| 例文 (11件) |
ferromagnetic transition metalの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
TRANSPARENT FERROMAGNETIC ALKALI CHALCOGENIDE COMPOUND FOR SOLID-SOLVING TRANSITION METAL OR RARE EARTH METAL, AND ADJUSTING METHOD OF ITS FERROMAGNETIC CHARACTERISTIC例文帳に追加
遷移金属又は希土類金属を固溶する透明強磁性アルカリ・カルコゲナイド化合物及びその強磁性特性の調整方法 - 特許庁
To evaluate an electric characteristic of a ferromagnetic substance or a transition metal oxide, under a condition near to an actual device, by promoting an electrochemical reaction on an electrode interface between the ferromagnetic substance or transition metal oxide and an electrode, as to a method of evaluating the electric characteristic in the electrode interface.例文帳に追加
電極界面の電気特性を評価する方法に関し、強誘電体或いは遷移金属酸化物と電極との界面に於ける電気化学反応を促進させ、強誘電体や遷移金属酸化物の電気的特性を実際のデバイスに近い状態で評価できるようにする。 - 特許庁
To provide a method of high-speed and high-sensitivity reading-out of magnetization information by using light transition using the quantum well level in thin metallic film of magnetic metal, noble metal, magnetic metal, semiconductor, ferromagnetic metal, etc., or the semiconductor quantum well level held between ferromagnetic metals.例文帳に追加
磁性金属、貴金属、磁性金属、半導体、強磁性金属等の金属薄膜中の量子井戸準位または強磁性体に挟まれた半導体量子井戸準位を使った光遷移を用い、磁化情報の高速高感度読み出し方法を提供する。 - 特許庁
This ferromagnetic ZnO-based compound comprising a ZnO-based compound and at least one of metal selected from transition metal elements of V, Cr, Fe, Co, Ni, Rh and Ru.例文帳に追加
ＺｎＯ系化合物に、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＲｈおよびＲｕの遷移金属元素よりなる群れから選ばられる少なくとも１種の金属が含有されている。 - 特許庁
A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。 - 特許庁
The magnetic recording medium is characterized in that a first magnetic layer constituted of a ferromagnetic metal alloy containing cobalt and a non-magnetic metal oxide and a second magnetic layer consisting of a rare earth-transition metal alloy are laminated in this order on at least one surface of a substrate.例文帳に追加
支持体の少なくとも一方の面に、コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性金属酸化物から構成された第一磁性層と希土類遷移金属合金からなる第二磁性層をこの順に積層したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁
This magnetoresistive effect element is constituted of at least a first magnetic layer, nonmagnetic layer, and second magnetic layer: the first magnetic layer is a ferromagnetic material having a low coercive force and parpendicular magnetic anisotropy, and the second magnetic layer is a ferromagnetic material having a high coercive force and parpendicular magnetic anisotropy and constituted of an amorphous alloy film made of rare-earth- transition metal having small saturation magnetism.例文帳に追加
少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層から構成され、第１の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第２の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第２の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類−遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。 - 特許庁
The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure.例文帳に追加
ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 - 特許庁
To provide a high-density magnetic recording medium having a nanoparticle layer of stable performance in which ferromagnetic nanoparticles ( with a diameter of 10 nm or under ) made of transition metal alloy or rare earth metal alloy etc., and not in contact with one another are fixed in a single layer on the entire surface of a substrate at the uniform an dense number of the particles per unit area.例文帳に追加
遷移金属合金あるいは希土類金属合金遷からなる強磁性合金ナノ粒子（直径１０ｎｍ以下）が基板全面に粒子同士が互いに接することなく、単位面積当たりの粒子数が均一かつ密に、単層で固定化されナノ粒子層の性能が安定した高密度磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁
The optical information recording medium provided with a composite type dielectric layer formed by laminating a high refractive index dielectric layer and the low refractive index dielectric layer has excellent productivity by using an Si oxide containing a ferromagnetic transition metal for the low refractive index dielectric layer.例文帳に追加
高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とが積層された複合型の誘電体層を備える光情報記録媒体であって、この低屈折率誘電体層に強磁性遷移金属を含有するＳｉ酸化物を用いることで、生産性に優れる光情報記録媒体を提供することができる。 - 特許庁
A magnetic element 190 comprises a magnetically responsive stack 192 shielded from magnetic flux and biased to a predetermined default magnetization by at least one lateral side shield 206 that includes a transition metal layer 208 disposed between first and second ferromagnetic layers 210 and 212.例文帳に追加
磁気素子１９０は、少なくとも１つの横側方シールド２０６によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体１９２を有し、少なくとも１つの横側方シールドは、第１および第２の強磁性層２１０、２１２の間に配置される遷移金属層２０８を有する。 - 特許庁
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