| 例文 (7件) |
laser wafer trimmingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Laser trimming processing S2 is performed in a wafer state in the manufacturing process, and rough trimming of the sensor section is performed.例文帳に追加
製造工程でウエハ状態でレーザトリミング処理Ｓ２を行い、センサ部の概略的なトリミングを行う。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR WAFER, ITS POSITIONING METHOD AND LASER TRIMMING METHOD例文帳に追加
半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法 - 特許庁
The trimming processing for the fuses is executed on the devices considered to be acceptable item in a wafer test by using a laser trimmer.例文帳に追加
ウェハテストで良品とされたデバイスのそれぞれに対して、レーザートリマーを用いて、ヒューズのトリミング処理を行なう。 - 特許庁
A pattern for positioning of laser trimming provided on the surface of a semiconductor wafer is arranged within a bleeder resistance region which is constituted by combining p-type and n-type semiconductor film resistors.例文帳に追加
半導体ウエハの表面に設けられたレーザトリミング位置決め用パターンを半導体集積回路チップ内の、型とＮ型の半導体薄膜抵抗体を組み合せて構成したブリーダ抵抗領域内に配置した。 - 特許庁
After a wafer test is performed by measuring the delay time (0.25S) at (N-4) stage, fuses are blown out selectively by laser trimming and a delay time is set at a desired value among 0.25S, 0.5S, 1.0S, 2.0S and 4.0S.例文帳に追加
（Ｎ−４）段目の遅延時間（０.２５Ｓ）の測定によりウェハーテストを行った後、レーザトリミングによりヒューズを選択的に切断することにより、遅延時間を０.２５Ｓ、０.５Ｓ、１.０Ｓ、２.０Ｓ、４.０Ｓのうち、所望の値に設定する。 - 特許庁
In trimming a tape-like protective film 3 adhered to a silicon wafer 1 into a specified size/shape by irradiating it with a laser beam L, a suction air flow V such as air curtain flow is applied to the protective film.例文帳に追加
シリコンウエハ１に貼着された帯状の保護フィルム３にレーザビームＬを当てて所定の大きさ・形状にトリミングする際、前記保護フィルムにエアカーテン流のような吸気流Ｖを当てる。 - 特許庁
The unnecessary photosensitive film 15 is cut off at the trimming position on the downstream side of the laminating roll 23 by a laser irradiation head 63, and the silicon wafer 35 is moved along one side on the opposite side of the rectangle to be housed in the wafer holder 81 on the lift stand 78 by a feed arm 44.例文帳に追加
そしてラミネートロール２３の下流側のトリミング位置においてレーザ照射ヘッド６３によって不要の感光性フィルム１５を切断除去し、この後に矩形の反対側の１辺にほぼ沿うようにして搬送アーム４４によってシリコンウエハ３５を昇降台７８上のウエハホルダ８１に収納する。 - 特許庁
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