「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

MEMORY CONTROL SYSTEM AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

メモリ制御システム及び画像形成装置 - 特許庁

DRIVING DEVICE USING SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加

形状記憶合金を用いた駆動装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAM METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

A magnetic storage device is provided with a first memory section 51, and a second memory section 52 being adjacent to the first memory section 51 and sharing a first wiring 35 with the first memory section.例文帳に追加

磁気記憶装置は、第１のメモリ部５１と、第１のメモリ部５１と隣接し第１の配線３５を第１のメモリ部５１と共有する第２のメモリ部５２とを具備する。 - 特許庁

STATIC MEMORY CELL AND SRAM DEVICE例文帳に追加

スタティック型メモリセルおよびＳＲＡＭ装置 - 特許庁

To provide a cap for USB memory device, capable of ensuring the security of information stored in a memory element of a USB memory device even if the USB memory device is placed in a single state.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ装置が単体の状態で置かれていても、そのメモリ素子に記憶された情報のセキュリティを確保できるＵＳＢメモリ装置用キャップを提供する。 - 特許庁

MEMORY ACCESS CONTROLLER AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

メモリアクセス制御装置および記憶媒体 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY HAVING TEMPERATURE BUDGET SENSOR例文帳に追加

温度バジェットセンサを備えた相変化メモリ - 特許庁

DIELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

誘電体メモリおよびその製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ装置及び電子機器 - 特許庁

EARLY DETECTION OF DEGRADATION IN NOR FLASH MEMORY例文帳に追加

ＮＯＲフラッシュメモリの劣化早期検知 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気メモリ装置およびその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL WITH PLANE-LIKE ACCESS LINE例文帳に追加

平面状にアクセスラインを具備したメモリセル - 特許庁

The memory section 12 of a multilayered memory device is formed by laminating upon another a plurality of memory layers 12A-12B each of which is composed of a plurality of two-dimensionally arranged memory cells.例文帳に追加

２次元的に配列された複数のメモリセルから成るメモリ層１２Ａ〜１２Ｂを複数枚積層してメモリ部１２を形成した多層構造のメモリ装置である。 - 特許庁

METHOD OF ELECTRONICALLY TESTING MEMORY MODULES例文帳に追加

メモリモジュールを電子的に試験する方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリデバイスの製造方法 - 特許庁

HIGH SPEED MEMORY COPY METHOD AND COPY CIRCUIT例文帳に追加

高速メモリコピー方法およびコピー回路 - 特許庁

MEMORY CELL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

メモリ・セル構造およびその製造方法 - 特許庁

To provide a memory content display system and a memory content editing system which are excellent in the readability of memory contents and easily edit the memory contents.例文帳に追加

メモリ内容の解読性に優れ、かつメモリ内容を容易に編集可能なメモリ内容表示方式及びメモリ内容編集方式を提供することを課題とする。 - 特許庁

WORKING DEVICE AND MEMORY MEDIUM THEREFOR例文帳に追加

加工装置及びそのための記憶媒体 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリ制御装置及びその制御方法 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER AND CONTROLLING METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリ制御装置及びその制御方法 - 特許庁

A memory control part 24 controls the memory, so that memory access by the application part 21 received via a communication control part 23 is the access to a shared memory.例文帳に追加

そして、メモリ管理部２４は、通信制御部２３を介して受信したアプリケーション部２１によるメモリアクセスが、共有メモリへのアクセスとなるようにメモリを管理する。 - 特許庁

MULTI-INTERFACE MEMORY CARD AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

マルチインターフェースメモリカードとその動作方法 - 特許庁

IMAGE PROCESSING UNIT AND MEMORY ALLOCATION METHOD例文帳に追加

画像処理装置およびメモリ確保方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT USING THE SAME例文帳に追加

メモリデバイスとそれを使用する電子機器 - 特許庁

DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE AND METHOD例文帳に追加

ダイレクトメモリアクセス制御装置及び方法 - 特許庁

DIRECT MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE AND METHOD例文帳に追加

ダイレクトメモリアクセス制御装置および方法 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD THEREOF例文帳に追加

フラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁

MEMORY AND METHOD FOR STORING DATA STRUCTURE例文帳に追加

データ構造を記憶するメモリ及び方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY AND DATA ERASING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ及びデータ消去方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗メモリ及びその製造方法 - 特許庁

FACSIMILE MACHINE PROVIDED WITH MEMORY TRANSFER FUNCTION例文帳に追加

メモリ転送機能を備えたファクシミリ装置 - 特許庁

MEMORY DEVICE HAVING SHIELDED ACCESS LINE例文帳に追加

シールドされたアクセスラインを備えたメモリデバイス - 特許庁

METHOD OF FABRICATING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ・デバイスの作製方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性メモリおよびその駆動方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SHAPE-MEMORY ALLOY ELEMENT例文帳に追加

形状記憶合金素子の製造方法 - 特許庁

GAME MACHINE, PROGRAM, AND INFORMATION MEMORY MEDIUM例文帳に追加

遊技機、プログラム及び情報記憶媒体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

半導体メモリおよびその製造方法 - 特許庁

MEMORY CONTROL DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

メモリ制御装置及び画像表示装置 - 特許庁

When the MENSEL signal is at 'L' level, the memory 11 acts as a read only memory and the memory 12 acts as a write only memory and they are subjected to reverse operation to the case when the MENSEL signal is at 'H' level.例文帳に追加

ＭＥＮＳＥＬ信号が“Ｌ”レベルであればメモリ１１が読み出し専用，メモリ１２が書き込み専用となって“Ｈ”レベルの場合と逆の動作がなされる。 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁