「Polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a floating gate is formed from the polysilicon film 1.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜１からフローティングゲートを形成する。 - 特許庁

On the gate electrode and substrate, a polysilicon layer is deposited.例文帳に追加

ゲート電極及び基板上にポリシリコン層が堆積される。 - 特許庁

A resist film 107 is formed on the polysilicon film 106 (d).例文帳に追加

ポリシリコン膜１０６上にレジスト膜１０７を形成する（ｄ）。 - 特許庁

The amorphous silicon on a glass substrate is annealed into polysilicon.例文帳に追加

ガラス基板上のアモルファスシリコンをアニールしてポリシリコンにする。 - 特許庁

POLYSILICON THIN FILM SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ポリシリコン薄膜半導体およびポリシリコン薄膜半導体の製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR EQUIPPED WITH POLYSILICON SEED AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ポリシリコン・シードを有するトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To prevent increase in the sheet resistance of a polysilicon film per batch.例文帳に追加

ポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止すること。 - 特許庁

An active layer is formed as a polysilicon film on a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上にポリシリコン膜としての活性層を形成する。 - 特許庁

A resist 4 is formed in a surface of the polysilicon 9.例文帳に追加

そして、ポリシリコン9表面には、レジスト4が形成される。 - 特許庁

Next, a polysilicon layer 16 is accumulated on the gate dielectric.例文帳に追加

次に、ポリシリコン層16がゲート誘電体上に堆積される。 - 特許庁

A second insulating film is formed over the first polysilicon electrode.例文帳に追加

第１ポリシリコン電極を覆って第２絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 3 is formed so as to cover a polysilicon plug 4.例文帳に追加

ポリシリコンプラグ４を覆うようにシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁

POLYSILICON FUSE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ及びポリシリコンヒューズの製造方法 - 特許庁

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ - 特許庁

POLYSILICON EVALUATION APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING SYSTEM例文帳に追加

ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR IMPROVING RELIABILITY IN POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法 - 特許庁

Then, a polysilicon film 7 is formed at least on the device active region.例文帳に追加

次に、少なくとも素子活性領域上にポリシリコン膜７を形成する。 - 特許庁

SILICIDED AMORPHOUS POLYSILICON-METAL CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

珪化アモルファス・ポリシリコン−金属のコンデンサとその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ON-INSULATOR SILICON AND POLYSILICON WAFER例文帳に追加

絶縁体上シリコン及びポリシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁

To provide a polysilicon resistive element having high resistance value precision.例文帳に追加

抵抗値精度の高いポリシリコン抵抗素子を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film 19 is formed on the upper surface of the p^+-layer 18.例文帳に追加

ｐ^+層１８の上面上には、ポリシリコン膜１９が形成されている。 - 特許庁

A gate polysilicon 22 is formed on this oxide film 21.例文帳に追加

この酸化膜２１上にゲートポリシリコン２２を形成する。 - 特許庁

This can prevent the occurrence of a defective embedding of the polysilicon 20.例文帳に追加

これにより、ポリシリコン２０の埋め込み不良の発生が防ぐことができる。 - 特許庁

The impurity 7 is also injected in the polysilicon film 4G.例文帳に追加

不純物７は、ポリシリコン膜４Ｇ内にも注入される。 - 特許庁

REMOVING METHOD AND PROCESSING DEVICE OF POLYSILICON FILM, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

ポリシリコン膜の除去方法、処理装置および記憶媒体 - 特許庁

Impurities are not doped to the polysilicon junction frame.例文帳に追加

そして、ポリシリコン接合枠には、不純物がドーピングされていない。 - 特許庁

To provide a method for obtaining high purity polysilicon at high speed.例文帳に追加

高純度のポリシリコンを高速で得る方法を提供する。 - 特許庁

A polysilicon plug 4 is arranged on the diffusion layer 2.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層２上にはポリシリコンプラグ４が配置されている。 - 特許庁

On the base polysilicon layer 37, redundant wiring 41 is formed.例文帳に追加

土台ポリシリコン層３７の上には、冗長配線４１が形成されている。 - 特許庁

A polysilicon film 17 is formed on a gate oxide film 16.例文帳に追加

ゲート酸化膜１６上に、ポリシリコン膜１７を形成する。 - 特許庁

A polysilicon layer 22 is formed on one part of the insulating substrate 21.例文帳に追加

絶縁基板２１上には、一部にポリシリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

A barrier metal film 12 is provided on the polysilicon plug 11.例文帳に追加

ポリシリコンプラグ１１上にはバリアメタル膜１２が設けられる。 - 特許庁

Then, a polysilicon film 9 containing N-type impurities is deposited thereon.例文帳に追加

次に、Ｎ型不純物を含有したポリシリコン膜９を堆積する。 - 特許庁

Then a non-doped second silicon layer 22 is formed covering the first polysilicon layer 20 and the same impurity as that diffused in the first polysilicon layer 20 is diffused in the second polysilicon layer 22 to the same impurity density with the first polysilicon layer 20.例文帳に追加

次に、第１のポリシリコン層２０を覆って、ノンドープの第２のポリシリコン層２２を形成し、その後、第２のポリシリコン層２２に、第１のポリシリコン層２０に拡散したものと同じ不純物を、第１のポリシリコン層２０と同じ不純物濃度となるよぅに拡散する。 - 特許庁

A substrate 11 having a polysilicon layer disposed thereon is prepared.例文帳に追加

その上に配置されたポリシリコン層を有する基板１１が用意される。 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF ITS CHANNEL LAYER例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ構造及びそのチャネル層の製造方法 - 特許庁

Then, the polysilicon film 7 is oxidized into a silicon oxide film.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜７を酸化させて酸化シリコン膜とする。 - 特許庁

Afterwards, the polysilicon film PS1 is dry-etched, and a recessed part 3 is formed.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜ＰＳ１をドライエッチングして、凹部３を形成する。 - 特許庁

The polysilicon film 131 substantially contains no phosphorus.例文帳に追加

また、ポリシリコン膜１３１は、リンを実質的に含有していない。 - 特許庁

The polysilicon film 4 is patterned with the oxide film 5 as a mask (d).例文帳に追加

酸化膜５をマスクにポリシリコン膜４をパターニングする（ｄ）。 - 特許庁

The polysilicon film 7 is >50 nm and ≤150 nm in thickness.例文帳に追加

ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

The trench 31 for element isolation is buried with a polysilicon film 33.例文帳に追加

ポリシリコン膜３３で素子分離用トレンチ３１を埋める。 - 特許庁

A polysilicon film 16X is formed on the gate insulating film 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜上に、ポリシリコン膜１６Ｘを成膜する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR FORMING POLYSILICON PHOTOELECTRIC TRANSFER LAYER例文帳に追加

ポリシリコン光電変換層の製膜装置および製膜方法 - 特許庁

The sum of the distance L2 between the polysilicon gate electrode 31 and the outer periphery of the cell along the polysilicon gate electrode 31 and the distance L3 between the polysilicon gate electrode 32 and the outer periphery of the cell along the polysilicon gate electrode 32 is equivalent to the distance L1.例文帳に追加

ポリシリコンゲート電極３１とポリシリコンゲート電極３１に沿ったセルの外周との間の距離Ｌ２とポリシリコンゲート電極３２とポリシリコンゲート電極３２に沿ったセルの外周との間の距離Ｌ３との和は、距離Ｌ１に等しい。 - 特許庁