「drift type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DRIFT FLUID TYPE SNOW MELTING DRAINING DEVICE例文帳に追加

編流体型消流雪装置 - 特許庁

IH TYPE DRIFT TUBE LINEAR ACCELERATOR例文帳に追加

ＩＨ型ドリフトチューブ線形加速器 - 特許庁

H-MODE TYPE DRIFT TUBE LINEAR ACCELERATOR例文帳に追加

Ｈモード型ドリフトチューブ線形加速器 - 特許庁

DRIFT TYPE SEA ICE COOLING FACILITATION DEVICE例文帳に追加

漂流式海氷冷却促進装置 - 特許庁

Using an absolute timer is useful for preventing timer drift problems of the type described in nanosleep (2). 例文帳に追加

絶対値指定のタイマを使うのは、nanosleep (2) - JM

To provide a bimorph type vibration gyroscope stable in a temperature drift and a long term drift.例文帳に追加

温度ドリフトや長期ドリフトの安定なバイモルフ型の振動ジャイロを提供する。 - 特許庁

A P-type anode layer 2 is provided above an N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型アノード層２が設けられている。 - 特許庁

CLOSE TYPE ELECTRON DRIFT PLASMA THRUSTER ADAPTED TO PYROGENETIC LOAD例文帳に追加

高熱負荷に適応する閉鎖型電子ドリフトプラズマスラスタ - 特許庁

A silicon substrate 11 forms an N- type drift region.例文帳に追加

シリコン基板１１はＮ^- 型のドリフト領域を形成する。 - 特許庁

The n-type region where the p-type anode region 3 is not formed is an n-type drift region 2.例文帳に追加

このｐアノード領域３が形成されないｎ領域がｎドリフト領域２である。 - 特許庁

To realize a power-MOSFET using n-type drift layers and p-type drift layers and capable of reducing the ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減化を図れる、ｎ型ドリフト層とｐ型ドリフト層を用いたパワーＭＯＳＦＥＴを実現すること。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

In this way, the low-density N type embedded drift layer 5 extending from the N+ type drift layer 11 to the bottom of the P type body layer 3 is ensured.例文帳に追加

これによりＮ＋型ドリフト層１１からＰ型ボディ層３底部まで延在する低濃度のＮ型埋め込みドリフト層５を確保する。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

H-MODE TYPE DRIFT TUBE LINEAR ACCELERATOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｈモード型ドリフトチューブ線形加速器及びその製造方法 - 特許庁

The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ型バッファ層６は、Ｎ^−型ドリフト層１よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

The n-type drift electric path region 38a is the conductive-type non-inversion region.例文帳に追加

ｎ型のドリフト電路領域３８ａはその導電型非反転領域となっている。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided on a surface layer of an n^-type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

An anode electrode 5 is formed on the o-type anode region 3 and on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｐアノード領域３上とｎドリフト層２上にアノード電極５を形成する。 - 特許庁

An N- type drift layer 21 is formed in the surface of the N-- type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。 - 特許庁

In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

An N- type first high resistance drift layer 22 is arranged on one face of a silicon substrate 21 as an N+ type drain area, and an N- type second high resistance drift layer 23 is arranged on the first high resistance drift layer 22.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン領域としてのシリコン基板２１の一主面上にＮ型第１高抵抗ドリフト層２２が配置され、第１高抵抗ドリフト層２２上にＮ−型第２高抵抗ドリフト層２３が配置されている。 - 特許庁

An n-type drift region 101 is formed on a surface part of a p-type silicon substrate 100.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ドリフト領域１０１が形成されている。 - 特許庁

A p type base region 2 is selectively provided on a surface of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面に、ｐ型のベース領域２が選択的に設けられている。 - 特許庁

A p-type collector region 103 is formed on a surface part of the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１０１の表面部にｐ型コレクタ領域１０３が形成されている。 - 特許庁

The concentration of the drift layer 102 is increased while breakdown strength is ensured by the p-type layer 112 to reduce drift resistance.例文帳に追加

Ｐ型層１１２により耐圧を確保しながらもドリフト層１０２の濃度を高めてドリフト抵抗を低減する。 - 特許庁

An n-type drift region 112 is formed between the n++-type drain region 104 and the p+-type well region 105.例文帳に追加

ｎ^++形ドレイン領域１０４とｐ^+形ウェル領域１０５との間にはｎ形ドリフト領域１１２が形成される。 - 特許庁

This is a semiconductor substrate where n-type drift region 2 which is set at desired dopant density is formed on a n+ type substrate 1 is formed, and a trench 10 is formed in the n-type drift region 2.例文帳に追加

ｎ^＋型基板１上に所望のドーパント濃度とされたｎ型ドリフト領域２が形成された半導体基板において、ｎ型ドリフト領域２にトレンチ１０を形成する。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

An n+-type drain layer 17 and a p-type reserve layer 19 are formed on the surface of the drift layer 13.例文帳に追加

ドリフト層１３の表面には、ｎ^+ 型のドレイン層１７とｐ型のリサーフ層１９とが形成される。 - 特許庁

To reduce background in a silicon drift type detector used in an energy dispersion type X-ray spectrometer.例文帳に追加

エネルギー分散型Ｘ線分光器に用いられるシリコンドリフト型検出器においてバックグランドを低減する。 - 特許庁

By increasing an (n) type impurity concentration in an n+ type drift region 21, an ON resistance is lowered.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域２１中のｎ型不純物濃度を高くすることにより、ＯＮ抵抗を下げている。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

A P-type body layer 6 is formed on a surface of an N-type drift layer 2, and an N+type source layer 7 is formed on a surface of the P-type body layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ドリフト層２の表面にＰ型ボディ層６を形成し、該Ｐ型ボディ層６の表面にＮ＋型ソース層７を形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an n^+-type source region 31, an n^+-type drain region 11, a p^--type body region 41 and an n^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

FABRICATION OF DRIFT TYPE SILICON RADIATION DETECTOR HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ＰＮ接合部分を有するドリフト型シリコン放射線検出器の製造方法 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

The high-field drift layer 6 constitutes a drift part, and the n-type silicon substrate 1 and an ohmic electrode (not illustrated) on the rear surface of the n-type silicon substrate 1 constitute a lower electrode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６がドリフト部を構成し、ｎ形シリコン基板１とｎ形シリコン基板１の裏面のオーミック電極（図示せず）とで下部電極を構成している。 - 特許庁

Current induction layers 7 having an n-type impurity concentration higher than that of the other area of the n-type drift layer 14 are formed in a part of the drift area 14.例文帳に追加

ドリフト領域１４の一部には、ｎ型ドリフト層１４のうちの他の領域よりもｎ型不純物の濃度の高い電流誘導層７が設けられている。 - 特許庁