「capacitance reduction」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The actuating power of the information processor can be limited depending on the charging/discharging cycle frequency in consideration of the cycle characteristics of the secondary battery to suppress not only a reduction in discharging capacitance due to a vicious cycle of a current increase and a voltage drop but also a resultant increase in the charging/discharging cycle frequency, so that the acceleration of deterioration of the battery can be prevented.例文帳に追加

これにより、二次電池が有するサイクル特性を考慮し、放充電サイクル回数に応じて、情報処理装置の動作電力を制限することで、電流の増大と電圧低下の悪循環による放電容量の減少を抑え、結果的に放充電サイクル数の増加も抑えることで、電池の劣化加速を防止することが出来る。 - 特許庁

The horizontal sections of the components of the variable capacitance microphone are formed in an elliptical or a running track shape while the area of a diaphragm responding to source pressure is maintained to be equal to or larger than a certain size, thus preventing a reduction in sensitivity to sound pressure as well as occupying the minimum internal space of each of various electronic products that trend toward miniaturization and thinness.例文帳に追加

音圧に反応する振動板の面積を一定寸法以上とし、可変容量マイクロフォンの各構成要素の水平断面を楕円形や陸上競技場トラック形状に変形して、小型化、薄型化となっている各種の電子製品の内部空間を最小限に占めつつ、音圧に対する感度を低下させないようにする。 - 特許庁

To suppress an off-state current and also to eliminate reduction in on current, to form lightly doped regions (LDD regions) and a gate electrode in a self-alignment manner to lessen the parasitic capacitance between the LDD regions and the gate electrode and to make it possible to lessen the area occupied by a thin film transistor.例文帳に追加

ＯＦＦ電流を抑えるとともにＯＮ電流の減少がなく、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）とゲート電極を自己整合的に形成して寄生容量を小さくし、占有面積を小さくすることができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたＣ−ＭＯＳインバータ回路、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed.例文帳に追加

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to suppress the amount of protons generated by a charge/discharge from the hydroxyl group or the carboxyl group present on the surface of the active material, as well as protons generated by electrolysis of moisture content in a nonaqueous electrolyte can be captured by the amino group, thus allowing to effectively suppress reduction in electrostatic capacitance and increase in internal resistance after repeated charges/discharges.例文帳に追加

このため、充放電により活物質の表面の水酸基やカルボキシル基から発生するプロトンの量を抑制することができ、非水電解液中に含まれている水分が電気分解することにより発生するプロトンもアミノ基によって捕捉することができるので、充放電を繰返した後の静電容量の低下及び内部抵抗の上昇を効果的に抑制できる。 - 特許庁