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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > VTPに関連した英語例文

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VTPを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 19



例文

And gate voltage of the (p)channel transistor 2 is set to threshold voltage Vtp at which the (p)channel transistor 2 becomes an off-state in the vicinity of a boundary state of an on-state and an off-state utilizing the threshold voltage Vtp of the (p) channel transistor 2.例文帳に追加

そして、pチャネルトランジスタ2のゲート電圧は、pチャネルトランジスタ2のしきい値電圧Vtpを利用して、pチャネルトランジスタ2がオン状態とオフ状態との境界状態の近傍のオフ状態となるしきい値電圧Vtpに設定される。 - 特許庁

When accessing the same row, the voltage level of word lines WLA and WLB are set to a power supply voltage VDD-Vtp.例文帳に追加

同一行アクセスの場合には、ワード線WLAおよびWLBの電圧レベルは、電源電圧VDD−Vtpに設定される。 - 特許庁

By a synergistic effect of them, gate potential Vg of a TFT 214 for drive becomes higher than threshold Vtp to its source potential.例文帳に追加

これらの相乗効果により、駆動用TFT214のゲート電位Vgが、そのソース電位に対して、当該TFTの閾値Vtp以上に高くなる。 - 特許庁

Selection voltage VSBNW is generated on the basis of a difference between high voltage out of a transmission signal on the bus line 4 and target threshold voltage |VTP|.例文帳に追加

バスライン4における伝送信号のうち高い電圧と目標閾値電圧|VTP|との差に基づいて選択電圧VSBNWを生成する。 - 特許庁

例文

In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTPp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1.例文帳に追加

ここで、VTPは、PチャンネルMOSトランジスタ1の閾値電圧、αpは、PチャンネルMOSトランジスタ1の動作電圧、βpはPチャンネルMOSトランジスタ1のゲートGp・ソースSp間にバイアス電圧(VTP+αp)が印加されているときにドレン電流Idpが飽和するのに必要なドレン電圧である。 - 特許庁


例文

The bias voltages (VN and VP) are produced so that the influence of the fluctuation of the threshold voltages (VTN and VTP) of the output transistors (NQ0 and PQ0) affects the output current is reduced.例文帳に追加

バイアス電圧(VN,VP)を、出力トランジスタ(NQ0,PQ0)のしきい値電圧(VTN,VTP)の変動が出力電流に及ぼす影響を低減するように生成する。 - 特許庁

This method for discriminating short circuit of AC pulsed arc welding is designed to set the reference value Vt at a larger value Vtp only in the energizing period Tp of the peak current than in other periods Ten, Tb.例文帳に追加

本発明は、上記の基準値Vtを、上記のピーク電流の通電期間Tpのみ他の期間Ten、Tbよりも大きな値Vtpに設定する交流パルスアーク溶接の短絡判別方法である。 - 特許庁

To put it concretely, the bias voltages are produced so that threshold voltage components (2xVTN and 2x|VTP|) are included to cancel a threshold voltage component included in a driving current amount of the output transistors.例文帳に追加

具体的に、バイアス電圧を、出力トランジスタの駆動電流量に含まれるしきい値電圧成分を相殺するように、しきい値電圧成分(2・VTN,2・|VTP|)を含むように生成する。 - 特許庁

In this delay circuit, at the time of defining the threshold voltage of p-ch transistors TR3 and TR4 as Vtp, a voltage VGS between the gate and source of transistors TR9-TR12 becomes 2Vtp when a power supply voltage is high.例文帳に追加

p−chトランジスタTr3及びTr4の閾値電圧をVtpとすると、トランジスタTr9〜Tr12のゲート・ソース間電圧VGSは電源電圧が高いときは2Vtpとなる。 - 特許庁

例文

Upon detecting the fact that the pulse output frequency of a control signal VTP has exceeded a predetermined threshold which is set in the high zone of a target value, an energization stopping unit 57 stops energization of the motor.例文帳に追加

通電停止部57は、制御信号VTPのパルス出力周波数が目標値の高域側に設定される所定の閾値を超えたことを検出するとモータへの通電を停止する。 - 特許庁

例文

A PMOS (P-type Metal Oxide Semiconductor) 11 having an absolute value Vtp of its threshold voltage equal to a minimum operating supply voltage has its gate connected to a ground terminal, its source connected to a power supply terminal, and its drain connected to the source of a PMOS 12.例文帳に追加

最低動作電源電圧と等しい閾値電圧の絶対値Vtpを有するPMOS11は、ゲートを接地端子に接続され、ソースを電源端子に接続され、ドレインをPMOS12のソースに接続される。 - 特許庁

The threshold voltages Vtp, Vtm are set in prescribed time within the range of 10 to 50 times as large as a period of a self-exciting oscillation frequency in a pulse width modulation signal when the level of an analog acoustic signal input to the amplifier is zero.例文帳に追加

閾値電圧Vtp,Vtmは、増幅器に入力されたアナログ音響信号のレベルがゼロのときの前記パルス幅変調信号の自励発振周波数の周期の10倍〜50倍の範囲内の所定時間に設定される。 - 特許庁

A decision means 61 decides causative voltage Vx causing the inflow current Ii, and a calculation means 61 calculates load resistance of the applying means 62 by using the transfer voltage Vtp, the transfer current Itp and the causative voltage Vx.例文帳に追加

決定手段61は、流入電流Iiを引き起こす起因電圧Vxを決定し、算出手段61は、転写電圧Vtp、転写電流Itp、および起因電圧Vxを用いて、印加手段62の負荷抵抗を算出する。 - 特許庁

Specifically, the rotation amount and size change amount of the image object OBJ5 are respectively calculated according to the circumferential direction component Vθ and radial direction component Vr of the operation vector Vtp with respect to the center point 308 of the image object OBJ5.例文帳に追加

より具体的には、画像オブジェクトOBJ5の中心点308に対する操作ベクトルVtpの周方向成分Vθおよび径方向成分Vrに応じて、画像オブジェクトOBJ5の回転量およびサイズ変更量がそれぞれ算出される。 - 特許庁

A frequency detection unit 56 consists of a counter 61 which counts the output intervals of pulse edge of the control signal VTP, and the energization stopping unit 57 includes a comparator 68 which compares the count value VTP_data of the counter 61 with a data value corresponding to a threshold.例文帳に追加

この場合、周波数検出部56を制御信号VTPのパルスエッジの出力間隔をカウントするカウンタ61で構成し、通電停止部57を、カウンタ61のカウント値VTP_dataと閾値に相当するデータ値とを比較するコンパレータ68を備えて構成する。 - 特許庁

A bias power supply 5 as a gate bias generating means is connected between the source Sp and the gate Gp of a P channel MOS transistor 1 of a CMOS type circuit through a bias resistor Rb, and the bias power supply 5 at this time is a direct current voltage source of (VTPp(≥βp))≤power supply voltage VDD.例文帳に追加

CMOS型回路のPチャンネルMOSトランジスタ1のソースSp・ゲートGp間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源5をバイアス抵抗Rbを介して接続し、このときのバイアス電源5を、(VTP+αp(≧βp))≦電源電圧VDDの直流電圧源とした。 - 特許庁

A control means 61 is configured to perform a constant current control of a transfer current (It) with the forward transfer bias Vtp, and also, configured to, based on the positional information Sr about the recording medium, control the second application means 63 to apply the reverse transfer bias Vtn to the transfer means 30 before the leading end of the recording medium reaches the transfer position.例文帳に追加

制御手段61は、順転写バイアスVtpによる転写電流Itを定電流制御し、被記録媒体の位置情報Srに基づいて、被記録媒体の先端が転写位置に到達する前から、第2印加手段63によって逆転写バイアスVtnを転写手段30に印加させる。 - 特許庁

The circuit 15 supplies the bias voltage VB by means of a current mirror circuit which uses a transistor M11 of the same p-channel type as that of the transistor M7 as a constant-current source and, at the same time, is set to have such a characteristic that the temperature characteristic of the bias voltage VB compensates the temperature characteristic of the threshold voltage VTP of the transistor M7.例文帳に追加

バイアス回路15は、トランジスタM7と同じpチャネル型のトランジスタM11を定電流源とするカレントミラ−回路によってバイアス電圧VBを供給するとともに、バイアス電圧VBの温度特性がトランジスタM7のしきい値電圧VTPの温度特性を補償する特性に設定されている。 - 特許庁

例文

Accordingly, when the same row is accessed from both ports PA and PB, the voltage levels of the word lines WLA and WLB are set to power supply voltage VDD-Vtp to suppress the driving current amount of a memory cell, whereby a reduction in a current ratio of a transistor is prevented.例文帳に追加

これにより、両方のポートPA,PBが同時に同一行をアクセスした場合にはワード線WLA,WLBの電圧レベルを電源電圧VDD−Vtpとすることにより、メモリセルの駆動電流量を抑制することによりトランジスタの電流比が小さくなるのを防止することができる。 - 特許庁




  
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