P grとは 意味・読み方・使い方

A p^+ guard ring region GR is in a direct contact with the p-type well region HPW.例文帳に追加

ｐ^+ガードリング領域ＧＲはｐ型ウエル領域ＨＰＷと直接接している。 - 特許庁

The pixel electrodes P and the guard rings GR are film-deposited by using aluminum of the same member.例文帳に追加

また、画素電極ＰとガードリングＧＲとを、同部材のアルミニウムで成膜した。 - 特許庁

Guard rings GR are formed in gaps between adjacent pixel electrodes P in a grid shape so as to enclose an outer periphery of each pixel electrode P.例文帳に追加

隣り合う画素電極Ｐの間隙に、その画素電極Ｐの外周を囲うように格子状にガードリングＧＲを形成した。 - 特許庁

Gap parts 70 formed by the pixel electrodes P and the guard rings GR are narrowly formed.例文帳に追加

そして、その画素電極ＰとガードリングＧＲとによって形成される間隙部７０を狭く形成した。 - 特許庁

The first lens group G1 includes, in order from the object side along the optical axis: a front lens group GF; an optical element P for bending the optical path; and a rear lens group GR.例文帳に追加

第１レンズ群Ｇ１は、光軸に沿って物体側から順に、前側レンズ群ＧＦ、光路を折り曲げるための光学素子Ｐ、後側レンズ群ＧＲを有する。 - 特許庁

When the LS differential pressure P ls exceeds the target value P gr and reduces the revolving speed of the electric generator 29, the bidirectional converter 28 performs a regeneration control converting an inertia force of a rotor of the electric generator 29 into an electric power so as to charge the electric power storage device 7.例文帳に追加

双方向コンバータ２８は、ＬＳ差圧Ｐlsが目標値Ｐgrを上回って電動・発電機２９の回転数を減少させるときに、電動・発電機２９の回転子の慣性力を電力に変換して蓄電装置７を充電する回生制御を行う。 - 特許庁

In a junction FET using silicon carbide as a substrate material, impurities are doped to a vicinity of a p-n junction between a gate region GR and a channel-formed region, the impurities having a conductive type which is reverse to that of impurities doped in the gate region GR and same as that of impurities doped in the channel-formed region.例文帳に追加

炭化シリコンを基板材料として使用した接合ＦＥＴにおいて、ゲート領域ＧＲとチャネル形成領域との間のｐｎ接合近傍に、ゲート領域ＧＲに導入されている不純物とは逆導電型であり、チャネル形成領域に導入されている不純物と同じ導電型の不純物を導入する。 - 特許庁