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P grの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
A p^+ guard ring region GR is in a direct contact with the p-type well region HPW.例文帳に追加
ｐ^+ガードリング領域ＧＲはｐ型ウエル領域ＨＰＷと直接接している。 - 特許庁
The pixel electrodes P and the guard rings GR are film-deposited by using aluminum of the same member.例文帳に追加
また、画素電極ＰとガードリングＧＲとを、同部材のアルミニウムで成膜した。 - 特許庁
Guard rings GR are formed in gaps between adjacent pixel electrodes P in a grid shape so as to enclose an outer periphery of each pixel electrode P.例文帳に追加
隣り合う画素電極Ｐの間隙に、その画素電極Ｐの外周を囲うように格子状にガードリングＧＲを形成した。 - 特許庁
Gap parts 70 formed by the pixel electrodes P and the guard rings GR are narrowly formed.例文帳に追加
そして、その画素電極ＰとガードリングＧＲとによって形成される間隙部７０を狭く形成した。 - 特許庁
When the LS differential pressure P ls exceeds the target value P gr and reduces the revolving speed of the electric generator 29, the bidirectional converter 28 performs a regeneration control converting an inertia force of a rotor of the electric generator 29 into an electric power so as to charge the electric power storage device 7.例文帳に追加
双方向コンバータ２８は、ＬＳ差圧Ｐlsが目標値Ｐgrを上回って電動・発電機２９の回転数を減少させるときに、電動・発電機２９の回転子の慣性力を電力に変換して蓄電装置７を充電する回生制御を行う。 - 特許庁
In a junction FET using silicon carbide as a substrate material, impurities are doped to a vicinity of a p-n junction between a gate region GR and a channel-formed region, the impurities having a conductive type which is reverse to that of impurities doped in the gate region GR and same as that of impurities doped in the channel-formed region.例文帳に追加
炭化シリコンを基板材料として使用した接合ＦＥＴにおいて、ゲート領域ＧＲとチャネル形成領域との間のｐｎ接合近傍に、ゲート領域ＧＲに導入されている不純物とは逆導電型であり、チャネル形成領域に導入されている不純物と同じ導電型の不純物を導入する。 - 特許庁
In this manner, an impurity profile of the p-n junction becomes abrupt, and further, an impurity concentration of a junction region forming the p-n junction with the gate region GR in the channel-formed region is higher than those of a center region in the channel-formed region and of an epitaxial layer EPI.例文帳に追加
これにより、ｐｎ接合の不純物プロファイルを急峻にするとともに、チャネル形成領域のうち、ゲート領域ＧＲとｐｎ接合を形成する接合領域の不純物濃度が、チャネル形成領域の中央領域の不純物濃度およびエピタキシャル層ＥＰＩの不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁
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