「PGo」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of synthesizing a PGO ferroelectric spin coating process solution, and of determining an adequate PGO solution heat treatment method, a method of monitoring a PGO ferroelectric precursor spin coating process solution and a method of controlling the characteristics of the PGO spin coating solution.例文帳に追加

ＰＧＯ強誘電体スピンコーティング法溶液を合成する方法、適切なＰＧＯ溶液熱処理法を決定する方法、ＰＧＯ強誘電体前駆体スピンコーティング法溶液を監視する方法、ＰＧＯスピンコーティング溶液の特性を制御する方法を提供する。 - 特許庁

The step of letting the PGO film located on the lower electrode be selectively deposited includes a step of letting a seed layer of the PGO be deposited and a step of forming a PGO layer located on the seed layer and having a c-axis orientation.例文帳に追加

下部電極の上に位置するＰＧＯ各を選択堆積させる工程は、ＰＧＯのシード層を堆積させる工程と、このシード層の上に位置するｃ軸配向きＰＧＯ層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

SINGLE C-AXIS PGO THIN FILM ON ZrO2 FOR NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ用途のためのＺｒＯ２上の単一ｃ軸ＰＧＯ薄膜およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a memory device formed from a selectively deposited PGO and a Pb_3Ge_5O_11 (PGO) thin film memory device.例文帳に追加

選択堆積されたＰＧＯから形成されたメモリデバイス、およびＰｂ_３Ｇｅ_５Ｏ_１１（ＰＧＯ）薄膜メモリデバイスを選択的に形成する方法が提供される。 - 特許庁

To control the grain size of a first layer of a PGO film, usable for memory cells of 1T type FeRAMs for optimizing the quality of the formed film by forming the PGO film as a double-layer structure.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルに有用なＰＧＯ膜を２層構造にすることにより１層目の粒径を制御し、成膜後の膜質の最適化を図ること。 - 特許庁

PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING例文帳に追加

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム - 特許庁

SINGLE C-AXIS PGO THIN FILM ELECTRODE WITH SUPERIOR SMOOTH SURFACE AND UNIFORMITY AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

良好な平滑な表面および均一性を有する１つのＣ軸ＰＧＯ薄膜電極およびその作製方法 - 特許庁

To provide a method of selective deposition of a C-axial PGO thin film on a High-k gate oxide.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上にＣ軸ＰＧＯ薄膜を選択的に堆積する方法を提供すること。 - 特許庁

The gate wirings (PGo, PGe) of the selection transistors of the memory cells are arranged corresponding to each memory cell line.例文帳に追加

メモリセルの選択トランジスタのゲート配線（ＰＧｏ，ＰＧｅ）は、各メモリセル行に対応して配置される。 - 特許庁

To form PGO films useful for memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD using organic materials to obtain c-axis oriented films.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルに有用なＰＧＯ膜を、有機原料を用いたＭＯＣＶＤで形成し、ｃ軸配向の膜を得ること。 - 特許庁

The method comprises the steps of: forming a silicon (Si) substrate; forming a silicon oxide film located on the substrate; forming a lower electrode, to which patterning has been conducted and which is located on the silicon oxide film; letting a PGO film located on the lower electrode be selectively deposited; annealing; and forming an upper electrode located on the PGO film.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン（Ｓｉ）基板を形成する工程と、この基板の上に位置するシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜の上に位置するパターニングされた下部電極を形成する工程と、下部電極の上に位置するＰＧＯ膜を選択堆積させる工程と、アニールする工程と、ＰＧＯ膜の上に位置する上部電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

To provide a process which improves the ferroelectric characteristics of a lead germanium oxide thin film material and makes a thin film of the material utilizable as a ferroelectric PGO capacitor.例文帳に追加

鉛ゲルマニウム酸化物薄膜材料の強誘電特性を改善し、これらの薄膜を強誘電体ＰＧＯキャパシタとして利用可能にするプロセスを提供すること。 - 特許庁

To provide a process for metal organic chemical vapor deposition for a lead germanium oxide (PGO) thin film and for an annealing process, and also to provide a system for performing them.例文帳に追加

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜材料のための金属有機化学気相成長およびアニーリングプロセス、ならびにそれらを実行するシステム提供すること。 - 特許庁

To suppress a second phase from growing by controlling the atmosphere in forming PGO films prospective for forming memory cells of 1T type FeRAMs by MOCVD.例文帳に追加

１Ｔ型ＦｅＲＡＭのメモリセルを形成するのに有望なＰＧＯ膜をＭＯＣＶＤで形成する場合に雰囲気を制御して第２の相の成長を抑制すること。 - 特許庁

The MFIS transistor structure is provided with a semiconductor substrate 12 like a silicon substrate, a layer of an insulating film 14 like ZrO_2 which is arranged on the semiconductor substrate 12, and a ferroelectric layer 16 which is a single phase (c) axis Pb_5Ge_3O_11 (PGO) film arranged on the layer of the insulating film 14.例文帳に追加

シリコン基板のような半導体基板１２と、その半導体基板１２上に配置されたＺｒＯ_2のような絶縁膜１４の層と、絶縁膜１４の層上に配置された単一相のｃ軸Ｐｂ_5Ｇｅ_3Ｏ_11（ＰＧＯ）膜である強誘電体層１６とを有する。 - 特許庁