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interdigital processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12件
To provide a surface acoustic wave device that can prevent interdigital electrodes from being damaged during the manufacturing process.例文帳に追加
製造工程で発生するすだれ状電極の損傷を防止した弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁
Then, a half etching process of thinning the conductive metal film 32 corresponding to a part forming the interdigital electrode of an IDT is performed.例文帳に追加
次に、IDTのすだれ状電極を形成する部分に対応した導電性金属膜32を薄くするハーフエッチング工程をする。 - 特許庁
A first sidewall layer 24, including a material for the mask layer 23 at side faces of the interdigital electrode portions 13 and 14 is attached and formed in this process.例文帳に追加
この工程において、くし歯状電極部13、14の側面にマスク層23の材料を含む第1側壁層24が付着形成される。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a small sized surface acoustic wave element where defect of an interdigital transducer is suppressed due to a discharge caused by a pyroelectric effect in the manufacture process.例文帳に追加
製造過程で焦電効果に起因して発生する放電によるインタディジタルトランスデューサーの破損を抑制する弾性表面波素子の電極構造を提供する。 - 特許庁
Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.例文帳に追加
圧電性基板2上に成膜された金属膜11の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極3の形状パターンを有するマスク層13を金属膜11上に形成し、金属膜11及び圧電性基板2のうちマスク層13に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極3を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁
Then, an electrode forming process of forming the IDT 14 composed of the interdigital electrode and the reflectors 16a and 16b by etching the conductive metal film 32 through the resist film 36 is performed.例文帳に追加
次に、レジスト膜36を介して導電性金属膜32をエッチングしてすだれ状電極からなるIDT14と反射器16a、16bとを形成する電極形成工程を行なう。 - 特許庁
To prevent the torsion of an interdigital tape of an aperture grille of a color sorting mechanism even after concluding the annealing process and the blackening treatment of the color sorting mechanism.例文帳に追加
色選別機構の焼鈍工程と黒化処理を行った後でも、色選別機構のアパーチャグリルのすだれ状のテープがねじれるのを防ぐことができる陰極線管の色選別機構のフレームの製造方法を提供すること。 - 特許庁
A manufacturing method of the SAW device comprises a pattern formation process for forming a conductor pattern including an interdigital electrode on a piezoelectric wafer in which the SAW device should be formed, and providing the alignment mark on the piezoelectric wafer; and a cutting process for cutting the piezoelectric wafer to divide the piezoelectric wafer.例文帳に追加
SAW装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成すると共に、圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、圧電ウェハを切断して圧電ウェハを分割する切断工程とを含むSAW装置の製造方法である。 - 特許庁
Interdigital structures 11 and 12 are formed by alternately arranging the conductive layer and the dielectric layer of a nano scale controlled in a deposition process, and are obtained by a cross section substantially vertical to a deposition layer by alternately depositing the conductive layer and the dielectric layer in the thickness of the nano scale by a deposition method such as CVD.例文帳に追加
CVDなどの堆積法により導電層と誘電体層を交互にナノスケールの厚さに堆積し、堆積層に略垂直な断面により、これら堆積過程で制御されたナノスケールの導電層と誘電体層が交互に配置されたすだれ状の構造11,12を得る。 - 特許庁
The arrangement of the thin-film transistor array is optimized so that (1) the direction of an electric current flowing in a semiconductor layer 12 coincides with the direction of a source wiring 28, (2) the source and drain electrodes 27, 26 are made in an interdigital configuration, and the like, and an organic semiconductor layer 12 formed by a printing process is stripe-shaped.例文帳に追加
薄膜トランジスタアレイの配置を(1)半導体層12の電流が流れる方向をソース配線28の方向と同じにする、(2)ソース・ドレイン電極27、26をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層12をストライプ形状とする。 - 特許庁
The moisture sensor 1 includes a CV conversion circuit for converting capacitance differences between the interdigital electrodes 10a and 10b, and the electrodes 20a and 20b into voltages; an amplifier for amplifying the CV conversion values at a predetermined amplification factor; and a process circuit, having a switch circuit for switching the amplification factor of the amplifier.例文帳に追加
また、湿度センサ1は、櫛歯電極10a及び10b並びに20a及び20bの容量差を電圧に変換するCV変換回路、CV変換値を所定増幅率で増幅する増幅器、並びに、増幅器の増幅率を切り換える切替回路を有する処理回路を備える。 - 特許庁
The surface acoustic wave element 120 including a piezoelectric material layer 121, interdigital electrodes 122 and 123 and reflectors 124 and 125 is formed on the surface of a dielectric board 110, and an inductor L, a variable capacitor Cv and a capacitor CL formed by a micromachine process are arranged at positions away from the effective propagation area A of the surface acoustic wave element 120.例文帳に追加
誘電体基板110の表面上に圧電体層121、すだれ状電極122,123、反射器124,125を含む弾性表面波素子120が形成され、この弾性表面波素子120の有効伝播領域Aから外れた位置に、マイクロマシンプロセスによって形成されたインダクタL、可変コンデンサCv、コンデンサCLが配置されている。 - 特許庁
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