「N- type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体の電極 - 特許庁

EQUIPMENT IN WHICH N-TYPE SEMICONDUCTOR IS INCORPORATED例文帳に追加

ｎ−型半導体を有する装置 - 特許庁

N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

III-N TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス - 特許庁

The semiconductor substrate 11 is formed of an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１１は、Ｎ型の半導体からなる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1, and a p-type epitaxial layer 3 is formed on the n^+-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１上には、ｎ^＋半導体層２が形成されており、ｎ^＋半導体層２上にｐ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND THIN FILM例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 - 特許庁

Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 102 is formed on the upper of an n^+-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

Ｎ^+ 型半導体基板１０１の上面にＮ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。 - 特許庁

The vertical junction FET 1a comprises an n^+-type drain semiconductor 2, an n-type drift semiconductor 3, a p^+-type gate semiconductor 4, an n-type channel semiconductor 5, an n^+-type source semiconductor 7 and a p^+-type gate semiconductor 8.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７と、ｐ^＋型ゲート半導体部８とを備える。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 is doped into an n-type.例文帳に追加

半導体層３は、ｎ型にドーピングされている。 - 特許庁

The n-type clad layer consists of a first semiconductor.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は第１の半導体からなる。 - 特許庁

N-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンド半導体及びその製造方法 - 特許庁

The n^+-type semiconductor region 14A is formed apart from the n^+-type semiconductor region 13A, and the n^+-type semiconductor region 14C is formed apart from the n^+-type semiconductor region 14A.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａは、ｎ+型半導体領域１３Ａと離隔して形成され、ｎ+型半導体領域１４Ｃはｎ+型半導体領域１４Ａと離隔して形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING RESISTIVITY OF N TYPE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

Ｎ型半導体ウェハの抵抗率測定方法 - 特許庁

n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁

CHARACTERISTIC CONTROL METHOD FOR N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型酸化物半導体の特性制御方法 - 特許庁

N-TYPE ZINC ANTIMONY-BASED COMPOUND THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体 - 特許庁

N-TYPE CARBON SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME例文帳に追加

ｎ型カーボン半導体膜およびそれを用いた半導体素子 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａとｎ+型半導体領域１４Ｃとの間の半導体基板１１には、ｎ+型半導体領域より電気抵抗が高いｎ-型半導体領域１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板の下面にｎ電極が接続されている。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

The n-type III-V group compound semiconductor layer 20 contains tellurium as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０は、ｎ型ドーパントとしてテルルを含む。 - 特許庁

An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体２をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加

Ｎ^+型基板５の上に順にＮ^-型ドリフト層６、Ｎ^+型半導体層７が形成された半導体基板１を用意する。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

A p^+ type semiconductor region 20 is formed in a part of the n^-type semiconductor layer 14 apart from the n^+ type semiconductor region 18, so as to surround the n^+ type semiconductor region 18.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域１８から離間してｎ^＋型半導体領域１８を取り囲むようにｎ^−型半導体層１４の一部にｐ^＋型半導体領域２０を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１２は、ｎ- 半導体領域１２ａ、ｎバッファ領域１２ｂ、ｎ^+ 半導体領域１２ｃから構成される。 - 特許庁

The tin is an n-type dopant, thus forming an n-type semiconductor region 50 in the semiconductor multilayered film.例文帳に追加

錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁