「iii element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a group III nitride semiconductor laser element having long service life of the element.例文帳に追加

素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。 - 特許庁

This group III nitride light-emitting element has improved performance.例文帳に追加

改良された性能を有するIII族窒化物発光ダイオード。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

ZnO is doped with the group-III element oxide so that the rate of the group-III element oxide in the transparent conductive film is 7-40 wt.% by adjusting the dose of the group-III element oxide.例文帳に追加

III族元素酸化物のドーピング量を、透明導電膜中のIII族元素酸化物の割合が７〜４０重量％となるように、ＺｎＯにIII族元素酸化物をドープさせる。 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子 - 特許庁

III-GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

GROUP III NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE FOR GROUP III NITRIDE ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル基板、ＩＩＩ族窒化物素子用エピタキシャル基板及びＩＩＩ族窒化物素子 - 特許庁

To provide group III element added zinc oxide with high crystallinity.例文帳に追加

結晶性の高いIII族元素添加酸化亜鉛を生成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

III NITRIDE ELEMENT AND III NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物素子及びＩＩＩ族窒化物エピタキシャル基板 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層３は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, more specifically, a group III nitride light-emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子、より詳細には、III族窒化物発光素子を提供する。 - 特許庁

The ratio of a group III element to group VI element is 2:3.例文帳に追加

また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を２：３とする。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子 - 特許庁

The particles including the III group metal element include at least one selected from the group consisting of III group metal simple bodies, oxides of the III group metal elements, and hydroxides of the III group metal elements, and the average particle size of the particles including the III group metal element is 50 nm or less.例文帳に追加

III族金属元素を含む粒子は、III族金属の単体、III族金属元素の酸化物およびIII族金属元素の水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、III族金属元素を含む粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor optical element capable of improving electrical characteristics of a p-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光素子を製造する方法、及びＩＩＩ族窒化物発光素子 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III ELEMENT NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光素子 - 特許庁

The hexagonal group III nitride contains gallium as a group III constituent element, so the principal plane 13a made of the hexagonal group III nitride is more easily oxidized than the (c) plane of the hexagonal group III nitride.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物はIII族構成元素としてガリウムを含むので、六方晶系III族窒化物からなる主面１３ａは、六方晶系III族窒化物のｃ面に比べて酸化されやすい。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

３族窒化物半導体素子製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

A doping amount of the group III element to ZnO is set to be 6-40 at%.例文帳に追加

上記III族元素のＺｎＯへのドープ量を６〜４０at％とする。 - 特許庁

To reduce the driving voltage of a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。 - 特許庁

To provide a III-nitride semiconductor laser element with long device lifetime.例文帳に追加

素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

The initial layer 2 is formed as a layer composed of a group III element of the group III-V compound semiconductor contained in the core layer 3.例文帳に追加

初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 - 特許庁

The group-III nitride crystal layer 15 comprises a group-III nitride containing aluminum as a group-III constituent element and also containing at least two kinds of constituent elements other than aluminum.例文帳に追加

III族窒化物結晶層１５は、III族構成元素としてアルミニウムを含むと共にアルミニウム以外の少なくとも２種の構成元素を含むIII族窒化物からなる。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III ELEMENT NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族元素窒化物基板の製造方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３族窒化物化合物半導体発光素子 - 特許庁

III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子基板 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound-semiconductor thin-film composed of group I, III and VI elements, capable of reducing the dispersion of targeted group-III-element distribution along the film-thickness direction and controlling a targeted group-III-element concentration.例文帳に追加

膜厚方向で目的のIII族元素組成分布のばらつきを低減し、また目的のIII族元素濃度を制御しうるＩ、III、VI族元素からなる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element that has low access resistance and ON resistance, a method of manufacturing the group III nitride semiconductor element, and an electronic device.例文帳に追加

アクセス抵抗およびオン抵抗が低いIII族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体素子の製造方法、および電子装置を提供する。 - 特許庁

To improve an electrostatic withstand voltage of a group III nitride-based compound semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体素子の静電耐圧を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE FILM, SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH, III NITRIDE FILM, EPITAXIAL SUBSTRATE FOR III NITRIDE ELEMENT, AND III NITRIDE ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法、エピタキシャル成長用基板、ＩＩＩ族窒化物膜、ＩＩＩ族窒化物素子用エピタキシャル基板、及びＩＩＩ族窒化物素子 - 特許庁

The active layer 17 includes an epitaxial semiconductor layer 19 comprising a group III nitride semiconductor containing indium as a group III element.例文帳に追加

活性層１７の半導体エピタキシャル層１９は、III族構成元素としてインジウムを含むIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体および発光素子 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体及び発光素子 - 特許庁