「gate memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GATE CONTROLLED DIODE MEMORY CELLS例文帳に追加

ゲート制御ダイオード・メモリ・セル - 特許庁

CROSSING-GATE TEMPORARY MEMORY ELEMENT例文帳に追加

交差ゲート型一時記憶素子 - 特許庁

GATE CHARGE STORAGE TYPE MEMORY CELL例文帳に追加

ゲート電荷蓄積形メモリセル - 特許庁

MODIFIABLE GATE STACK MEMORY ELEMENT例文帳に追加

修正可能なゲートスタックメモリ素子 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置のゲート構造 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD FOR FLOATING-GATE MEMORY例文帳に追加

フローティングゲートメモリのプログラミング方法 - 特許庁

DOUBLE-GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

二重ゲート型不揮発性メモリ素子 - 特許庁

(i) Simultaneous definition of memory gate and logic gate.例文帳に追加

（ｉ）メモリゲートおよび論理ゲートを同時に画定すること。 - 特許庁

GATE FORMATION METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート形成方法 - 特許庁

GATE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート形成方法 - 特許庁

MULTILAYER FLOATING GATE NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

多層浮遊ゲート不揮発性メモリデバイス - 特許庁

A memory cell has a selection gate 6 and a memory gate 8 disposed on one side surface of the selection gate 6.例文帳に追加

メモリセルは、選択ゲート６とその一方の側面に配置されたメモリゲート８とを有している。 - 特許庁

A select gate electrode of a memory cell M00 is connected to a select gate line SG0, and a memory gate electrode is connected to a memory gate line MG0.例文帳に追加

メモリセルＭ００の選択ゲート電極は選択ゲート線ＳＧ０に接続され、メモリゲート電極はメモリゲート線ＭＧ０に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート形成方法 - 特許庁

FLOATING GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

浮遊ゲート型不揮発性半導体メモリ - 特許庁

STACK GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

スタックゲート型不揮発性半導体メモリ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLOATING GATE MEMORY STRUCTURE例文帳に追加

フローティングゲートメモリ構造の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE FLASH MEMORY CELL OF SINGLE GATE例文帳に追加

単一ゲートの不揮発性フラッシュメモリセル - 特許庁

METHOD OF FORMING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法 - 特許庁

FLOATING BODY MEMORY CELL HAVING DOUBLE GATE例文帳に追加

二重ゲートを有する浮遊ボディメモリセル - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT OF SINGLE GATE STRUCTURE例文帳に追加

シングルゲート構造の半導体メモリー素子 - 特許庁

METHOD OF PATTERNING NON-VOLATILE MEMORY GATE例文帳に追加

不揮発性メモリのゲートのパターニング方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GATE ELECTRODE OF FLUSH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのゲート電極製造方法 - 特許庁

MONO GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

モノゲートメモリデバイス及びその製造方法 - 特許庁

SUPERCONDUCTIVE LOGICAL GATE AND RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

超電導論理ゲ—ト及びランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY MODULE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板上の浮動ゲートメモリモジュール - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE PATTERN OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲートパターン形成方法 - 特許庁

GATE STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING GATE STRUCTURE, AND MEMORY CELL例文帳に追加

集積回路メモリ装置のゲート構造物、ゲート構造物の製造方法、及びメモリセル - 特許庁

A gate controller 72 acts on a memory 36, and it adjusts the gate continuation time GD, a gate position GP and a gate length GL.例文帳に追加

ゲート制御器72は、メモリ36に作用し、ゲート継続時間GD、ゲート位置GP及びゲート長GLを調整する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE, MOUNTAIN-SHAPED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加

埋込型浮動ゲート、山形浮動ゲート及び山形チャネル領域を備えた浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH-MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

FLOATING GATE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

SPLIT GATE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲートメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

Between the memory gate electrodes 105, gate insulating films 108 are formed for insulation between the memory gate electrodes 105, with their top surfaces lower than those of the memory gate electrodes 105.例文帳に追加

メモリゲート電極１０５同士の間には、上面の高さ位置がメモリゲート電極１０５の上面の高さ位置よりも低いゲート間絶縁膜１０８が形成されいる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加

埋込型浮動ゲートと山形チャネル領域を備えた浮動ゲート式メモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁

DIELECTRIC GATE MEMORY AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

強誘電体ゲートメモリおよびその製造方法 - 特許庁

RANDOM ACCESS MEMORY USING SUPERCONDUCTIVE LOGIC GATE例文帳に追加

超電導論理ゲートを用いたランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

A memory cell is provided with a selection gate 6 and a memory gate 8 arranged on one side face of it.例文帳に追加

メモリセルは、選択ゲート６とその一方の側面に配置されたメモリゲート８とを有している。 - 特許庁

SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁