「SIC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SiC WAFER, SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION OF SiC WAFER例文帳に追加

ＳｉＣウエハ、ＳｉＣ半導体デバイス、および、ＳｉＣウエハの製造方法 - 特許庁

SiC SINTERED COMPACT, SiC PARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINTERED COMPACT例文帳に追加

ＳｉＣ焼結体、ＳｉＣ粒子及びＳｉＣ焼結体の製造方法 - 特許庁

Sic him, Fido! 例文帳に追加

ファイドー, やつにかかれ! - 研究社 新英和中辞典

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイス - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＳｉＣ半導体素子 - 特許庁

P-TYPE SIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ半導体 - 特許庁

ELECTRODE FOR P-TYPE SIC例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ用電極 - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置 - 特許庁

SIC WAFER BOAT例文帳に追加

ＳｉＣウエハボート - 特許庁

METHOD FOR REMOVAL OF SIC例文帳に追加

ＳｉＣの除去法 - 特許庁

SIC(SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT)例文帳に追加

半導体集積回路 - 特許庁

POROUS SiC HEATING ELEMENT例文帳に追加

多孔質ＳｉＣ発熱体 - 特許庁

APPARATUS FOR GROWING SiC例文帳に追加

ＳｉＣ成長装置 - 特許庁

To provide a SiC monocrystalline substrate manufacturing method which can reduce curvature occurring in the SiC monocrystalline substrate when the SiC monocrystalline substrate is manufactured by slicing a SiC monocrystalline ingot into substrates and polishing both surfaces of the sliced substrate.例文帳に追加

SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

ELECTRODE, SiC ELECTRODE, AND SiC DEVICE例文帳に追加

電極、ＳｉＣの電極及びＳｉＣデバイス - 特許庁

SiC SINGLE CRYSTAL, SiC WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶、ＳｉＣウェハ及び半導体デバイス - 特許庁

SiC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH SiC NANOWIRE例文帳に追加

ＳｉＣナノワイヤーにより強化されたＳｉＣ複合材料 - 特許庁

SiC SINGLE CRYSTAL AND SiC SEED CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶、並びにＳｉＣ種結晶 - 特許庁

METHOD FOR COATING SiC OR C FIBER WITH C OR SiC例文帳に追加

ＳｉＣ又はＣ繊維のＣ又はＳｉＣ被覆方法 - 特許庁

A hexagonal single crystal material comprises AlN, SiC, GaN or ZnO.例文帳に追加

六方晶系単結晶材料は、AlN、SiC、GaN又はZnOからなる。 - 特許庁

SiC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SUBSTRATE例文帳に追加

ＳｉＣ基板およびＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁

SiC SUBSTRATE, SiC SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＣ基板、ＳｉＣ半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SiC OR C FIBER/SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ又はＣ繊維／ＳｉＣ複合材料の製造方法 - 特許庁

The SiC single crystal is β-SiC.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶がβ−ＳｉＣである。 - 特許庁

SiC SUBSTRATE AND VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD OF SiC SUBSTRATE例文帳に追加

ＳｉＣ基板とＳｉＣ基板の気相成長方法 - 特許庁

Further the SiC substrate is composed of this SiC single crystal.例文帳に追加

さらに、このＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SiC FIBER-REINFORCED SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法 - 特許庁

PRODUCTION OF SiC REINFORCING FIBER FOR SiC-BASED COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ系複合材料用ＳｉＣ強化繊維の製造 - 特許庁

SiC-FIBER-COMPOSITED SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ繊維複合化ＳｉＣ複合材料 - 特許庁

The substrate contains ≥50 vol.% of SiC.例文帳に追加

基板は、SiCを50体積％以上含有する。 - 特許庁

SiC SEMICONDUCTOR AND METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SiC例文帳に追加

ＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法 - 特許庁

A polycrystalline SiC body 13 and SiC powder 14 are placed around the SiC substrate 11, and Ta plates 15 are placed under the substrate 11 and on inner walls of the crucible 12.例文帳に追加

SiC基板１１の周囲にはSiC多結晶体１３及びSiCパウダー１４を入れ、SiC基板１１の下及び黒鉛製坩堝１２の内壁にはTa板１５を設置する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR SiC SINGLE CRYSTAL, SiC SINGLE CRYSTAL WAFER AND SiC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の製造方法、ＳｉＣ単結晶ウエハ及びＳｉＣ半導体デバイス - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SiC AND METHOD OF PRODUCING THE SAME AND SiC SEMI CONDUCTOR DEVICE AND SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ及びその製造方法、ＳｉＣ半導体装置並びにＳｉＣ複合材料 - 特許庁

When producing an SiC single crystal, the SiC seed crystal is immersed in the SiC melt.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を製造するとき、ＳｉＣ種結晶は、ＳｉＣ溶液に浸漬する。 - 特許庁

SiC SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ＳｉＣショットキーダイオード - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT CONTAINING SiC例文帳に追加

ＳｉＣを含む半導体素子 - 特許庁

SiC EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャルウェハ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SiC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＳｉＣ半導体素子の製造方法 - 特許庁

SiC/Si COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料 - 特許庁

SiC SUBSTRATE FOR PROCESSING POLISHING PAD例文帳に追加

研磨パッド処理用ＳｉＣ基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SiC SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の形成方法 - 特許庁

To provide a crucible for the growth of a SiC single crystal for producing a high quality SiC single crystal wafer which is reduced in transfer defect and has a large diameter, with high reproducibility.例文帳に追加

転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。 - 特許庁