「Polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR FORMING POLYSILICON PLUG例文帳に追加

ポリシリコン・プラグの形成方法 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING POLYSILICON CRYSTALLIZATION例文帳に追加

ポリシリコン結晶化の制御方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYSILICON FILM例文帳に追加

ポリシリコン膜の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYSILICON FILM例文帳に追加

ポリシリコン膜形成方法 - 特許庁

CLEANING METHOD FOR POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの洗浄方法 - 特許庁

The polysilicon 306 is grounded.例文帳に追加

ポリＳｉ３０６は接地されている。 - 特許庁

EQUIPMENT FOR EVALUATING POLYSILICON FILM例文帳に追加

ポリシリコン膜評価装置 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYSILICON FILM例文帳に追加

ポリシリコン膜生成方法 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンエッチング方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POLYSILICON PACKAGE例文帳に追加

ポリシリコン包装体の製造方法 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING POLYSILICON FILM例文帳に追加

ポリシリコン膜の評価方法 - 特許庁

The polysilicon may be doped.例文帳に追加

ポリシリコンはドープしてもよい。 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYSILICON LAYER例文帳に追加

ポリシリコン層製造方法 - 特許庁

POLYSILICON ETCHING METHOD例文帳に追加

ポリシリコンエッチング方法 - 特許庁

MANUFACTURING APPARATUS OF POLYSILICON AND MANUFACTURING METHOD OF POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの製造装置及びポリシリコンの製造方法 - 特許庁

POLYSILICON FILM PRODUCTION METHOD AND POLYSILICON FILM PRODUCTION DEVICE例文帳に追加

ポリシリコン膜製造方法及びポリシリコン膜製造装置 - 特許庁

The polysilicon films 10 are connected to the polysilicon films 9.例文帳に追加

また、ポリシリコン膜１０は、ポリシリコン膜９に接続されている。 - 特許庁

The polysilicon films both contain phosphorus and the polysilicon film 5 has an area which is high in phosphorus concentration than the polysilicon film 7.例文帳に追加

ポリシリコン膜５，７はともにリンを含んでおり、ポリシリコン膜５は、ポリシリコン膜７よりもリン濃度が高い領域を有している。 - 特許庁

The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22.例文帳に追加

ｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａは、ポリシリコンゲート電極１０とｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とを電気的に分離するための領域である。 - 特許庁

In a polysilicon film 6 of a TFT, the thickness of a polysilicon film in a channel is reduced smaller than a polysilicon film of a source and drain.例文帳に追加

ＴＦＴのポリシリコン膜６において、チャンネル部のポリシリコン膜厚をソースドレイン部のポリシリコン膜厚より薄くする。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PROTECTIVE FILM FOR LOW-TEMPERATURE POLYSILICON, APPARATUS FOR FORMING PROTECTIVE FILM FOR LOW-TEMPERATURE POLYSILICON, AND LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT例文帳に追加

低温ポリシリコン用保護膜の成膜方法、低温ポリシリコン用保護膜の成膜装置および低温ポリシリコンＴＦＴ - 特許庁

The gate electrode wiring 11 is superposed on the polysilicon semiconductor layer 21 and the dummy polysilicon semiconductor layer 25.例文帳に追加

ゲート電極配線11をポリシリコン半導体層21およびダミーポリシリコン半導体層25に重ねる。 - 特許庁

PLANARIZATION METHOD FOR POLYSILICON AND THIN FILM TRANSISTOR CONSISTING OF POLYSILICON OBTAINED FROM METHOD THEREOF例文帳に追加

ポリシリコンの平坦化方法およびその方法から得られるポリシリコンからなる薄膜トランジスタ - 特許庁

Since the polysilicon is p-type polysilicon having high infrared absorptance, the light-receiving sensitivity is heightened.例文帳に追加

ポリシリコンは赤外線吸収率の高いｐ型ポリシリコンであるため、受光感度が高くなる。 - 特許庁

The surface of a polysilicon film turned into polysilicon by excimer laser annealing is imaged (S1).例文帳に追加

エキシマレーザアニールによりポリ化したポリシリコン膜の表面を撮像する（Ｓ１）。 - 特許庁

METHOD OF CONTROLLING PARTICLE SIZE IN POLYSILICON LAYER AND IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON STRUCTURE例文帳に追加

ポリシリコン層およびポリシリコン構造を有する半導体デバイスにおける粒度を制御する方法 - 特許庁

The thermopiles 37 and 38 comprise polysilicon and aluminum, and polysilicon is doped with phosphorus (P).例文帳に追加

サーモパイル３７、３８はポリシリコンとアルミニウムからなり、ボリシリコンには燐（Ｐ）がドープされる。 - 特許庁

The polysilicon film 17 is patterned to form gate electrodes 17' of polysilicon films 17.例文帳に追加

ポリシリコン膜１７をパターニングし、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’を形成する。 - 特許庁

The first conductive layer 12 is formed of doped polysilicon or synchronous doped polysilicon.例文帳に追加

この第１導電層はドープポリシリコン或いは同期ドープポリシリコンで形成する。 - 特許庁

POLYSILICON FILM SURFACE PROCESSING AGENT AND POLYSILICON FILM SURFACE PROCESSING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ポリシリコン膜の表面処理剤及びそれを用いたポリシリコン膜の表面処理方法 - 特許庁

The polysilicon layer is etched back to leave polysilicon spacers on the dielectric spacers.例文帳に追加

ポリシリコン層をエッチバックして誘電体スペーサー上にポリシリコンスペーサーを残留させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYSILICON-TO-POLYSILICON CAPACITOR BY SiGeBi CMOS INTEGRATION TECHNIQUE例文帳に追加

ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ集積化技法によるポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの形成方法 - 特許庁

NONDEFECTIVE POLYSILICON MOLDING AND METHOD FOR TESTING POLYSILICON MOLDING WITHOUT CONTAMINATION NOR DESTRUCTION例文帳に追加

ポリシリコン成形体の汚染および破壊のない試験法および欠陥のないポリシリコン成形体 - 特許庁

A polysilicon layer 38, a TEOS layer 40 and a polysilicon layer 42 are formed at the opening.例文帳に追加

開口３０には、ポリシリコン層３８、ＴＥＯＳ層４０、ポリシリコン層４２が設けられる。 - 特許庁

The polysilicon layer 3' is patterned to the polysilicon island of the thin-film transistor.例文帳に追加

次いで、このポリシリコン層３’を薄膜トランジスタのポリシリコンアイランドにパターン化する。 - 特許庁

POLYSILICON EVALUATION METHOD, POLYSILICON INSPECTION DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置及び薄膜トランジスタ製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYSILICON, THIN FILM TRANSISTOR HAVING THE POLYSILICON, AND METHOD FOR FORMING THE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコンの形成方法、当該ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

The second polysilicon layer 14b is provided on the first polysilicon layer 14a and has the second conductivity type.例文帳に追加

第２ポリシリコン層１４ｂは、第１ポリシリコン層１４ａ上に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

Accordingly, the minimum polysilicon pitch is enlarged and the initial minimum polysilicon pitch is narrowed.例文帳に追加

したがって、最小ポリシリコンピッチが拡大され、初期最小ポリシリコンピッチを縮小できる。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR EVALUATING POLYSILICON, AND POLYSILICON INSPECTION DEVICE例文帳に追加

薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置 - 特許庁

Pieces of polysilicon wiring W1, W2, W3, W4 connect the polysilicon gauge resistors R1, R2, R3, R4 in the form of a bridge.例文帳に追加

ポリシリコン配線Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４は、ポリシリコンゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をブリッジ状に接続する。 - 特許庁

The polysilicon is oxidized and the polysilicon is deposited to fill voids in the trenches.例文帳に追加

ポリシリコンは酸化し、溝中の空孔を満すため、ポリシリコンを、堆積させる。 - 特許庁

In a "polycide" process only the polysilicon is silicided. 例文帳に追加

「ポリサイド」プロセスにおいてはポリシリコンだけが珪化される。 - コンピューター用語辞典