＳＦＥＴと、また実装面積に小さなパワーＭＯＳＦＥＴ応用装置と、製造の容易なパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an MOSFET device where a self-alignment contact process is appropriately performed, while maintaining the thickness of a tungsten gate to be constant.例文帳に追加

自己整列コンタクト工程を適正に行え、タングステンゲートの均一厚さの維持が可能なMOSFET素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an LDMOSFET (lateral double-diffused MOSFET) 3a is formed on an SOI (silicon-on-insulator) substrate 2.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板２にＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral DoubleDiffused MOSFET：横型２重拡散ＭＯＳＦＥＴ）３ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high performance n-type MOSFET and a low threshold value voltage and a p-type MOSFET.例文帳に追加

高性能で且つしきい値電圧の低いｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a performance comparable to that of an MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。 - 特許庁

OPEN-DRAIN-ORIENTED MOSFET, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING SAME例文帳に追加

オープンドレイン用ＭＯＳＦＥＴ及びこれを用いた半導体集積回路装置 - 特許庁

The semiconductor device 1 is a power MOSFET having super junction structure.例文帳に追加

半導体装置１は、スーパージャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes a MOSFET wherein the source and drain regions and the gate are formed of semiconductors of opposite conductivity, and which allows an easy control over the difference in threshold voltage between the said MOSFET and an ordinary MOSFET which makes a pair with the MOSFET even if the semiconductor device is reduced in size.例文帳に追加

ソース，ドレイン領域とゲートが互いに逆導電型の半導体で構成されるＭＯＳＦＥＴを含み、微細化されても、それと対をなす通常のＭＯＳＦＥＴとのしきい値電圧の差が制御し易い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the threshold voltage stably and improve the MOSFET characteristics in a semiconductor device having an n-type MOSFET and a p-type MOSFET, each containing a high dielectric constant film.例文帳に追加

高誘電率膜を含むＮ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置において、閾値電圧を安定的に低下させるとともに、ＭＯＳＦＥＴ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a complementary semiconductor device reducing a threshold voltage of a p-channel MOSFET without impairing characteristics of an n-channel MOSFET.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴの特性を劣化させることなく、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を低減した相補型半導体装置する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises: a center region where a MOSFET is incorporated; and a terminal region formed around the center region.例文帳に追加

半導体装置１０は、MOSFETが作り込まれている中心領域と、その中心領域の周囲に設けられている終端領域を備えている。 - 特許庁

To provide a MOSFET device for realizing a high performance by decreasing deterioration in the driving force due to self heat generation of a channel part of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのチャネル部の自己発熱に起因する駆動力劣化の軽減を図り、ＭＯＳＦＥＴデバイスの高性能化を実現する。 - 特許庁

To efficiently obtain energy for driving a gate in a MOSFET switch device.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴスイッチ装置において、ゲート駆動用のエネルギを能率的に得ること。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR FULL-SILICIFIED GATE MOSFET AND DEVICE OBTAINED BY THE SAME METHOD例文帳に追加

フルシリサイド化ゲートＭＯＳＦＥＴの形成方法及び該方法により得られるデバイス - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING FLOATING BODY EFFECT IN MOSFET DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴデバイスにおける浮遊体効果を減少させる方法及び構造体 - 特許庁

A manufacturing method is for a semiconductor device comprising a MOSFET and an electronic element.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと電子素子とを有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To prevent thermal break of a semiconductor device, containing a MOSFET constituted in a high breakdown voltage structure.例文帳に追加

高耐圧構造のＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置が熱破壊する。 - 特許庁

The single switching cell is constituted as a back-to-back MOSFET switch device.例文帳に追加

単一のスイッチング・セルはバック・ツー・バックＭＯＳＦＥＴスイッチ装置として構成される。 - 特許庁

BACKSIDE LAYER PEELING OF MOSFET DEVICE FOR ELECTRIC AND PHYSICAL CHARACTERIZATION例文帳に追加

電気的および物理的特徴付けのためのＭＯＳＦＥＴデバイスの裏面層剥離 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes MOSFET structure of low channel resistance.例文帳に追加

チャネル抵抗の低いＭＯＳＦＥＴ構造を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE SUCH AS POWER MOSFET AND IGBT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴなどの縦型半導体装置とその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FULL-GERMANIUM SILICIDE-FORMED GATE MOSFET AND DEVICE OBTAINED THEREFROM例文帳に追加

フルゲルマニウムシリサイド化ゲートＭＯＳＦＥＴの形成方法、及びそれから得られるデバイス - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a MOSFET having a high current driving ability.例文帳に追加

電流駆動能力が高いＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reverse bias breakdown voltage characteristics of a MOSFET stabilize.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの逆バイアス耐圧特性が安定する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An N-channel MOSFET used for the switching device 7 and a source is grounded.例文帳に追加

スイッチング素子７にはＮチャネルのＭＯＳＦＥＴが使用され、ソースが接地されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOSFET device having a full-silicified (FUSI) gate.例文帳に追加

フルシリサイド（ＦＵＳＩ）ゲートを有するＭＯＳＦＥＴデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device technology to attain a high-speed MOSFET.例文帳に追加

高速度ＭＯＳＦＥＴを形成するための半導体デバイス技術が要請されている。 - 特許庁

To provide a process and a configuration related to a vertical MOSFET device and a capacitor.例文帳に追加

垂直ＭＯＳＦＥＴデバイス及び容量に関連したプロセス及び構成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the structure of a miniaturized reverse blocking MOSFET.例文帳に追加

縮小化された逆阻止ＭＯＳＦＥＴ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate a mounting process of a semiconductor device having a composite power MOSFET.例文帳に追加

複合パワーＭＯＳ・ＦＥＴを有する半導体装置の実装工程を容易にする。 - 特許庁

Relating to a silicon carbide trench MOSFET, a semiconductor device has both a region of low p-body width concentration and narrow width, and a region of high p-body concentration and wide width.例文帳に追加

炭化珪素トレンチMOSFETにおいて、pボディ幅濃度が低く幅が狭い領域とpボディ濃度が高く幅が広い領域を併せ持つ半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of obtaining intended threshold values different between a p-type MOSFET and an n-type MOSFET.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴとｎ型ＭＯＳＦＥＴとの間で異なる所望のしきい値を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve the gate insulation dielectric strength of a longitudinal MOSFET and enhance the operating speed of the longitudinal MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁耐圧を向上でき、さらに縦型ＭＯＳＦＥＴの動作速度を高めることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a metal oxide semiconductor field effect transistor MOSFET 10 of a first conductivity type and a MOSFET 20 of a second conductivity type.例文帳に追加

本発明の一実施形態における半導体装置１００は、第１導電型のＭＯＳＦＥＴ１０と、第２導電型のＭＯＳＦＥＴ２０を有する。 - 特許庁

To reduce the on-resistance of a semiconductor device, having a horizontal MOSFET with a trench gate, and to reduce the number of manufacturing processes in the semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲートを有する横型のＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置のオン抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a MOSFET array where a high voltage device and a low voltage device are formed on the same substrate.例文帳に追加

高電圧デバイスと低電圧デバイスが同一基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴアレイを提供する。 - 特許庁

POWER MOSFET, APPLICATION DEVICE THEREOF AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴとパワーＭＯＳＦＥＴ応用装置およびパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁

To provide an MOSFET semiconductor device in which the side- surface oxide film of a gate electrode is constant.例文帳に追加

ゲート電極の側面酸化膜が均一なＭＯＳＦＥＴ半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a first conductive type channel MOSFET in a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０に第１導電型チャネルＭＯＳＦＥＴを備える。 - 特許庁

A capacitor-less memory device is based upon a multi-gate MOSFET and requires a relatively low bias voltage.例文帳に追加

マルチゲートＭＯＳＦＥＴをベースとした、比較的低いバイアス電圧を要するキャパシタレスのメモリデバイス。 - 特許庁

To reduce on-resistance of a semiconductor device such as a trench lateral power MOSFET etc.例文帳に追加

トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置において、オン抵抗を低減すること。 - 特許庁

To speed up or down operation time when the semiconductor relay device of a MOSFET is on.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの半導体リレー装置において、オン時の動作時間を高速化、又は低速化する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a power MOSFET and a protection circuit formed on the same semiconductor substrate 1.例文帳に追加

同一の半導体基板１上に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴと保護回路を備える。 - 特許庁