「PIN PHOTO DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A determining part 26 determines whether the retroreflection material 42 exists within the monitoring region or not according to a photo detecting signal from the PIN photo diode 13, and outputs a sensation signal if it exists.例文帳に追加

判定部２６は、ＰＩＮフォトダイオード１３からの受光信号に基づいて、再帰反射材４２が前記監視領域内に存在するか否かを判定し、存在する場合は感知信号を出力する。 - 特許庁

The PIN photo diode is comprised of the P-sub layer 80 as an anode and the epitaxial layer 82 between a cathode region 72 and the P-sub layer 80 as an i-layer.例文帳に追加

ＰＩＮフォトダイオードはＰ-sub層８０をアノードとし、カソード領域７２とＰ-sub層８０との間のエピタキシャル層８２をｉ層として構成される。 - 特許庁

To provide a PIN photo diode used for a photodetecting device for optical communications, by which an increase of an electrostatic capacity of the device is inhibited and high-speed operating characteristics are obtained.例文帳に追加

光通信用光受信素子に利用されるピンフォトダイオードにおいて、素子の静電容量の増加を抑制し、高速動作特性を得る。 - 特許庁

Further, separation and coupling include parallel connection of a Zener diode Z and a capacitor C1, a photo diode LED2, a resistance R2, and a circuit 4 which is electrically separated from the current loop and includes the second reception PIN diode PIN2 of the opto-isolator 1.例文帳に追加

分離結合はさらに、ツェナーダイオードＺおよびキャパシタＣ１の並列結合と、フォトダイオードＬＥＤ２と、抵抗Ｒ２と、電流ループから電気的に分離され、かつ前記オプトアイソレータ１の第２受信ＰＩＮダイオードＰＩＮ２を含む回路４と、を含む。 - 特許庁

An intrinsic semiconductor layer 3 of a first conductivity type and a semiconductor layer 4 of a second conductivity type are sequentially laminated on a semiconductor substrate 2 of the first conductivity type, and a part of the region of a laminated structure is made the PIN diode for photo-electric conversion.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板２に第１導電型の真性半導体層３と第２導電型の半導体層４とを順に積層して積層構造の一部の領域を光電変換用ＰＩＮダイオードとする。 - 特許庁

The PIN photo diode further includes a gate electrode construction comprising a gate insulating layer 28 and a gate electrode pad 29 to prevent excessive depletion of a junction layer caused when a negative voltage is applied to an electrode 26 brought into contact with the junction layer 25.例文帳に追加

ピンフォトダイオードは、接合層２５とコンタクトした電極２６に負の電圧を印加する時に接合層が過度に空乏されることを防止するように、ゲート絶縁層２８及びゲート電極パッド２９からなるゲート電極構造をさらに含むこと特徴とする。 - 特許庁

To provide an APD(Avalanche Photo Diode) bias voltage control circuit that can combine an optical reception module and an APD bias voltage control section in a general purpose way, downsize the optical reception module by externally mounting the APD bias voltage control section and commonly structure the PIN element optical reception module.例文帳に追加

本発明はＡＰＤバイアス電圧制御回路に関し、光受信モジュールとＡＰＤバイアス電圧制御部との汎用的な組み合わせが可能で、ＡＰＤバイアス電圧制御部の外付けによる光受信モジュールの小型化、更にはＰＩＮ素子光受信モジュールの構造の共通化が可能となるＡＰＤバイアス電圧制御回路を提供することを目的としている。 - 特許庁