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「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索


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Memoryを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

SHARED MEMORY TRANSFER CONTROLLER, IMAGE FORMING DEVICE, SHARED MEMORY TRANSFER CONTROL METHOD AND SHARED MEMORY TRANSFER CONTROL PROGRAM例文帳に追加

共有メモリ転送制御装置、画像形成装置、共有メモリ転送制御方法及び共有メモリ転送制御プログラム - 特許庁

To stabilize operation of a PMC memory cell using a CBRAM memory array.例文帳に追加

CBRAMメモリアレイを使用したPMCメモリセルの動作の安定化を図る。 - 特許庁

A user stores music data downloaded in a memory card 11 and the memory card 11 is stored in a memory case 15 for management.例文帳に追加

ユーザは、ダウンロードした音楽データをメモリカード11に格納し、メモリカード11をメモリケース15に収納して管理している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a multi-valued memory having a small memory array area.例文帳に追加

メモリアレイ面積の小さい多値メモリを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

An electronic device includes a memory, a processor coupled to the memory, and one or more policies stored in the memory.例文帳に追加

本発明に係る電子装置は、メモリと、メモリに結合されたプロセッサと、メモリに記憶される1以上のポリシーとを備える。 - 特許庁


例文

Virtual memory maps 14, 16 correlate a flash memory physical location address in order to trace the location of the data in the memory.例文帳に追加

仮想メモリマップ(14、16)はメモリ内のデータの場所を追跡するためにフラッシュメモリ物理場所アドレスを関連づける。 - 特許庁

To prevent mismatching between an application program and a memory with respect to assignment of memory areas by a memory management program.例文帳に追加

メモリ管理プログラムによるメモリ領域の割り当てに関して、アプリケーションプログラムとメモリとのミスマッチを防止できるようにする。 - 特許庁

To inhibit the lowering of the coupling ratio of a memory cell, and to improve the characteristics of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルのカップリング比の低下を抑制し、メモリセルの特性を向上する。 - 特許庁

INSPECTION METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MICROCOMPUTER, AND INSPECTION PROGRAM FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の検査方法,不揮発性メモリ装置,マイクロコンピュータおよび不揮発性メモリ装置の検査用プログラム - 特許庁

例文

The control section can control interleave operation in which memory operation is started responding to operation instruction specifying the other memory bank even in memory operation responding to operation instruction specifying one memory bank, and parallel operation in which when memory operation specifying successively the other memory bank is instructed before memory operation responding to operation instruction specifying one memory bank is started, memory operation of both memory banks are started in parallel.例文帳に追加

制御部は、一のメモリバンクを指定した動作指示に応答するメモリ動作中でも他のメモリバンクを指定した動作指示に応答してメモリ動作を開始させるインタリーブ動作と、一のメモリバンクを指定した動作指示に応答するメモリ動作の開始前に続けて他のメモリバンクを指定したメモリ動作の指示があるとき双方のメモリバンクのメモリ動作を並列に開始させる並列動作とを制御可能である。 - 特許庁

例文

A printer controller manages a position (an input pointer) from which the image data are written into each memory and a position (an output pointer) from which the image data is read from each memory, on a virtual memory having the same memory space as a memory space of each memory.例文帳に追加

プリンタコントローラは、各メモリそれぞれのメモリ空間と同一のメモリ空間を持つ仮想メモリ上で、画像データを各メモリに対して書き込む先頭位置(入力ポインタ)と、メモリから画像データを読み出す際の先頭位置(出力ポインタ)とを管理する。 - 特許庁

To provide a memory access processing device for mediating a command request at each port between a cash device of each port of a memory access device and a memory, the memory access processing device having improved memory access efficiency by optimizing memory accesses when the mediation is congested.例文帳に追加

メモリアクセス装置の各ポートのキャッシュ装置とメモリとの間で、各ポートの命令のリクエストの調停を行うメモリアクセス処理装置で、調停が混雑している場合に、メモリアクセスを最適化して、メモリアクセス効率を向上できるようにする。 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is smaller than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the second reference memory element (step S2), and the selected memory element is in a state 1 or 2.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第1基準メモリ素子のそれより小さいとき、検出されたメモリ電荷レベルが第2基準メモリ素子と比較され(ステップS2)、選択されたメモリ素子は、状態1又は2のいずれかである。 - 特許庁

The memory card includes a control unit, a nonvolatile memory, and a program memory, wherein the program memory stores control programs for a plurality of standards, the control programs controlling data access between the nonvolatile memory and an external device as a memory card.例文帳に追加

制御装置と、不揮発性メモリと、プログラム用メモリを有し、上記プログラム用メモリは、メモリカードとして上記不揮発性メモリと外部装置とのデータアクセスを制御する制御プログラムを複数の規格の分搭載することを特徴とするメモリカードを開発する。 - 特許庁

A learning reservation processing part 7 monitors the memory area secured in the first memory part 1 from the memory allocation processing part 5, and prepares reservation securing information as to a specified memory area for fragmentizing the first memory part 1 to be stored in the second memory part 9.例文帳に追加

学習予約処理部7はメモリアロケーション処理部5から第1のメモリ部1に確保したメモリ領域を監視し、第1のメモリ部1を断片化する特定メモリ領域に関する予約確保情報を作成して第2のメモリ部9に格納する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory that reduces a control memory in a memory controller; a memory controller for controlling reads and writes to the nonvolatile memory; a nonvolatile storage device having the nonvolatile memory; and a nonvolatile storage system.例文帳に追加

メモリコントローラ内の制御メモリを削減する不揮発性メモリを提供すると共に、該不揮発性メモリへの読み書き制御を行うメモリコントローラと、該不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システムを提供すること。 - 特許庁

This memory control method includes a step of starting a duplication function in a processor 125, a step of transmitting vacant data instructions from a new memory(memory B) to a processor 125 and a step of duplicating the application data from a first old memory(memory A) to the new memory.例文帳に追加

本方法はプロセッサ125におけるデュプリケーション機能を起動するステップと、新メモリ(メモリB)からプロセッサ125へ空きデータ指示を送信するステップと、第1の旧メモリ(メモリA)から新メモリへ、アプリケーション・データを複製するステップと、を含む。 - 特許庁

The semiconductor storage device 10 comprises a memory section 1 having a plurality of memory cell groups C00 to Cnm, a redundant memory section 2 having a plurality of redundant memory cell groups, and a redundant circuit section 13 for activating the redundant memory cell groups in the redundant memory section 2 based on an address signal 101 for inhibiting access to the memory section 1 and accessing the memory cell group in the memory section 1.例文帳に追加

本発明による半導体記憶装置10は、複数のメモリセル群C00〜Cnmを有するメモリ部1と、複数の冗長メモリセル群を有する冗長メモリ部2と、メモリ部1へのアクセスを禁止し、メモリ部1内のメモリセル群にアクセスするためのアドレス信号101に応じて、冗長メモリ部2内の冗長メモリセル群を活性化する冗長回路部13とを具備する。 - 特許庁

A print controller employing a memory module of SDRAM in the main memory and having a plurality of memory slots capable of mounting a plurality of memory modules is provided with a function for detecting a memory slot mounting no memory module when the number of sheets of mounting memory modules is less than the number of memory slots and interrupting clock signal supply to that memory slot.例文帳に追加

メインメモリにSDRAMのメモリモジュールを用い、かつメモリモジュールを複数枚搭載可能な複数個のメモリスロットを備えている印刷制御装置において、搭載するメモリモジュール枚数が全てのメモリスロットに満たない場合に、メモリモジュールが搭載されていないメモリスロットを検出した上で、当該メモリスロットに供給されているクロック信号を停止する機能を備えた。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first memory circuit including a memory cell and a redundant memory cell, a second memory circuit for storing the address of a defective memory cell included in the first memory circuit, a holding circuit including a latch circuit, a replacement circuit for replacing the defective memory cell by a redundant memory cell, and an inspection circuit for writing the information of the second memory circuit in the holding circuit.例文帳に追加

本発明は、メモリセルと冗長メモリセルを含む第1の記憶回路と、第1の記憶回路が含む不良メモリセルのアドレスを記憶する第2の記憶回路と、ラッチ回路を含む保持回路と、不良メモリセルを冗長メモリセルに置き換える置き換え回路と、第2の記憶回路の情報を保持回路に書き込む検査回路とを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of embodiments provides the memory system operated to detect an error at a memory cell of the memory and to replace the failed memory cell.例文帳に追加

本発明の複数の実施形態は、メモリのメモリ・セルでのエラーを検出するように動作し、そして不良メモリ・セルを置き換えるように動作するメモリ・システムを提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD FOR BIT LINE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のビットライン形成方法 - 特許庁

A memory runner 7 is retained at a same position when a memory lock 9 is engaged with a hole 8 of a memory rail 3 even if a first spring separates from the memory runner 7.例文帳に追加

第1スプリング(33)がメモリーランナー(7)と離反してもメモリーロック(9)がメモリーレール(3)の孔(8)に係合しているときは、同位置にメモリーランナー(7)は保持される。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR BUFFER MEMORY CONTROL例文帳に追加

バッファメモリ制御方法及び制御装置 - 特許庁

INFORMATION PROCESSOR AND MEMORY DUMPING METHOD例文帳に追加

情報処理装置およびメモリダンプ方法 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER AND IMAGE FORMING SYSTEM例文帳に追加

メモリ制御装置および画像形成システム - 特許庁

COLUMN DECODER CIRCUIT OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の行デコーダ回路 - 特許庁

PRODUCTION PROCESS OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリの製造方法 - 特許庁

DELAY-FIXED LOOP DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリ用遅延固定ループ装置 - 特許庁

RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ランダムアクセスメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

SHAPE MEMORY HORIZONTALLY FLEXING ENDOSCOPE例文帳に追加

形状記憶水平屈曲式内視鏡 - 特許庁

MEMORY MANAGEMENT SYSTEM AND ITS CONTROL METHOD例文帳に追加

メモリ管理システムおよびその制御方法 - 特許庁

DRIVE DEVICE USING SHAPE MEMORY ALLOY例文帳に追加

形状記憶合金を用いた駆動装置 - 特許庁

BOOSTER CIRCUIT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

昇圧回路及び不揮発性メモリ装置 - 特許庁

To provide a phase change random access memory with a transistor for enhancing operation in a memory cell by micro-fabricating the memory cell in dimension, and method for fabricating the memory device.例文帳に追加

メモリセルの寸法を微細化し、メモリセルでの動作を改善するための、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリおよびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリ及びその製造方法 - 特許庁

MICROCOMPUTER AND MEMORY ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加

マイクロコンピュータおよびメモリアクセス制御方法 - 特許庁

ASSOCIATIVE MEMORY CIRCUIT AND ASSOCIATIVE STORAGE例文帳に追加

連想メモリ回路および連想記憶装置 - 特許庁

SALES SYSTEM OF MEMORY MODEL FOR LOGIC EMULATION例文帳に追加

論理エミュレーション用メモリモデル販売システム - 特許庁

MEMORY MOUNTING DEVICE FOR INFORMATION PROCESSOR例文帳に追加

情報処理装置のメモリ取り付け装置 - 特許庁

MEMORY ACCESS PRIORITY SWITCHING CONTROLLER例文帳に追加

メモリアクセス優先順位切替制御装置 - 特許庁

MEMORY DEFECT TREATMENT DEVICE AND ITS METHOD例文帳に追加

メモリー欠陥処理装置及びその方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

A Loca-PCI bridge obtains a second memory address space being the part of the system memory, and this second memory address space is used for transferring data between the hiding PCI devices and a local memory.例文帳に追加

Loca−PCIブリッジは、システムメモリの部分である第2のメモリアドレススペースを獲得し、隠れPCIデバイスとローカルメモリとの間のデータを転送するのに使用される。 - 特許庁

The well area of the memory block is separated from other memory blocks and nonvolatile memory cells which are electrically erasable and electrically writable are formed in the well area and the memory cells are made an erasure unit.例文帳に追加

メモリブロックは、他のメモリブロックとウェル領域が分離され、ウェル領域に電気的に消去及び書き込み可能な不揮発性メモリセルが形成され、消去単位とされる。 - 特許庁

AUTONOMIC MEMORY LEAK DETECTION AND REMEDIATION例文帳に追加

自律的(autonomic)メモリ・リーク検出および修復 - 特許庁

MEMORY INTERFACE AND DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

メモリインタフェースおよびこれを有する装置 - 特許庁

例文

DATA TRANSFER CONTROLLER FOR FIFO MEMORY例文帳に追加

FIFOメモリのデータ転送制御装置 - 特許庁




  
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