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acetone solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 54件
This water-swelling friction reducing composition is obtained by adding 145 pts toluene and 145 pts methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent into 346 pts vinyl acetate resin elastomer solution of a 50% concentration dissolved in acetone, and, while stirring it by a dissolver, by adding 177 pts carboxymethyl cellulose calcium (CMC-Ca), 172 pts bentonite, 5 pts rust preventive and 10 pts particulate silica, and stirring it sufficiently.例文帳に追加
アセトンに溶解した50%濃度の酢酸ビニル樹脂エラストマー溶液346部に溶剤としてトルエン145部、メチル・エチルケトン(MEK)を145部加え、ディゾルバーで撹拌しながらカルボキシメチルセルロースカルシウム(CMC−Ca)177部、ベントナイト172部、防錆剤5部と微粒子シリカ10部を加え、十分に撹拌して水膨潤性摩擦低減組成物を得た。 - 特許庁
To provide a method for cleaning a vaporization and supply device and a semiconductor manufacturing device capable of easily removing raw materials and reaction residues left in the vaporization and supply device and the semiconductor manufacturing device in a short time without using any expensive cleaning solution in completing a copper film forming process through CVD using a hexafluoroacetyl acetone copper complex as a raw liquid material.例文帳に追加
ヘキサフルオロアセチルアセトン銅錯体を液体原料として用いたCVDによる銅の成膜プロセスの終了時において、気化供給装置、半導体製造装置に残留した原料及び反応残留物を、高価な洗浄液を使用することなく、短時間で容易に除去することが可能な気化供給装置及び半導体製造装置の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
This is the coating solution for forming the transparent electroconductive layer on a transparent substrate wherein a solvent and noble metal fine particles having the average particle diameter 1 to 100 nm dispersed in this solvent, and the solvent contains 25 to 70 wt.% of low boiling point solvent(s) (for example, acetone) having the vapor pressure of 26.66 to 53.33 kPa at 25°C.例文帳に追加
溶媒およびこの溶媒に分散された平均粒径1〜100nmの貴金属微粒子を主成分とし、透明基板上に透明導電層を形成するための透明導電層形成用塗液であって、上記溶媒が、25℃での蒸気圧が26.66〜53.33kPaである低沸点溶媒(例えばアセトン)を25〜70重量%含むことを特徴とする。 - 特許庁
A solution for forming a nickel oxide film 3 containing nickel nitrate as a nickel source, and also containing water, methanol, ethanol or acetone as a single crystal formable solvent capable of forming the single crystals 2 of nickel oxide, and diketones or ketoesters is contacted with a base material 1 heated to a temperature equal to or higher than a nickel oxide film forming temperature, thus a nickel oxide film is formed on the base material.例文帳に追加
ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶2を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜3形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材1に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 - 特許庁
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