1153万例文収録!

「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

Memoryを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

CORRECTION OF CONTROL DATA IN CACHE MEMORY例文帳に追加

キャッシュメモリの中の制御データの修正 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND INFORMATION EQUIPMENT例文帳に追加

半導体記憶装置および情報機器 - 特許庁

HOST APPARATUS FOR CONTROLLING MULTIPLE MEMORY CARDS例文帳に追加

複数のメモリカードを制御するホスト機器 - 特許庁

INDEX FOR VISUALLY SEARCHING MEMORY MODULE例文帳に追加

メモリ・モジュールを視覚的に捜し出す指標 - 特許庁

例文

PHASE-CHANGE MEMORY CELL HAVING HEAT INSULATION MECHANISM例文帳に追加

遮熱機構を有する相変化メモリセル - 特許庁


例文

This memory is configured with a memory controller, a signal central switch, a data bus electrically coupled to the memory controller and the central switch and plural N memory modules.例文帳に追加

本発明は、メモリコントローラ、単一の中央スイッチ、メモリコントローラと中央スイッチに電気的に結合されるデータバス、複数のN個のメモリモジュールからなるメモリ構成を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GATE ELECTRODE OF FLUSH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのゲート電極製造方法 - 特許庁

INFORMATION RECORDING METHOD OF HOLOGRAM MEMORY MEDIUM例文帳に追加

ホログラムメモリ媒体の情報記録方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY AND ITS TEST METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリ及びそのテスト方法 - 特許庁

例文

A write-read control unit 53 controls a switching operation between a readable line memory and a writable lime memory alternately within a first line memory and a second line memory 51a and 51b.例文帳に追加

書込読出制御部53は第1及び第2のラインメモリ51a,51bの中から読み出し可能なラインメモリと書き込み可能なラインメモリとを交互に切り換える制御する。 - 特許庁

例文

ACCESS RIGHT ARBITRATION SYSTEM FOR DUAL PORT MEMORY例文帳に追加

デュアルポートメモリのアクセス権調停方式 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY CARD, AND STORAGE例文帳に追加

半導体装置、メモリカード及び記憶装置 - 特許庁

SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND ACCESS METHOD TO SRAM例文帳に追加

SRAM(StaticRandomAccessMemory)、及びSRAMへのアクセス方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRIC FUSE MEMORY例文帳に追加

電気フューズメモリを有する半導体デバイス - 特許庁

To provide a memory controller for extending the retention period of the data of a flash memory, and for reducing the erasure frequency of the block of a flash memory, and for extending the lifetime of the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータの保持期間を延ばし、また、フラッシュメモリのブロックの消去回数を減らして、フラッシュメモリの寿命を延ばす事のできるメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

The buffer memory 13 records the image data.例文帳に追加

バッファメモリ13は、画像データを記録する。 - 特許庁

To increase data storage density of a memory device.例文帳に追加

メモリ・デバイスのデータ記憶密度を高める。 - 特許庁

When the similar job memory is registered in the storing part 52, a registration control part 53 creates a combination job memory obtained by combining the new job memory with the similar job memory.例文帳に追加

記憶部52に類似のジョブメモリが登録されている場合は、登録制御部53が新規のジョブメモリと類似のジョブメモリとを組み合わせた組合せのジョブメモリを作成する。 - 特許庁

The controller chip 12 is provided in a memory area MA including the memory chip 11 for a direction toward the base board 1 from the memory chip 11 in order to control operations of the memory chip 11.例文帳に追加

コントローラチップ12は、メモリチップ11から基台1に向かう方向についてメモリチップ11を含むメモリ領域MAに設けられ、メモリチップ11の動作を制御する。 - 特許庁

To reduce access frequency to an external memory.例文帳に追加

外部メモリへのアクセス頻度を低減する。 - 特許庁

To reduce a memory system circuit area.例文帳に追加

メモリシステムの回路面積を縮小する。 - 特許庁

The memory system adjusts issue timing to the divided memory access request in a plurality of memory command issuing parts 109, and issues memory commands in ascending order of logical address.例文帳に追加

複数のメモリコマンド発行部にて、分割されたメモリアクセス要求に対する発行タイミングの調整を行い、論理アドレスの小さい順にメモリコマンドを発行する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array including memory cells MC; and a control unit 20 to control a signal applied to the memory cells.例文帳に追加

複数のメモリセルMCを有するメモリセルアレイと、複数のメモリセルに印加される信号を制御する制御部20と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

The mat selector circuit 51a activates one or more memory mats included in the memory mat group, and inactivates the residual memory mats included in the memory mat group.例文帳に追加

マット選択回路51aは、各メモリマットグループに含まれる1又は2以上のメモリマットを活性化させ、各メモリマットグループに含まれる残りのメモリマットを非活性化させる。 - 特許庁

DATA INPUT DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ素子のデータ入力装置 - 特許庁

The image data in the FIFO memory 61 and the image data in the image memory 57 are compared in a pixel unit depending on an inspection program loaded in main memory 54 from a memory card 10.例文帳に追加

メモリカード10からメインメモリ54にロードされた検査プログラムにしたがって、FIFOメモリ61の画像データと、画像メモリ57の画像データとを1画素単位で比較する。 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER WITH GRAPHIC PROCESSING FUNCTION例文帳に追加

グラフィック処理機能を有するメモリコントローラ - 特許庁

IMAGE READING DEVICE AND MEMORY CHECK METHOD例文帳に追加

画像読取装置およびメモリーチェック方法 - 特許庁

The memory part 4 is provided with a memory quantity detecting part 5, and when the image information stored in the memory part 4 reaches a prescribed memory quantity, the recording part 9 is driven to record and output the image information.例文帳に追加

メモリ部4には、メモリ量検出部5を備え、メモリ部4に記憶された画像情報が所定メモリ量に達すると、記録部9を駆動して記録出力する。 - 特許庁

PROCESSOR SYSTEM USING SYNCHRONOUS DYNAMIC MEMORY例文帳に追加

同期型ダイナミックメモリを用いたプロセッサシステム - 特許庁

MONO GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノゲートメモリデバイス及びその製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

強誘電体メモリ装置及び電子機器 - 特許庁

The volatile memory preserves a data signal.例文帳に追加

該揮発性メモリは、データ信号を保存する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

半導体不揮発性メモリの製造方法 - 特許庁

To provide a high integration memory cell which has a function of reversing spin-torque magnetization and has super-low power consumption in a nonvolatile magnetic memory, and also to provide a random access memory using the memory cell.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリにおいて、スピントルク磁化反転機能を持つ超低消費電力な高集積メモリセルおよびそれを用いたランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体メモリとその製造方法 - 特許庁

Video frames are buffered in a memory buffer.例文帳に追加

ビデオのフレームを、メモリバッファにバッファリングする。 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER ADDRESS AND DATA PIN MULTIPLEXING例文帳に追加

メモリコントローラアドレスおよびデータピンの多重化 - 特許庁

INTEGRATED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

集積半導体不揮発性記憶装置 - 特許庁

STORAGE DEVICE, MEMORY MANAGEMENT METHOD AND PROGRAM例文帳に追加

記憶装置、メモリ管理方法及びプログラム - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリの製造方法 - 特許庁

ORGANIC MOLECULAR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

有機分子メモリおよびその製造方法 - 特許庁

CONTROL SYSTEM FOR NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの制御システム - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁

MEMORY MANAGEMENT FOR PORTABLE DATA STORAGE MEDIUM例文帳に追加

携帯型データ記憶媒体のメモリ管理 - 特許庁

The memory access request of a memory access means 4 is divided by an access dividing means 7, and the divided memory access instructions is interrupted by a memory access request from a CPU 3.例文帳に追加

メモリアクセス手段4のメモリアクセス要求をアクセス分割手段7で分割し、分割したメモリアクセス命令の間にCPU3からのメモリアクセス要求を割り込ませる。 - 特許庁

FILE DEVICE AND ITS MEMORY ALTERNATING METHOD例文帳に追加

ファイル装置およびそのメモリ交替方法 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND COUPLING NOISE ELIMINATING DEVICE例文帳に追加

メモリ装置及びカップリングノイズ除去装置 - 特許庁

例文

PROBE MEMORY DEVICE AND ITS POSITIONING METHOD例文帳に追加

プローブメモリ装置及びその位置決め方法 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS