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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > aa1に関連した英語例文

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aa1を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 18



例文

The group representative terminal devices [Aa1], [Ba1] perform the related information synchronization processing to each other.例文帳に追加

さらに、グループ代表端末装置[Aa1]、[Ba1]は、互いに関連情報同期処理を行う。 - 特許庁

Terminal devices [Aa2], [Aa3] perform related information synchronization processing with the segment representative terminal device [Aa1].例文帳に追加

端末装置[Aa2]、[Aa3]は、セグメント代表端末装置[Aa1]と関連情報同期処理を行う。 - 特許庁

The segment representative terminal device [Aa1] performs the related information synchronization processing with the terminal devices [Aa2], [Aa3].例文帳に追加

セグメント代表端末装置[Aa1]は、端末装置[Aa2]及び[Aa3]と関連情報同期処理を行う。 - 特許庁

The crossconnection control parts A1 and A2 of two devices AA1 and AA2 forming a double constitution device are connected through three sets of crossconnection buses K1 to K3.例文帳に追加

二重化構成装置をなす2つの装置AA_1 ,AA_2 の交絡制御部A__1 ,A_2 間を3組の交絡バスK_1 ,K_2 ,K_3 で接続する。 - 特許庁

例文

The group representative terminal device [Aa1] performs the related information synchronization processing with the segment representative terminal devices [Ab1], [Ac2].例文帳に追加

一方、グループ代表端末装置[Aa1]は、セグメント代表端末装置[Ab1]及び[Ac2]と関連情報同期処理を行う。 - 特許庁


例文

A semiconductor memory includes a periodic structure in which active areas AA1, AA2, ..., and element isolation areas are alternately arranged in a first direction.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体メモリは、アクティブエリアAA1,AA2,・・・と素子分離エリアとが第1方向に交互に配置される周期構造を備える。 - 特許庁

This AA'1 terminal is conducted to the AA1 terminal of the back face, and connected to the IO terminal #2 of the CPU21 by wiring on the board.例文帳に追加

このAA’1端子が裏面のAA1端子に導通し、AA1端子が基板上の配線によってCPU21のIO端子#2に接続される。 - 特許庁

Segment representative terminal devices [Ab1], [Ac2] of segments Ab, Ac of a group A perform the related information synchronization processing with the group representative terminal device [Aa1].例文帳に追加

グループAのセグメントAb、Acのセグメント代表端末装置[Ab1]、[Ac2]は、グループ代表端末装置[Aa1]と関連情報同期処理を行う。 - 特許庁

A touch panel sensor 30 includes a base material film 32, a first transparent conductor 40 provided in an active area Aa1, and a first alignment mark 81 provided in an inactive area Aa2.例文帳に追加

タッチパネルセンサ30は、基材フィルム32と、アクティブエリアAa1に設けられた第1透明導電体40と、非アクティブエリアAa2に設けられた第1アライメントマーク81と、を備えている。 - 特許庁

例文

The basic cell AA1 of the semiconductor integrated circuit includes a diffusing region 1, a gate poly 2, a contact 3, and a layer of the first layer wiring 4; and is used for IC/LSI of the master slice system.例文帳に追加

半導体集積回路の基本セルAA1は、拡散領域1、ゲートポリ2、コンタクト3、及び1層目配線4のレイヤを含み、マスタースライス方式のIC/LSIに用いられる。 - 特許庁

例文

For example, word lines GC0, GC1 are formed to be embedded in the surface of a semiconductor substrate 10 corresponding to areas between active regions AA0, AA1, AA2 with a nitride film for charge storage provided therebetween.例文帳に追加

例えば、アクティブ領域AA0,AA1,AA2の相互間に対応する半導体基板10の表面部に、電荷蓄積用の窒化膜を介して、ワード線GC0,GC1を埋め込み形成する。 - 特許庁

The covering body is formed into a U-shape at its cross section with an elastic material such as a synthetic resin, and is formed with a heat-insulating layer in the inside surface to provide a heat-insulating material for pressure contacting with surfaces Aa1 and Aa2 of the precast product.例文帳に追加

該被覆体は合成樹脂等の弾性素材で断面コ字状に形成され、その内側面に断熱層を形成して該プレキャスト製品の表面Aa1,Aa2に圧接する断熱材が設けられる。 - 特許庁

A thickness of the first index matching layer 70 in an area corresponding to the first alignment mark 81 provided in the inactive area Aa2 is different from a thickness of the first index matching layer 70 in the active area Aa1.例文帳に追加

ここで、非アクティブエリアAa2内に設けられた第1アライメントマーク81に対応する領域における第1インデックスマッチング層70の厚みは、アクティブエリアAa1における第1インデックスマッチング層70の厚みと異なっている。 - 特許庁

When a terminal device [Aa3] of a segment Aa starts related information sharing operation, the terminal device [Aa3] transmits a segment representative terminal device call signal by a broadcast communication method to decide a segment representative terminal device [Aa1].例文帳に追加

セグメントAaの端末装置[Aa3]は関連情報共有動作を開始する時、セグメント代表端末装置呼出信号を同報通信方式で送信することによってセグメント代表端末装置[Aa1]を判定する。 - 特許庁

A plurality of first active regions AA1 having first widths are disposed in the first region, and a plurality of second and third active regions AA3, AA5 having second widths larger than the first widths are disposed in the second and third regions, respectively.例文帳に追加

第1の領域には、第1の幅を有する複数の第1のアクティブ領域AA1が設けられ、第2及び第3の領域にはそれぞれ、第1の幅より広い第2の幅を有する複数の第2及び第3のアクティブ領域AA3,AA5が設けられる。 - 特許庁

Diffusion layer regions 14a, 14b, 14c, 14d, 14e to be later formed as a source or a drain are located in a zigzag form at respective sites of the active regions AA0, AA1, AA2 respectively intersecting with bit lines BL0, BL1, BL2 so that channel currents flow in directions oblique to the word lines GC0, GC1.例文帳に追加

また、ワード線GC0,GC1に対し、それぞれ斜め方向にチャネル電流が流れるように、ビット線BL0,BL1,BL2とそれぞれ交差するアクティブ領域AA0,AA1,AA2の各部位に、千鳥状に、ソースまたはドレインとなる拡散層領域14a,14b,14c,14d,14eを配置する構成となっている。 - 特許庁

On the basis of information defining, on the tracks, a plurality of recording areas Aa1 to Aa4 where the recording marks can be recorded and a plurality of pre-pit playback areas Ab1 to Ab4 where the recording marks cannot be formed, the recording control unit controls the optical pickup to form the recording mark on at least a part of the recording area.例文帳に追加

記録制御部は、トラック上において、記録マークを形成できる複数の記録領域Aa1〜Aa4、および記録マークを形成できない複数のプリピット再生領域Ab1〜Ab4を規定する情報に基づいて、記録領域の少なくとも一部に記録マークを形成するよう光ピックアップを制御する。 - 特許庁

例文

The aging device includes a semiconductor substrate 11, first and second diffusion layers 11A, 11B formed in a first element region AA1, a floating gate 14 formed on a channel region between the first and second diffusion layers 11A, 11B, and control gate electrodes 16 formed to be arranged at intervals of a constant spacing horizontally relative to the floating gate 14.例文帳に追加

本発明の例に係わるエージングデバイスは、半導体基板11と、第1素子領域AA1内に形成される第1及び第2拡散層11A,11Bと、第1及び第2拡散層11A,11B間のチャネル領域上に形成されるフローティングゲート14と、フローティングゲート14に対して横方向に一定間隔をおいて並んで形成されるコントロールゲート電極16とを備える。 - 特許庁




  
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