Memoryを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
INFORMATION PROCESSOR AND MEMORY ACCESS METHOD例文帳に追加
情報処理装置およびメモリアクセス方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
半導体記憶装置とその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY AND TRANSISTOR例文帳に追加
トランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法 - 特許庁
MEMORY CARD AND RECORDED INFORMATION PROCESSOR例文帳に追加
メモリーカードおよび記録情報処理装置 - 特許庁
COMPUTER SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROL UNIT例文帳に追加
記憶制御装置を備えたコンピュータシステム - 特許庁
RESISTANCE CHANGE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
抵抗変化型メモリとその製造方法 - 特許庁
The three-dimensional cross-point type variable resistance memory array has a current detector 32, connected with a bit line to read memory bits of a memory cell 30 and is configured as a multi-layer memory array.例文帳に追加
3次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイは、メモリセル30の記憶ビットを読み出すビット線と接続する電流検知器32を備え、多層メモリアレイとして構成される。 - 特許庁
MANUFACTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強誘電体記憶素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELL ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気メモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁
To accurately change resistance of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルの抵抗変化を正確に行う。 - 特許庁
VOLTAGE GENERATOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ素子の電圧発生装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY ELEMENTS例文帳に追加
強誘電体メモリ素子の製造方法 - 特許庁
MEMORY DEVICE AND ITS DATA READ METHOD例文帳に追加
メモリ装置及びそのデータ読出し方法 - 特許庁
GAME MACHINE, PROGRAM AND INFORMATION MEMORY MEDIUM例文帳に追加
遊技機、プログラム及び情報記憶媒体 - 特許庁
On a system board provided with this memory module, a large number of bus lines are connected to the first memory module and the second memory module but the bus lines are connected to one pin of a memory controller.例文帳に追加
このメモリモジュールを含むシステムボードは多数のバスラインが第1メモリモジュールと第2メモリモジュールに連結されるが、バスラインはメモリコントローラの1つのピンに連結される。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体メモリ装置の製造方法 - 特許庁
RECOVERY SYSTEM FOR SYSTEM WITH VIRTUAL MEMORY例文帳に追加
仮想メモリによるシステムの復旧方式 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER AND INFORMATION PROCESSOR例文帳に追加
メモリ制御装置および情報処理装置 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER AND INFORMATION PROCESSOR例文帳に追加
メモリ制御装置及び情報処理装置 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
To provide a memory control technique capable of switching a memory control means automatically while holding contents of a memory in a system in which a plurality of memory control means exist.例文帳に追加
メモリ制御手段が複数存在するシステムにおいて、メモリの内容を保持したままメモリ制御手段を自動で切り換えることができるメモリ制御技術を提供する。 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY CONTROL METHOD AND UNIT例文帳に追加
不揮発性メモリ制御方法および装置 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体メモリの制御方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE DEVICE AND MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗素子及び磁気抵抗メモリ素子 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁
I will probably never forget that memory. 例文帳に追加
その思い出を決して忘れないだろう。 - Weblio Email例文集
suffering from a partial loss of memory 例文帳に追加
記憶の部分的な損失に苦しむさま - 日本語WordNet
VARIABLE IMPEDANCE CONTROL FOR MEMORY DEVICES例文帳に追加
メモリ装置のための可変インピーダンス制御 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND FLASH MEMORY例文帳に追加
半導体集積回路およびフラッシュメモリ - 特許庁
In the semiconductor device equipped with a ferroelectric memory, the ferroelectric memory comprises a first memory cell 22B and second memory cells 22A on the same chip.例文帳に追加
本発明は、強誘電体メモリを備える半導体装置であって、その強誘電体メモリは、同一チップ上に第1のメモリセル22Bと第2のメモリセル22Aとを有する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEFECT ANALYSIS DISPLAY SYSTEM例文帳に追加
半導体メモリ不良解析表示システム - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MEMORY TEST METHOD例文帳に追加
半導体装置及びそのメモリテスト方法 - 特許庁
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