「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable normal signals to be supplied rightly to the remaining memory cells, when some of memory cells which become defective are separated from the memory cells.例文帳に追加

異常が発生して一部を切り離した残りのメモリセル群に対しても正規の信号を誤りなく供給する。 - 特許庁

VARIABLE RESISTOR FOR NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリ用可変抵抗およびその製造方法並びに不揮発性メモリ - 特許庁

DISK MEMORY DEVICE, AND ECCENTRICITY LEARNING PROCESSING REEXECUTING METHOD OF DISK MEMORY DEVICE例文帳に追加

ディスク記憶装置及びディスク記憶装置の偏心学習処理再実行方法 - 特許庁

The filed data is transferred to the USB memory 35 and stored in the USB memory 35.例文帳に追加

ファイル化したデータはＵＳＢメモリ35に送られてＵＳＢメモリ35に記憶される。 - 特許庁

To provide a memory card connector used for not only receiving a plurality of memory cards but also receiving different kinds of memory cards.例文帳に追加

複数のメモリーカードを収容するだけではなく、異なる種類のメモリーカードを収容するメモリーカードコネクタを提供。 - 特許庁

MICROCOMPUTER, ITS MEMORY CONTENTS CHANGING SYSTEM AND MEMORY CONTENTS CHANGING METHOD例文帳に追加

マイクロコンピュータ及びそのメモリ内容変更システム並びにメモリ内容変更方法 - 特許庁

MEMORY CARD, COMMUNICATION CONTROL METHOD FOR MEMORY CARD, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND RADIO COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

メモリカード、メモリカードの通信制御方法、電子機器並びに無線通信システム - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE THAT SUPPORTS MEMORY MODULE RELATED TO SELECTIVE MODE RESISTER SET COMMAND, MEMORY CONTROLLER AND METHOD例文帳に追加

選択的なモードレジスタセットの命令と関連したメモリモジュールを支援する集積回路メモリ装置、メモリコントローラ及び方法 - 特許庁

FLASH MEMORY REWRITE CIRCUIT, LSI FOR IC CARD, IC CARD, FLASH MEMORY REWRITE METHOD, AND FLASH MEMORY REWRITE PROGRAM例文帳に追加

フラッシュメモリ書き替え回路、ＩＣカード用ＬＳＩ、ＩＣカード、フラッシュメモリ書き替え方法及びフラッシュメモリ書き替えプログラム - 特許庁

FIFO MEMORY CONTROL METHOD, CIRCUIT AND FIFO MEMORY DEVICE USING THEM例文帳に追加

ＦＩＦＯメモリ制御方法、回路およびそれらを用いたＦＩＦＯメモリ装置 - 特許庁

The memory device 100 and a method of forming the memory device 100 are provided.例文帳に追加

メモリ素子１００及びメモリ素子１００を形成する方法が提供される。 - 特許庁

A DDR memory 20, and a memory controller 10 which controls the DDR memory 20 are mounted on a wiring board 1.例文帳に追加

配線基板１には、ＤＤＲメモリ２０、及び該ＤＤＲメモリ２０を制御するメモリコントローラ１０が実装されている。 - 特許庁

The memory set of the first channel is provided with a first flash memory and at least one first socket for memory extension.例文帳に追加

第１のチャネルのメモリセットは、第１のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第１のメモリ拡張用ソケットとを有する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY DEVICE, AND FLASH MEMORY DEVICE MANUFACTURED BY METHOD例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法及びそれによって製造されたフラッシュメモリ素子 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device including a memory unit and a controller is offered.例文帳に追加

メモリ部と制御部とを備える不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new nonvolatile memory device and a memory system including the same.例文帳に追加

新規な不揮発性メモリー装置、及びそれを含むメモリーシステムが提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which miniaturizes each memory cell while suppressing degradation of a characteristic of the semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置の特性の低下を抑制しつつ、メモリセルの微細化をはかった半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

MEMORY CONTROL METHOD, MEMORY CONTROL CIRCUIT USING THE CONTROL METHOD, AND INTEGRATED CIRCUIT LOADED WITH THE MEMORY CONTROL CIRCUIT例文帳に追加

メモリ制御方法、その制御方法を用いたメモリ制御回路、及びそのメモリ制御回路を搭載する集積回路 - 特許庁

A memory device 100 comprises a memory cell array 10 constituted by laminating two memory cell arrays of different types.例文帳に追加

メモリ装置１００は、互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイを積層して構成されたメモリセルアレイ１０を備える。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE USING PHASE CHANGE MEMORY AS REPLACEMENT FOR BUFFERED FLASH MEMORY例文帳に追加

バッファードフラッシュメモリを置き換えとして相変化メモリを用いる方法及び装置 - 特許庁

RECORDING AND REPRODUCING METHOD OF MEMORY MEDIUM USED FOR FOREIGN LANGUAGE LEARNING, MEMORY MEDIUM AND REPRODUCING DEVICE OF MEMORY MEDIUM例文帳に追加

外国語学習に用いる記憶媒体の録音再生方法及び記憶媒体並びにこの記憶媒体の再生装置 - 特許庁

To reduce memory capacity by making a memory shared for a butterfly operation and a delay memory for FFT window calculation.例文帳に追加

バタフライ演算用のメモリと、ＦＦＴウィンドウ算出用のディレイメモリとを共用化して、メモリの容量を削減する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory has a memory-cell array 4000 so constituted as to provide a plurality of memory cells 410 respectively in its row an column directions.例文帳に追加

行方向及び列方向に複数のメモリセル４１０が配設されて構成されたメモリセルアレイ４０００を有する。 - 特許庁

A memory controller controls reading and writing of data from and to the memory part.例文帳に追加

メモリコントローラは、メモリ部に対するデータの読み出し及び書き込みを制御する。 - 特許庁

MEMORY ACCESS ANALYZING METHOD, MEMORY ACCESS TRACING DEVICE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加

メモリアクセス解析方法、メモリアクセス追跡装置、コンピュータ読取可能な記録媒体 - 特許庁

MEMORY CONTROLLER FOR CONTROLLING REFRESH CYCLE OF MEMORY AND METHOD THEREOF例文帳に追加

メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法 - 特許庁

DEFECT ANALYZING METHOD IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶装置における不良解析方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

MULTIPROCESSOR SYSTEM, ITS SHARED MEMORY CONTROL METHOD AND SHARED MEMORY CONTROL PROGRAM,例文帳に追加

マルチプロセッサシステムとその共有メモリ制御方法、及び共有メモリ制御プログラム - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND OPERATION METHOD OTHEREFOR例文帳に追加

半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置、及びそれらの動作方法 - 特許庁

MEMORY APPARATUS INCLUDING PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MULTI-BIT MEMORY CELL, AND APPARATUS AND METHOD FOR DEMARCATING MEMORY STATE OF THE CELL例文帳に追加

プログラマブル不揮発性複数ビットメモリセルを有する記憶装置およびそのセルの記憶状態を分界する装置と方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法と半導体メモリ・システム - 特許庁

To provide a semiconductor memory device storing access information for a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに対するアクセス情報を貯蔵する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device that efficiently performs rectangular access of image data, a memory control circuit, and a memory control system.例文帳に追加

画像データの矩形アクセスを効率的に行うメモリ装置、メモリ制御回路及びメモリ制御システムを提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁

FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY, FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY例文帳に追加

強誘電体不揮発性メモリ、強誘電体不揮発性メモリアレイ、及び強誘電体不揮発性メモリアレイの作製方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory that is advantageous to high-speed access to a memory cell, and also to provide a control method of the semiconductor memory.例文帳に追加

メモリセルへのアクセスの高速化に対して有利な半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部１０は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域２０及びメモリセル素子分離領域１８を有する。 - 特許庁

A memory device (300) responding to a command signal has a plurality of banks of a memory array (324).例文帳に追加

コマンド信号に応答するメモリデバイス(300)は、メモリアレイ(324)の複数バンクを有する。 - 特許庁

An image 80a stored in a memory M0 is copied to a memory M1 to obtain an image 81a.例文帳に追加

メモリＭ０の画像８０ａをメモリＭ１にコピーして画像８１ａとする。 - 特許庁

The processor 11 executes the flash memory writing program and copies the data of the second memory 22 to a flash memory 12.例文帳に追加

プロセッサ１１は、そのフラッシュメモリ書き込みプログラムを実行して第２のメモリ２２のデータをフラッシュメモリ１２にコピーする。 - 特許庁

The individual memory elements may comprise magnetic random access memory elements.例文帳に追加

個別的なメモリ要素は磁気ランダムアクセスメモリ要素を包含することが可能である。 - 特許庁

A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array 21 in which a plurality of memory elements are arranged and a program verify-circuit 30.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のメモリ素子を配列したメモリセルアレイ２１と、プログラムベリファイ回路３０とを備える。 - 特許庁