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「deep structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > deep structuresの意味・解説 > deep structuresに関連した英語例文

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deep structuresの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5



例文

The depth of the grooves of the corrugated structures 16 are 0.04 to 0.12, preferably 0.06 to 0.1 as deep as a wavelength.例文帳に追加

このコルゲート構造16の溝の深さは0.04〜0.12波長、好ましくは0.06〜0.1波長である。 - 特許庁

Because deep copy copies everything it may copy too much,e.g., administrative data structures that should be shared evenbetween copies. 例文帳に追加

深いコピーでは、何もかも をコピーするため、例えば複数のコピー間で共有されるべき管理データ構造までも、余分にコピーしてしまいます。 - Python

This inner wear is so designed that projecting parts 6 and recessed parts each having different knit structures are alternately knitted inside the inner wear and each of the recessed parts is alternately knitted into deep recessed parts 7 and shallow recessed parts 8.例文帳に追加

インナーウェアの内面部に編み組織の異なる凸部6と凹部が互い違いに編成されており、各凹部は交互に深い凹部7と浅い凹部8に編成されている構成とする。 - 特許庁

To provide a structural color-developing body which develops a color by the physical action of light with fine structures, can profitably develop the deep and brilliant color, and has excellent durability, to provide a method for producing the same, and to provide an article using the structural color-developing body.例文帳に追加

光と微細構造との物理作用によって発現する構造性発色体において、工業的に安価に濃鮮色を発現させることができ、しかも耐久性の優れた構造性発色物体とその製造方法、さらにこのような構造性発色物体を用いて成る物品を提供する。 - 特許庁

例文

The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加

集積回路装置は、第1導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも1つのトレンチの内部に少なくとも1つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも1つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第2導電型の少なくとも1つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁





  
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