「Polysilicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR EVALUATING POLYSILICON, AND POLYSILICON INSPECTION DEVICE例文帳に追加

薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置 - 特許庁

Accordingly, the minimum polysilicon pitch is enlarged and the initial minimum polysilicon pitch is narrowed.例文帳に追加

したがって、最小ポリシリコンピッチが拡大され、初期最小ポリシリコンピッチを縮小できる。 - 特許庁

PLANARIZATION METHOD FOR POLYSILICON AND THIN FILM TRANSISTOR CONSISTING OF POLYSILICON OBTAINED FROM METHOD THEREOF例文帳に追加

ポリシリコンの平坦化方法およびその方法から得られるポリシリコンからなる薄膜トランジスタ - 特許庁

A polysilicon layer 38, a TEOS layer 40 and a polysilicon layer 42 are formed at the opening.例文帳に追加

開口３０には、ポリシリコン層３８、ＴＥＯＳ層４０、ポリシリコン層４２が設けられる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYSILICON, THIN FILM TRANSISTOR HAVING THE POLYSILICON, AND METHOD FOR FORMING THE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコンの形成方法、当該ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

The polysilicon film 17 is patterned to form gate electrodes 17' of polysilicon films 17.例文帳に追加

ポリシリコン膜１７をパターニングし、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’を形成する。 - 特許庁

POLYSILICON FILM SURFACE PROCESSING AGENT AND POLYSILICON FILM SURFACE PROCESSING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ポリシリコン膜の表面処理剤及びそれを用いたポリシリコン膜の表面処理方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING POLYSILICON-TO-POLYSILICON CAPACITOR BY SiGeBi CMOS INTEGRATION TECHNIQUE例文帳に追加

ＳｉＧｅＢｉＣＭＯＳ集積化技法によるポリシリコン−ポリシリコン間キャパシタの形成方法 - 特許庁

POLYSILICON FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子のポリシリコン膜形成方法 - 特許庁

NONDEFECTIVE POLYSILICON MOLDING AND METHOD FOR TESTING POLYSILICON MOLDING WITHOUT CONTAMINATION NOR DESTRUCTION例文帳に追加

ポリシリコン成形体の汚染および破壊のない試験法および欠陥のないポリシリコン成形体 - 特許庁

The thermopiles 37 and 38 comprise polysilicon and aluminum, and polysilicon is doped with phosphorus (P).例文帳に追加

サーモパイル３７、３８はポリシリコンとアルミニウムからなり、ボリシリコンには燐（Ｐ）がドープされる。 - 特許庁

After thus produced fine grain polysilicon film is doped with dopant and the doped fine grain polysilicon film is subject to heat-treatment, the polysilicon is patterned and a resistor pattern is formed.例文帳に追加

このような微粒子ポリシリコン膜にドーパントをドーピングして熱処理した後に、ポリシリコンをパターニングして抵抗パターンを形成する。 - 特許庁

The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22.例文帳に追加

ｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａは、ポリシリコンゲート電極１０とｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とを電気的に分離するための領域である。 - 特許庁

FORMATION OF MULTILAYERED DUAL POLYSILICON STRUCTURE例文帳に追加

多層デュアル・ポリシリコン構造を形成する方法 - 特許庁

CAPACITOR STRUCTURE IN LOW TEMPERATURE POLYSILICON DISPLAY例文帳に追加

低温ポリシリコンディスプレーにおけるキャパシター構造 - 特許庁

POLISHING MATERIAL FOR POLYSILICON AND POLISHING METHOD THEREOF例文帳に追加

ポリシリコン用研磨材およびその研磨方法 - 特許庁

PATTERNING METHOD FOR POLYSILICON LAYER AND LAYER STRUCTURE例文帳に追加

ポリシリコン層及び層構造のパターニング方法 - 特許庁

POLYSILICON FUSE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ及びポリシリコンヒューズの製造方法 - 特許庁

Next, polysilicon electrodes 23b are formed by embedding polysilicon between the sidewalls 24a, and the polysilicon film 21 is patterned by removing the sidewalls 24a and etching back the polysilicon film 21 and the polysilicon electrodes 23a, 23b.例文帳に追加

次いで、サイドウォール２４ａの間にポリシリコンを埋め込むことによってポリシリコン電極２３ｂを形成し、サイドウォール２４ａを除去して、ポリシリコン膜２１およびポリシリコン電極２３ａ，２３ｂをエッチバックすることでポリシリコン膜２１をパターンニングする。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON FILM例文帳に追加

低温ポリシリコン膜の形成装置及び方法 - 特許庁

The gate electrode wiring 11 is superposed on the polysilicon semiconductor layer 21 and the dummy polysilicon semiconductor layer 25.例文帳に追加

ゲート電極配線11をポリシリコン半導体層21およびダミーポリシリコン半導体層25に重ねる。 - 特許庁

USING OF INDIUM FOR FIXING WORK FUNCTION OF P-TYPE DOPED POLYSILICON OR POLYSILICON GERMANIUM例文帳に追加

ｐ型ドープされたポリシリコン又はポリシリコン・ゲルマニウムの仕事関数を定めるためのインジウムの使用 - 特許庁

LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ - 特許庁

A polysilicon film 22 is formed on a semiconductor substrate 20, and photoresist is applied on the polysilicon film 22.例文帳に追加

半導体基板２０にポリシリコン膜２２を形成し、ポリシリコン膜２２上にフォトレジストを塗布する。 - 特許庁

METHOD OF CONTROLLING PARTICLE SIZE IN POLYSILICON LAYER AND IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POLYSILICON STRUCTURE例文帳に追加

ポリシリコン層およびポリシリコン構造を有する半導体デバイスにおける粒度を制御する方法 - 特許庁

A pn junction forms a diode between the polysilicon gate 13 and the diode polysilicon 15.例文帳に追加

ポリシリコンゲート１３とダイオード用ポリシリコン１５のＰＮ接合によってダイオードが形成されている。 - 特許庁

Since the polysilicon is p-type polysilicon having high infrared absorptance, the light-receiving sensitivity is heightened.例文帳に追加

ポリシリコンは赤外線吸収率の高いｐ型ポリシリコンであるため、受光感度が高くなる。 - 特許庁

The second oxide film is removed and, with the second polysilicon film and the buffer oxide film as a mask, the first polysilicon film is etched to remove the second polysilicon film.例文帳に追加

第２酸化膜を除去し、第２ポリシリコン膜とバッファ酸化膜をマスクとして第１ポリシリコン膜をエッチングし、第２ポリシリコン膜を除去する。 - 特許庁

The work functions of the n-type polysilicon layer 4 and the p-type polysilicon layer 5 are made different from each other.例文帳に追加

Ｎ型ポリシリコン層４及びＰ型ポリシリコン層５の仕事関数は相互に異なっている。 - 特許庁

The second polysilicon layer 14b is provided on the first polysilicon layer 14a and has the second conductivity type.例文帳に追加

第２ポリシリコン層１４ｂは、第１ポリシリコン層１４ａ上に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁

After that, a polysilicon film 33 is formed so as to cover the polysilicon films 23 and 31, and the polysilicon films are patterned to form a gate electrode.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜２３及び３１を覆うようにポリシリコン膜３３を形成し、これらのポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Then, after polysilicon film is oxidized with heat for forming a polysilicon oxide film 5, the polysilicon oxide film 5 is etched for forming contact holes 8a and 8b.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜を熱酸化してポリシリコン酸化膜５を形成後、ポリシリコン酸化膜５をエッチングしてコンタクトホール８ａ，８ｂを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING SURFACE-LAYER IMPURITY OF POLYSILICON, AND SAMPLE-TREATING CONTAINER FOR ETCHING POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの表層部不純物の分析方法およびポリシリコンをエッチングするための試料処理容器 - 特許庁

low-temperature polysilicon TFT reflective color LCD 例文帳に追加

低温ポリシリコンTFT反射型カラー液晶ディスプレイ - コンピューター用語辞典

METHOD OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT DEVICE例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ装置の製造方法 - 特許庁

POLYSILICON LAYER REMOVING METHOD AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

ポリシリコン膜の除去方法および記憶媒体 - 特許庁

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, a polysilicon film.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜である。 - 特許庁

The cap 10 is formed of polysilicon, and formed by forming a doped polysilicon layer on the silicon substrate 2 and forming separator grooves 12, 14 at the doped polysilicon layer to divide the doped polysilicon layer.例文帳に追加

そして、キャップ１０は、ポリシリコンからなり、シリコン基板２上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝１２，１４を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。 - 特許庁

A polysilicon film is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

After an impurity is ion implanted to the polysilicon, the polysilicon is heat treated, and a nitride film capacitor 5 and a second polysilicon resistor 10b are formed by the selective etching.例文帳に追加

そして、ポリシリコンに不純物をイオン注入後、熱処理を行い、選択的エッチングにより窒化膜キャパシタ５、第２のポリシリコン抵抗１０ｂを形成する。 - 特許庁

The upper part of polysilicon filled in the via is doped for the formation of a second terminal 36 of the semiconductor device, the polysilicon is annealed into a single-grain polysilicon.例文帳に追加

ビア内のポリシリコンの上側部分にドープし、半導体素子の第２端子（３６）を形成し、ポリシリコンをアニールして、これを単粒子ポリシリコンに変換する。 - 特許庁

The method also comprises a step of forming a doped polysilicon germanium film 6b as a film having a higher activation ratio of the impurity than that of the polysilicon on the doped polysilicon film 3b.例文帳に追加

次に、ポリシリコンよりも不純物の活性化率が高い膜として、ドープトポリシリコン−ゲルマニウム膜６ｂをドープトポリシリコン膜３ｂ上に形成する。 - 特許庁

To suppress variations in the resistance value of high-resistance polysilicon by preventing plasma damages to the polysilicon, when a contact is established with te polysilicon.例文帳に追加

高抵抗のポリシリコンとコンタクトを取る際に、ポリシリコンへのプラズマダメージを防止するようにし、もって、そのポリシリコンの抵抗値のばらつきを抑えること。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REFORMING POLYSILICON LAYER, METHOD OF MANUFACTURING POLYSILICON SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING POLYSILICON TYPE THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ポリシリコン層の改質方法、ポリシリコン太陽電池の製造方法及びポリシリコン型薄膜トランジスタの製造方法並びにポリシリコン層の改質装置 - 特許庁