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electron diffraction spotの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To provide a transmission electron microscope capable of generating a high precision diffraction pattern, by shielding light at central spot of the diffraction pattern.例文帳に追加
回折像の中心スポットを遮光して、高精度の回折像が得られる透過型電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁
To specify a main spot from an electron beam diffraction image precisely to determine the position of the main spot and then measure a distance between spots.例文帳に追加
電子線回折像から、メインスポットを正確に特定し、メインスポットの位置を正確に特定して、スポット間距離を計測する。 - 特許庁
When a diffraction spot image appears on the electron beam diffraction image, it is determined that it is a periodic structure to find an intended visual field.例文帳に追加
電子線回折象に、回折スポット像が出現したら、周期構造であると判定し、目的とする視野を見つけ出したことになる。 - 特許庁
A group in which pixels brighter than a brightness threshold are adjacent to each other is determined from the electron beam diffraction image to be a spot.例文帳に追加
電子線回折像から、明るさの閾値より明るい画素が隣接している集団をスポットであると判定する。 - 特許庁
At least one of the inward member 41, the outward member 43 and the rolling element 42 is made of the titanium material having the new phase 22 that a diffraction spot is present at a position deviating from that on a virtual line connecting together almost the centers of diffraction spots of adjacent parent phases on an electron diffraction pattern obtained by electron microscopy.例文帳に追加
そして、内方部材４１、外方部材４３及び転動体４２のうちの少なくとも１つが、電子顕微鏡法によって得られた電子回折図形上で、隣り合う母相の回折斑点の略中心を結ぶ仮想線上から逸れた位置に回折斑点が存在する新相２２を有するチタン材料から成っている。 - 特許庁
A portion where electrons reflected vertically from a sample 104 are formed is shielded by a shielding object 117, on a diffraction spot formed on a rear focal plane of an electron lens 111, and other reflected electron beams are detected by a detector 112, and its integration intensity is monitored by an input/output device 115, to thereby determine a foreign matter or a flaw.例文帳に追加
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 - 特許庁
An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加
ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁
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