「Polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

And seam leakage of the STI oxide caused by a polysilicon side wall present after the polysilicon gate etching can also be avoided.例文帳に追加

ポリシリコン・ゲート・エッチング後に残存するポリシリコン側壁によるＳＴＩ酸化物のシーム漏れも回避される。 - 特許庁

A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17a is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25a.例文帳に追加

ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７ａは、サイドウォール絶縁層２５ａにより、ポリシリコン層１９と分離される。 - 特許庁

In addition, a polysilicon layer 17b (amorphous silicon layer) is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25b.例文帳に追加

また、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７ｂは、サイドウォール絶縁層２５ｂにより、ポリシリコン層１９と分離される。 - 特許庁

A polysilicon layer 6 is formed on an insulating film 5 and an insulating film mask is formed on a part of the polysilicon layer 6.例文帳に追加

絶縁膜５上にポリシリコン層６を形成し、該ポリシリコン層６上の一部に絶縁膜マスクを形成する。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited overlying the semiconductor substrate, gate electrode, and dielectric spacers wherein the polysilicon layer is heavily doped.例文帳に追加

基板、ゲート電極、及び誘電体スペーサーの上にポリシリコン層を堆積し、この層を高濃度にドープする。 - 特許庁

Then, a floating gate is formed from the polysilicon film 1.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜１からフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

Then, by etching back the doped polysilicon layer 25, a portion outside the trench 6 in the doped polysilicon layer 25 is removed.例文帳に追加

その後、ドープドポリシリコン層２５をエッチバックして、ドープドポリシリコン層２５におけるトレンチ６外の部分を除去する。 - 特許庁

To provide a method of subjecting a metal material of a polysilicon film lower layer to etching processing without giving damage to a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜下層の金属材料を、ポリシリコン膜へダメージを与えずにエッチング処理する方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate residue of polysilicon when isolating an gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を分離する際のポリシリコン残りを無くす。 - 特許庁

METHOD FOR TRIMMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH POLYSILICON FUSE例文帳に追加

ポリシリコンヒューズを有する半導体装置のトリミング方法 - 特許庁

During the simultaneous etching of the both gates in a semiconductor device wherein an N-type polysilicon gate and a P-type polysilicon gate are arranged, the area of undoped silicon gates which are dummy electrodes is arranged to be larger than the total area of the N-type and P-type doped polysilicon gates, so that the undoped polysilicon is dominant over the doped polysilicon during dry etching for the polysilicon gates.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコンゲートとＰ型ポリシリコンゲートが配置されたデバイスにおいて、両ゲートを同時にエッチングする場合に、ダミー電極であるノンドープポリシリコンゲートの面積をＮ型及びＰ型のドープポリシリコンゲートの全面積よりも多くするように配置して、ドープポリシリコンよりもノンドープのポリシリコンが支配的になるようにして、ポリシリコンゲートをドライエッチングするようにした。 - 特許庁

FORMING METHOD OF NANO STRUCTURE USING POLYSILICON LAYER例文帳に追加

多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法 - 特許庁

The protective film 9 is made of doped polysilicon.例文帳に追加

この保護膜９の素材にはドープドポリシリコンが使用されている。 - 特許庁

Then, an n^+-type polysilicon layer 11 is deposited, and etched back.例文帳に追加

次に、Ｎ^+型ポリシリコン層１１を堆積し、エッチバックを行う。 - 特許庁

The gate polysilicon layer G11 extends along the length of the cell.例文帳に追加

ゲートポリシリコン層Ｇ１１は、セルの長手方向に延びている。 - 特許庁

A conductive plug 24 is formed of a polysilicon.例文帳に追加

導電性プラグ２４はポリシリコンによって形成されている。 - 特許庁

A resist film FR2 is formed on a polysilicon film PF1.例文帳に追加

ポリシリコン膜ＰＦ１上にレジスト膜ＦＲ２を形成する。 - 特許庁

An electrode which is made by crossing two layers of polysilicon (or silicide) in prior art is made of one layer of polysilicon.例文帳に追加

従来技術では２層のポリシリコン（またはシリサイド）を交差させて作っていた電極を１層のポリシリコンで作る。 - 特許庁

To prevent unintended full siliciding of a polysilicon gate electrode.例文帳に追加

ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。 - 特許庁

An insulation film 22 is formed on the polysilicon film 20.例文帳に追加

ポリシリコン膜２０上に絶縁膜２２が形成されている。 - 特許庁

The trench 31 for element isolation is buried with a polysilicon film 33.例文帳に追加

ポリシリコン膜３３で素子分離用トレンチ３１を埋める。 - 特許庁

A polysilicon film 16X is formed on the gate insulating film 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上に、ポリシリコン膜１６Ｘを成膜する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR FORMING POLYSILICON PHOTOELECTRIC TRANSFER LAYER例文帳に追加

ポリシリコン光電変換層の製膜装置および製膜方法 - 特許庁

THIN FILM POLYSILICON SOLAR CELL AND ITS FABRICATING PROCESS例文帳に追加

薄膜多結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 - 特許庁

The polysilicon film 4 is patterned with the oxide film 5 as a mask (d).例文帳に追加

酸化膜５をマスクにポリシリコン膜４をパターニングする（ｄ）。 - 特許庁

Next, a polysilicon layer 16 is accumulated on the gate dielectric.例文帳に追加

次に、ポリシリコン層16がゲート誘電体上に堆積される。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 7 is oxidized into a silicon oxide film.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜７を酸化させて酸化シリコン膜とする。 - 特許庁

(e) and (f): A polysilicon film 18 is accumulated and then it is etched to form a polysilicon sidewall film 18a in the trench 16.例文帳に追加

（ｅ）（ｆ）ポリシリコン膜１８を堆積した後にエッチングして、トレンチ１６にポリシリコン側壁膜１８ａを形成する。 - 特許庁

CRYSTALLIZABILITY EVALUATION DEVICE OF POLYSILICON THIN FILM AND CRYSTALLIZABILITY EVALUATION METHOD USING IT例文帳に追加

ポリシリコン薄膜結晶性評価装置及びその方法 - 特許庁

IMAGE DISPLAY SYSTEM AND METHOD FOR LASER ANNEALING OF LOW-TEMPERATURE POLYSILICON例文帳に追加

画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法 - 特許庁

The polysilicon film 131 substantially contains no phosphorus.例文帳に追加

また、ポリシリコン膜１３１は、リンを実質的に含有していない。 - 特許庁

A polysilicon film 17 is formed on a gate oxide film 16.例文帳に追加

ゲート酸化膜１６上に、ポリシリコン膜１７を形成する。 - 特許庁

A barrier metal film 12 is provided on the polysilicon plug 11.例文帳に追加

ポリシリコンプラグ１１上にはバリアメタル膜１２が設けられる。 - 特許庁

The present invention is an abrasive for polishing a silicon oxide film on a polysilicon film containing an abrasive grain, a polysilicon polishing retarder and water.例文帳に追加

ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。 - 特許庁

Polysilicon gate electrodes 5 are arranged in the trenches 4.例文帳に追加

トレンチ４の内部にポリシリコンゲート電極５が配置されている。 - 特許庁

The silicon film 3 is an amorphous silicon film or a polysilicon film.例文帳に追加

シリコン膜３は、アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜である。 - 特許庁

POLYSILICON FUSE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS USING THE POLYSILICON FUSE例文帳に追加

ポリシリコンヒューズと、そのポリシリコンヒューズの製造方法、および、そのポリシリコンヒューズを用いた半導体装置と光電変換装置。 - 特許庁

To provide a polysilicon resistive element having high resistance value precision.例文帳に追加

抵抗値精度の高いポリシリコン抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining high purity polysilicon at high speed.例文帳に追加

高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a projection 13C due to progress of crystal growth of the polysilicon is not formed on an end of the polysilicon layer 13.例文帳に追加

ここで、ポリシリコン層１３の端部には、ポリシリコンの結晶成長の進行による突起１３Ｃが形成されていない。 - 特許庁

The impurity 7 is also injected in the polysilicon film 4G.例文帳に追加

不純物７は、ポリシリコン膜４Ｇ内にも注入される。 - 特許庁

REMOVING METHOD AND PROCESSING DEVICE OF POLYSILICON FILM, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

ポリシリコン膜の除去方法、処理装置および記憶媒体 - 特許庁

Over the doped polysilicon layer 21, a non-doped polysilicon layer 23 is formed in such a thickness as to fill the space 22.例文帳に追加

次いで、ドープドポリシリコン層２１上に、空間２２を埋め尽くすような厚さのノンドープポリシリコン層２３が形成される。 - 特許庁

The area of the polysilicon film 102, used as an vibrating electrode, is smaller than that of the polysilicon film 115 used as the fixed electrode.例文帳に追加

振動電極となるポリシリコン膜１０２の面積は、固定電極となるポリシリコン膜１１５の面積よりも小さい。 - 特許庁

SILICIDED AMORPHOUS POLYSILICON-METAL CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

珪化アモルファス・ポリシリコン−金属のコンデンサとその製造方法 - 特許庁