Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24675件
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリおよび半導体記憶装置 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
SWITCH ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
強誘電体メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁
VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
電圧供給回路および半導体記憶装置 - 特許庁
MEMORY DEVICE HAVING SENSE AMPLIFIER OF OVER-DRIVE SYSTEM例文帳に追加
オーバードライブ方式のセンスアンプを有するメモリデバイス - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA-BUS CONTROL METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置及びデ—タバス制御方法 - 特許庁
DEFECT DETECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
不良検出回路および半導体記憶装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH PLURALITY OF SERIAL MEMORIES例文帳に追加
複数のシリアルメモリを有する半導体メモリ装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS DATA PROCESSING METHOD例文帳に追加
半導体メモリ装置及びそのデータ処理方法 - 特許庁
DOUBLE JUNCTION MAGNETIC MEMORY DEVICE AND READOUT METHOD例文帳に追加
二重接合磁気メモリデバイスおよび読出し方法 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT AND SYNCHRONIZATION-TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
集積回路及び同期型半導体メモリ装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, TEST SYSTEM AND TEST METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置、テストシステム及びテスト方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH CAPACITOR例文帳に追加
キャパシタを含む半導体メモリ素子製造方法 - 特許庁
TIMING REGULATION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
タイミング調整回路および半導体記憶装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
半導体メモリ装置及び半導体集積回路 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS READ ACCESS METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置及びそのリードアクセス方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS TIMING CONTROL METHOD例文帳に追加
半導体メモリ装置とそのタイミング制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS DATA MASKING METHOD例文帳に追加
半導体メモリ装置及びそのデータマスキング方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA BUS RESET METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置及びデータバスのリセット方法 - 特許庁
MEMORY MACRO CELL AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
メモリマクロセルおよびそれを用いた半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
PRODUCTION METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
INSPECTION DEVICE, INSPECTION METHOD, PROGRAM AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
検査装置、検査方法、プログラム及び記憶媒体 - 特許庁
CACHE MANAGEMENT DEVICE AND CACHE MEMORY MANAGEMENT METHOD例文帳に追加
キャッシュ管理装置およびキャッシュメモリ管理方法 - 特許庁
RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
可変抵抗メモリー素子及びその製造方法 - 特許庁
CIRCUIT FOR GENERATING INTERNAL ADDRESS IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ装置の内部アドレス発生回路 - 特許庁
MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA READ-OUT METHOD例文帳に追加
半導体記憶装置およびデータ読み出し方法 - 特許庁
ERASE CIRCUIT OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置の消去回路 - 特許庁
DEVICE FOR REDUCING MEMORY ACCESS INSTRUCTION AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加
メモリアクセス命令削減装置および記録媒体 - 特許庁
SYNCHRONOUS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MULTI-CHIP SYSTEM例文帳に追加
同期型半導体メモリ装置およびマルチチップシステム - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE STORING ROM DATA例文帳に追加
ROMデータを保持する強誘電体メモリ装置 - 特許庁
An information processing system includes a memory device (MEM0), a memory control device (SL0) which can control operation of the memory, and a plurality of bus masters (MS0-MS3) which can access the memory device through the memory control device, respectively.例文帳に追加
情報処理システムは、メモリ装置(MEM0)と、上記メモリの動作を制御可能なメモリ制御装置(SL0)と、それぞれ上記メモリ制御装置を介して上記メモリ装置へアクセス可能な複数のバスマスタ(MS0〜MS3)とを含む。 - 特許庁
To provide a memory device in which data stored in a memory cell array are compared with test data stored in the memory device or inverted data of the test data to detect defect of the memory device and to provide a parallel bit test method of the memory device.例文帳に追加
メモリセルアレイに貯蔵されたデータをメモリ装置の内部に貯蔵されたテストデータまたはテストデータの反転データと比較してメモリ装置の不良を検出するメモリ装置及びこの装置の並列ビットテスト方法を提供する。 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE PROVIDED WITH MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置 - 特許庁
CONNECTOR CONNECTING STRUCTURE, ATTACHING SIDE DEVICE, ATTACHED SIDE DEVICE, AND EXTERNAL MEMORY DEVICE例文帳に追加
コネクタ接続構造、装着側装置、被装着側装置および外部記憶装置 - 特許庁
The non volatile semiconductor memory device comprises a memory part MU; and a non memory part PU provided beside the memory part.例文帳に追加
実施形態によれば、メモリ部MUと、メモリ部に併設された非メモリ部PUと、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device which suppresses the number of laminated memory cells while increasing memory density, as compared with conventional memory devices.例文帳に追加
従来に比してメモリセルの積層数を抑えながら記憶密度を高めることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The memory system with clusters selects a cache memory device of the memory system nodes or uses the plurality of the cache memory devices based on the attributes.例文帳に追加
クラスタ構成記憶システムは属性に基づいて、記憶システムノードのキャッシュメモリを選択、あるいは複数のキャッシュメモリを使用する。 - 特許庁
The device is provided with a memory cell array 100, a redundant row memory cell array 101, a redundant column memory cell array 102 and a redundant column row memory cell array 103.例文帳に追加
メモリセルアレイ100、冗長ロウメモリセルアレイ101、冗長カラムメモリセルアレイ102、冗長カラムロウメモリセルアレイ103を設ける。 - 特許庁
To provide a memory device, a memory cell, a memory cell array and electronic equipment which have high reliability, by correctly controlling a resistance value of a memory layer.例文帳に追加
メモリ層の抵抗値を正確に制御することにより、信頼性の高いメモリ素子、メモリセル、メモリセルアレイ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁
Data from the high-speed Fourier transform part 22 is given to a memory device 26 to display the memory contents of the memory device 26 as a board diagram on a display device 24.例文帳に追加
高速フーリエ変換部22からのデータをメモリ装置26に与え、メモリ装置26のメモリ内容を表示装置24にボード線図として表示する。 - 特許庁
The stacked semiconductor memory device (100) includes memory device contacts (101) to externally connect the stacked semiconductor memory device to a printed circuit board.例文帳に追加
積層型半導体メモリ装置(100)は、積層型半導体メモリ装置を外部のプリント回路基板に接続するためのメモリ装置接点(101)を備えている。 - 特許庁
To provide a magnetic memory device having high cell selection accuracy and being capable of decreasing drive voltage, a magnetic memory device manufacturing method, and a magnetic memory device operation method.例文帳に追加
セルの選択精度が高く、駆動電圧を下げることが可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ素子の製造及び磁気メモリ素子の動作方法を提供する。 - 特許庁
MEMORY CIRCUIT CREATION METHOD AND DEVICE, MEMORY CIRCUIT, CIRCUIT MODEL VERIFICATION METHOD AND DEVICE, AND CIRCUIT MODEL CREATION METHOD AND DEVICE例文帳に追加
メモリ回路生成方法および装置、メモリ回路、回路モデル検証方法および装置、回路モデル生成方法および装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD FOR REGENERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR RESHIPPING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ装置の製造方法及び半導体メモリ装置の再生方法及び半導体メモリ装置の再出荷方法 - 特許庁
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