「Polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

FORMING METHOD FOR POLYSILICON PATTERN, DIODE INCLUDING POLYSILICON PATTERN, MULTI-LAYER CROSS POINT RESISTIVE MEMORY ELEMENT INCLUDING POLYSILICON PATTERN, AND MANUFACTURING METHOD FOR DIODE AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ポリシリコンパターンの形成方法、該ポリシリコンパターンを含むダイオード、ポリシリコンパターンを含む多層交差点抵抗性メモリ素子及び、前記ダイオードと前記メモリ素子との製造方法 - 特許庁

After a polysilicon film 22 is formed filling the trench 19 and covering the nitride film 15, the polysilicon film 22 is oxidized to form polysilicon oxide 23.例文帳に追加

トレンチ１９の内部を充填するとともに、窒化膜１５を覆うようにポリシリコン膜２２を形成した後ポリシリコン膜２２を酸化し、酸化ポリシリコン２３を形成する。 - 特許庁

After that, a polysilicon film 33 is formed so as to cover the polysilicon films 23 and 31, and the polysilicon films are patterned to form a gate electrode.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜２３及び３１を覆うようにポリシリコン膜３３を形成し、これらのポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

To suppress variations in the resistance value of high-resistance polysilicon by preventing plasma damages to the polysilicon, when a contact is established with te polysilicon.例文帳に追加

高抵抗のポリシリコンとコンタクトを取る際に、ポリシリコンへのプラズマダメージを防止するようにし、もって、そのポリシリコンの抵抗値のばらつきを抑えること。 - 特許庁

A polysilicon film 14 is formed on the thin film polysilicon film 13 and a nitrogen containing area 15 of ≤10nm depth is formed on the upper part of the polysilicon film 14 by plasma nitrification.例文帳に追加

次に、薄膜ポリシリコン膜１３の上にポリシリコン膜１４を形成し、プラズマ窒化を行うことにより、ポリシリコン膜１４の上部に、深さ１０ｎｍ以下の窒素含有領域１５を形成する。 - 特許庁

After the polysilicon film is planarized, the gate electrode 6 is formed with the polysilicon layer, having embedded the trench 4a and a p^+-type body layer 7 is formed with the polysilicon layer having embedded the trench 4b.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜を平坦化したのち、トレンチ４ａを埋め込んだポリシリコン層によってゲート電極６を形成すると共に、トレンチ４ｂを埋め込んだポリシリコン層によってｐ^+型ボディ層７を形成する。 - 特許庁

The upper polysilicon layer 103P is deposited simultaneously with a polysilicon layer constituting the first active layer 110 of a pixel selecting TFT 10 and has the same film thickness as that of the polysilicon layer concerned.例文帳に追加

上層のポリシリコン層１０３Ｐは、画素選択用ＴＦＴ１０の第１の能動層１１０を構成するポリシリコン層と同時に堆積されたものでこれと同じ膜厚を有している。 - 特許庁

To provide a planarization method for polysilicon and a thin film transistor consisting of the polysilicon obtained by the method that apply with respect to a polysilicon surface having a large area.例文帳に追加

本発明は、大面積のポリシリコン表面に応用出来る、ポリシリコンの平坦化方法および該方法により得られたポリシリコンからなる薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１０３及びＳＴＩ構造の素子分離領域１０８上には、第１ポリシリコン層１０３と共に浮遊ゲート電極となる第２ポリシリコン層１０９が形成されている。 - 特許庁

A gate overlap type LDD polysilicon TFT consists of a transparent insulation substrate 30, a polysilicon layer formed on the transparent insulation substrate and a gate insulation layer 40 formed in the polysilicon layer.例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型LDD ポリシリコンTFT は、透明絶縁基板３０と、前記透明絶縁基板上に形成されたポリシリコン層と、前記ポリシリコン層に形成 されたゲート絶縁層４０と、からなる。 - 特許庁

The diodoe polysilicon 15 of a conduction type opposed to the conduction type of the polysilicon gate 13 is formed to be continuous to the polysilicon gate 13 on the element isolation insulating film 7.例文帳に追加

素子分離絶縁膜７上でポリシリコンゲート１３に連続してポリシリコンゲート１３とは反対導電型のダイオード用ポリシリコン１５が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a second polysilicon layer 40 where the concentration of phosphor is lower than the first polysilicon layer 39, and the etching rate is smaller is formed on the first polysilicon layer 39.例文帳に追加

さらに、この第１ポリシリコン層３９よりもリン濃度が低く、エッチング速度が遅い第２ポリシリコン層４０を、第１ポリシリコン層３９上に形成する。 - 特許庁

After thus produced fine grain polysilicon film is doped with dopant and the doped fine grain polysilicon film is subject to heat-treatment, the polysilicon is patterned and a resistor pattern is formed.例文帳に追加

このような微粒子ポリシリコン膜にドーパントをドーピングして熱処理した後に、ポリシリコンをパターニングして抵抗パターンを形成する。 - 特許庁

A first wiring 10 of aluminum is formed apart from an the polysilicon film 6, and a low-resistance polysilicon resistor element 30 is provided between the first wiring 10 and the polysilicon film 6.例文帳に追加

ポリシリコン膜６と離間してアルミニウムよりなる第１の配線１０を配設し、第１の配線１０とポリシリコン膜６との間に低抵抗のポリシリコンよりなる抵抗要素３０を設けてある。 - 特許庁

Then, after polysilicon film is oxidized with heat for forming a polysilicon oxide film 5, the polysilicon oxide film 5 is etched for forming contact holes 8a and 8b.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜を熱酸化してポリシリコン酸化膜５を形成後、ポリシリコン酸化膜５をエッチングしてコンタクトホール８ａ，８ｂを形成する。 - 特許庁

Standard processes are used, except that the exposed surface of a polysilicon layer 58 is transformed into amorphous polysilicon through implantation of a neutral material prior to the silicification of the polysilicon layer 58.例文帳に追加

標準のプロセスを用いるが、ただし、ポリシリコン層５８の珪化を行う前に中性物質を注入することにより、ポリシリコン５８の露出面をアモルファス・ポリシリコンに変質させる。 - 特許庁

The resistor is formed using a split polysilicon process for opening a hole in a first polysilicon layer in order that an embedded contact mask 19 brings a second polysilicon layer into contact with the substrate.例文帳に追加

この抵抗は、埋込みコンタクトマスク１９が、第２のポリシリコン層を基板に接触させるために、第１のポリシリコン層内にホールを開口するスプリット・ポリシリコン・プロセスを用いて形成される。 - 特許庁

Further, the polysilicon film for constituting the resistance element is etched simultaneously with the film provided above this polysilicon film based on the measured result of the resistivity of the polysilicon film by using the monitor pattern 7.例文帳に追加

また、モニタパターン７を使ったポリシリコン膜の抵抗率の測定結果に基づいて、抵抗素子を構成するポリシリコン膜を、このポリシリコン膜よりも上方に設けられる膜と同時にエッチングする。 - 特許庁

A bipolar transistor of polysilicon emitter structure has a polysilicon region 8 doped with impurities, and an emitter region 30 having a thin film layer 30 containing carbon at an interface with the polysilicon region 8.例文帳に追加

多結晶シリコンエミッタ構造のバイポーラトランジスタであって、不純物をドープされた多結晶シリコン領域８と、多結晶シリコン領域８との界面に炭素含有薄膜層３０を有するエミッタ領域３０を具備する。 - 特許庁

A capacitor consists of a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode, and the upper electrode is formed of a laminated structure of a first undoped polysilicon film 106a, a doped polysilicon film 106b and a second undoped polysilicon film 106c.例文帳に追加

下部電極、誘電体膜、及び上部電極からなるキャパシタであって、前記上部電極が第１アンドープポリシリコン膜106aとドープポリシリコン膜106ｂと第２アンドープポリシリコン膜106ｃの積層構造で形成される。 - 特許庁

On the polysilicon film 113, a composite film is formed of a silicon oxide film 114, a polysilicon film 115, a silicon oxide film 116, a polysilicon film 117, and a silicon oxide film 118.例文帳に追加

ポリシリコン膜１１３上には、シリコン酸化膜１１４、ポリシリコン膜１１５、シリコン酸化膜１１６、ポリシリコン膜１１７およびシリコン酸化膜１１８からなる複合膜を形成している。 - 特許庁

The method also comprises a step of forming a doped polysilicon germanium film 6b as a film having a higher activation ratio of the impurity than that of the polysilicon on the doped polysilicon film 3b.例文帳に追加

次に、ポリシリコンよりも不純物の活性化率が高い膜として、ドープトポリシリコン−ゲルマニウム膜６ｂをドープトポリシリコン膜３ｂ上に形成する。 - 特許庁

A polysilicon film is deposited also on a scribing line 9 together with the polysilicon for constituting the resistance element, the polysilicon deposited on the scribing line 9 is patterned, and a monitor pattern 7 is formed.例文帳に追加

抵抗素子を構成するポリシリコン膜と共にスクライブライン９上にもポリシリコン膜を成膜し、スクライブライン９上に成膜されたポリシリコン膜をパターニングし、モニタパターン７を形成する。 - 特許庁

The upper part of polysilicon filled in the via is doped for the formation of a second terminal 36 of the semiconductor device, the polysilicon is annealed into a single-grain polysilicon.例文帳に追加

ビア内のポリシリコンの上側部分にドープし、半導体素子の第２端子（３６）を形成し、ポリシリコンをアニールして、これを単粒子ポリシリコンに変換する。 - 特許庁

The second oxide film is removed and, with the second polysilicon film and the buffer oxide film as a mask, the first polysilicon film is etched to remove the second polysilicon film.例文帳に追加

第２酸化膜を除去し、第２ポリシリコン膜とバッファ酸化膜をマスクとして第１ポリシリコン膜をエッチングし、第２ポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁

To sufficiently remove polysilicon debris on the side wall of a stepped part while reserving the anisotropic shape of a polysilicon layer and the remaining underlying insulating film when the polysilicon layer covering the stepped part is patterned.例文帳に追加

段差を覆うポリシリコン層をパターニングする際にポリシリコン層の異方性形状と下地絶縁膜の残膜とを確保しつつ段差の側壁でポリシリコン残渣を十分に除去する。 - 特許庁

Then the difference between the autocorrelation value of the surface image of the polysilicon film on an SAD region and that of the surface image of the polysilicon film on a gate electrode is found and the manufacturing margin of the polysilicon film is calculated based on the difference.例文帳に追加

そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値との差分を求め、この差分値に基づき製造マージンを算出する。 - 特許庁

At this time, the polysilicon film 5 is etched faster in the area, higher in phosphorus concentration than the polysilicon film 7, than the polysilicon film 7, so notches are formed at bottom parts of flanks of the gate electrodes 10p, 40n, and 40p.例文帳に追加

このとき、ポリシリコン膜５において、ポリシリコン膜７よりもリン濃度が高い領域では、ポリシリコン膜７よりもエッチングスピードが速くなるため、ゲート電極１０ｐ，４０ｎ，４０ｐの側面の底部にノッチが形成される。 - 特許庁

Then, when the polysilicon film is deposited further on the polysilicon films 106 and 113, 'drift' of the polysilicon film is generated, and the film becomes thick on the side of a memory cell region and the drift is not generated on a peripheral circuit region.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜１０６、１１３上にさらにポリシリコン膜を堆積させると、メモリセル領域側ではポリシリコン膜の「吹き溜まり」が生じて膜が厚くなる一方、周辺回路領域側では吹き溜まりは生じない。 - 特許庁

This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加

抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁

A polysilicon thin-film transistor, composed including a polysilicon thin film 3, the gate insulating film 4 formed on the polysilicon thin film, and gate conductive film 5 formed on the gate insulating film, is equipped on a glass substrate 1.例文帳に追加

ポリシリコン薄膜３と、ポリシリコン薄膜上に形成されたゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜５とを含んで構成されたポリシリコン薄膜トランジスタをガラス基板１上に備える。 - 特許庁

The transistor is formed of the diffusion layer 103 and the gate polysilicon 104 that serves as the gate electrode, and the net-like gate polysilicon wiring 101 and the gate polysilicon 104 in the transistor are formed on in the same process.例文帳に追加

トランジスタは、拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成され、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、トランジスタのゲートポリシリ１０４は、同一工程で形成される。 - 特許庁

In the method, the shaped polysilicon body is irradiated with an ultrasonic wave, and the ultrasonic wave is recorded by an ultrasonic wave receiver after bringing the shaped polysilicon body to pass through, thereby detecting the material defect in the polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコン成形体に超音波を照射し、ポリシリコン成形体が通過後に超音波受信機により超音波を記録し、これによりポリシリコン中の材料の欠陥を検出する。 - 特許庁

The polysilicon layer having a thickness of 1-15μm is formed on an insulating film 12 for covering the main surface of one side of a semiconductor substrate 10, and thereafter, resist layers 16a-16c having a thickness of 1-1.5 times of that of the polysilicon layer are formed on the polysilicon layer.例文帳に追加

半導体基板１０の一方の主面を覆う絶縁膜１２の上に１〜１５μｍの厚さのポリシリコン層を形成した後、ポリシリコン層の上にその厚さの１〜１．５倍の厚さのレジスト層１６ａ〜１６ｃを形成する。 - 特許庁

Therefore, when the high temperature polysilicon layer 16 is grown by the high temperature CVD method on the surface of the seed polysilicon layer 15 as the base surface, the polysilicon grows in the uniform thickness from the entire part of such a base surface.例文帳に追加

よって種ポリシリコン層１５表面を基面に高温ＣＶＤ法で高温ポリシリコン層１６を成長させると、この基面全体から均一な厚さでポリシリコンが成長する。 - 特許庁

In the method, the polysilicon molding is irradiated with an ultrasonic wave, and the ultrasonic wave is recorded by an ultrasonic wave receiver after bringing the polysilicon molding to pass through, thereby detecting the material defect in the polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコン成形体に超音波を照射し、ポリシリコン成形体が通過後に超音波受信機により超音波を記録し、これによりポリシリコン中の材料の欠陥を検出する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a.例文帳に追加

その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。 - 特許庁

During the simultaneous etching of the both gates in a semiconductor device wherein an N-type polysilicon gate and a P-type polysilicon gate are arranged, the area of undoped silicon gates which are dummy electrodes is arranged to be larger than the total area of the N-type and P-type doped polysilicon gates, so that the undoped polysilicon is dominant over the doped polysilicon during dry etching for the polysilicon gates.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコンゲートとＰ型ポリシリコンゲートが配置されたデバイスにおいて、両ゲートを同時にエッチングする場合に、ダミー電極であるノンドープポリシリコンゲートの面積をＮ型及びＰ型のドープポリシリコンゲートの全面積よりも多くするように配置して、ドープポリシリコンよりもノンドープのポリシリコンが支配的になるようにして、ポリシリコンゲートをドライエッチングするようにした。 - 特許庁

After a polysilicon film containing gettering impurities at a specified concentration is formed on the second face of the semiconductor substrate, the polysilicon film containing gettering impurities is oxidized by a specified thickness and the gettering impurities are aggregated densely in the remaining polysilicon film.例文帳に追加

次に、半導体基板の第２面に所定濃度のゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を形成した後、ゲッタリング用不純物を含むポリシリコン膜を所定の厚さだけ酸化させて、前記残留するポリシリコン膜の内部にゲッタリング用不純物を密集させる。 - 特許庁

The interrupting device comprises a polysilicon 20 including a line 30 extended on the surface of a semiconductor substrate 10, and silicides 22 formed at both ends of the polysilicon 20 continuously with the polysilicon 20.例文帳に追加

半導体基板１０の表面上に延伸された線路部３０を含むポリシリコン２０と、ポリシリコン２０の両端にポリシリコン２０に連続して形成されたシリサイド２２と、を備える遮断素子によって上記課題を解決することができる。 - 特許庁

The polysilicon seed enables a polysilicon source/drain contact, which has a structure capable of reducing its current density and path length to an irreducible minimum and giving other mechanical advantages, to grow epitaxially from the polysilicon seed.例文帳に追加

ポリシリコン・シードは、その中の電流密度およびパス長を最小に抑え他の機械的利点も与える構成を備えたポリシリコン・ソース／ドレイン・コンタクトをポリシリコン・シードからエピタキシャル成長することも可能にする。 - 特許庁

Thus, in the defusion step of impurities in polysilicon or thermal loading step, excessive defusion of the impurities in the second doped polysilicon film and the depletion of impurities in the polysilicon film due to impurity absorption by the metal silicide film can be prevented.例文帳に追加

これにより、ポリシリコン中の不純物の拡散工程やその後の熱負荷工程において、第２のドープドポリシリコン膜中の不純物の過度な拡散が抑制され、金属シリサイド膜が不純物を吸収することによるポリシリコン膜中の不純物の空乏化が防止される。 - 特許庁

Electrons injected from a conductive board into a porous polysilicon layer 6 quickly thermally oxidized as a strong electric field drift layer drift towards the surface in the porous polysilicon layer 6 and are emitted through a metallic thin film formed on the porous polysilicon layer 6.例文帳に追加

導電性基板から強電界ドリフト層たる急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子は、多孔質ポリシリコン層６内を表面に向かってドリフトし多孔質ポリシリコン層６上に形成された金属薄膜をトンネルして放出される。 - 特許庁