| 例文 (7件) |
local-field effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
To provide a field-effect transistor that allows a local temperature of the field-effect transistor to be measured.例文帳に追加
電界効果トランジスタの局所的な温度を測定することが可能な電界効果トランジスタを提供することである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that suppresses the occurrence of a leak due to local electric field concentration such as GIDL and short-channel effect, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
ＧＩＤＬ等の局所的な電界集中により発生するリークおよび短チャネル効果の発生を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of achieving a high yield, a large IE effect, and a low ON voltage by using a manufacturing process of a minimum cost and capable of achieving a high voltage resistance by controlling a local concentration of an electric field.例文帳に追加
できるかぎり低コストの製造プロセスを用い、高良品率でＩＥ効果が大きくオン電圧が低く、局所的な電界集中を抑制して高耐圧化することができる半導体装置の提供。 - 特許庁
A local oscillation amplifier 1 is constituted of a field effect transistor 4, its source is grounded at high frequency by using a capacitor 20, and its gate is connected with a resistor 7, whose one end is grounded and a resistor 8.例文帳に追加
局部発振増幅器１は電界効果型トランジスタ４で構成され、ソースは容量２０で高周波的に接地され、ゲートは一端が接地された抵抗７と抵抗８が接続され、抵抗８の他端は電源供給端子１９に接続される。 - 特許庁
To provide a mixer circuit for simplifying the circuit configuration and reducing the power consumption without causing a phase noise to drains of FETs (field effect transistors) 15_1, 15_2 in the case of applying a local oscillation signal to first and second mixers 6_1, 6_2 comprising the FETs 15_1, 15_2.例文帳に追加
ＦＥＴ１５_１ 、１５_２ からなる第１及び第２ミキサ６_１ 、６_２ に局部発振信号を供給する際、ＦＥＴ１５_１ 、１５_２ のドレインにフェーズノイズを生じることなしに回路構成の簡素化及び消費電力の低減化を達成するミキサ回路を提供する。 - 特許庁
A circuit for frequency conversion is formed with a circuit with which the drain D of a first FET (field-effect transistor) 1 and the source S of a second FET 2 are connected and has a source grounded amplifier circuit for amplifying a local oscillation signal, that is constituted of a third FET 3.例文帳に追加
第１ＦＥＴ１のドレインＤと第２ＦＥＴ２のソースＳが接続される回路により、周波数変換用の回路が形成され、第３ＦＥＴ３により構成される局部発振信号増幅用のソース接地型増幅回路を有している。 - 特許庁
While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加
探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁
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