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VCGを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 10



例文

To provide a VCG (virtual concatenation group) having flexibility higher than the one of a conventional VCAT (virtual concatenation) technology.例文帳に追加

従来のVCAT(バーチャルコンカチネーション)技術よりも自由度の高いVCG(バーチャルコンカチネーション・グループ)を構築する。 - 特許庁

When erasing operation is performed, a voltage Vcg applied to a control gate 17 is reduced as time passes.例文帳に追加

消去動作時には、コントロールゲート17に印加する電圧Vcgが経時的に小さくなるようにする。 - 特許庁

After the control gate line is charged to Vcg, the high voltage applied to the well region is discharged.例文帳に追加

コントロールゲート線がVcgに充電された後に、ウェル領域に印加された高電圧を放電する。 - 特許庁

An Id-Vcg characteristic is found by actual measurement in a step s2, and an Id-Vfg characteristic is found by actual measurement in a step s4.例文帳に追加

ステップs2でId−Vcg特性を実測で求め、ステップs4でId−Vfg特性を実測で求める。 - 特許庁

例文

The correcting unit 320 calculates each change amount of the potential in adjacent signal lines based on the digital image signals Dap, Da, and outputs the correcting voltage signals Vcr, Vcg based on the change amount.例文帳に追加

この補正部320はデジタル画像信号Dap,Daに基づき隣接する映像信号線の電位変動量をそれぞれ算出し、これらの変動量に基づく補正電圧信号Vcr,Vcgを出力する。 - 特許庁


例文

A second electric field Eox 2 of the tunnel film 4 in the case that the potential difference Vcg 0 between the first gates is applied during the time of the second time T2 is calculated in such a manner that the electric field polarity of the tunnel film 4 turns to the first polarity.例文帳に追加

トンネル膜4の電界極性が第1の極性になるように、第2の時間T2の間、第1のゲート基板間電位差Vcg0を与えた場合におけるトンネル膜の第2の電界Eox2を算出する。 - 特許庁

After that, a high voltage is applied to a well region and after the data of a selection block are erased, the control gate line is charged to e.g. a voltage of 4V (Vcg) which is used in reading.例文帳に追加

その後、ウェル領域に高電圧を印加し選択ブロックのデータが消去された後、コントロールゲート線を例えば読み出し時に使用する4V電圧(Vcg)に充電する。 - 特許庁

Based on the found Id-Vcg characteristic and Id-Vfg characteristic, a value of capacity Cfc used in circuit simulation for the memory transistor is decided in a step s5.例文帳に追加

そして、ステップs5において、求めたId−Vcg特性及びId−Vfg特性に基づいて、メモリトランジスタの回路シミュレーションで使用する容量Cfcの値を決定する。 - 特許庁

In this system, the VCG band on the transmission path is mixedly constituted with a VC path of information hold bands different from Ho-VC such as VC-4 (139.264 Mbps) and VC-3 (44.736 Mbps) and Lo-VC such as VC-12 (2.048 Mbps) and VC-11 (1.544 Mbps).例文帳に追加

このシステムにおいて、伝送路上のVCGの帯域を、VC−4(139.264Mbps)やVC−3(44.736Mbps)などのHo−VCと、VC−12(2.048Mbps)やVC−11(1.544Mbps)などのLo−VCと異なる情報収容帯域のVCパスを混在して構成する。 - 特許庁

例文

In the method for evaluating the reliability of a nonvolatile semiconductor storage device, a first electric field Eox 1 of a tunnel film 4 in the case that a potential difference Vcg 0 between first gate substrates is applied during the time of the first time T1 is calculated in such a manner that the electric field polarity of the tunnel film 4 turns to a first polarity.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の信頼性評価方法は、トンネル膜4の電界極性が第1の極性になるように、第1の時間T1の間、第1のゲート基板間電位差Vcg0を与えた場合におけるトンネル膜4の第1の電界Eox1を算出する。 - 特許庁

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