「NEAR ULTRAVIOLET RADIATION」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A photosensitive thin film is partially radiated with a first radiation and then radiated with a second radiation that has at least one different point from the first radiation, for example, the polarization, the direction of the optical axis and the energy of radiation over the whole surface of the thin film in which the second radiation are near ultraviolet light of longer than 320 nm wavelength.例文帳に追加

感光性薄膜の一部に第１放射線照射を行ったのち、該第１放射線照射と、放射線の偏光状態、光軸の方向およびエネルギーの少なくとも一つが異なる第２放射線照射を薄膜全面に対し行いそして第２放射線照射の放射線が波長３２０ｎｍ以上の近紫外光である、液晶配向膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a ultraviolet/infrared absorbing and low-transmitting glass having a grey color tone near neutral color and low visible ray transmissivity, solar radiation transmissivity and ultraviolet ray transmissivity and useful as a privacy protecting glass for automobile rear window.例文帳に追加

中性色に近い灰色系の色調を有し、可視光透過率と日射透過率及び紫外光透過率が低く、乗用車後方窓のプライバシー保護用ガラスとして有用な紫外線赤外線吸収低透過ガラスを提供する。 - 特許庁

The phosphor for the light emitting device is a blue phosphor which essentially comprises a Ce- and Na-activated thiogallate phosphor substantially represented by the formula: BaGa_2S_4:Ce, Na and emits a blue light when excited by an ultraviolet radiation (particularly a near-ultraviolet ray at a wavelength of 370-410 nm).例文帳に追加

本発明の発光装置用蛍光体は、化学式：ＢａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ，Ｎａで実質的に表されるＣｅおよびＮａで付活されたチオガレート蛍光体を主体とし、紫外線（特に波長３７０〜４１０ｎｍの近紫外線）の放射により励起されて青色光を発光する青色蛍光体である。 - 特許庁

The M_mL_nAl_2O_4 obtained by this process is a violet-green phosphor emitting violet-green light excited by near ultraviolet radiation.例文帳に追加

すなわち、この製造方法で得られたＭ_ｍＬ_ｎＡｌ_２Ｏ_４は、近紫外線により励起されて青紫〜緑色の光を発光する青紫〜緑色蛍光体である。 - 特許庁

The decoration of the luminous paint 19 emits light with the radiation of the near- ultraviolet rays by the internal LEDs 17, 17, etc., and external LEDs 18, 18, etc.例文帳に追加

そして、内部ＬＥＤ１７，１７・・、外部ＬＥＤ１８，１８・・による近紫外線の照射によって、発光塗料１９による装飾が発光するようになっている。 - 特許庁

The mask ROM executes writing of data by accumulating charges excited through radiation of the ultraviolet ray or electron beam to the area near the gate electrode 4a within the gate insulating film 3 on the semiconductor substrate 1, in order to change the threshold value of the transistor Tp.例文帳に追加

マスクＲＯＭ部は、データの書き込みが、紫外線又は電子ビームを半導体基板１におけるゲート電極４ａの近傍部分に照射されて励起された電荷をゲート絶縁膜３に蓄積して、トランジスタＴｐのしきい値を変化させることにより行なわれる。 - 特許庁