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memory elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3984件
PARTICULATE FORMING METHOD, MEMORY FUNCTION BODY, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加
微粒子形成方法、メモリ機能体およびメモリ素子 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATING FILM OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING NAND FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
ナンドフラッシュメモリ素子のプログラム方法 - 特許庁
MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
記憶素子およびその製造方法 - 特許庁
VARIABLE RESISTOR ELEMENT, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
可変抵抗素子および記憶装置 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY CELL, MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加
不揮発性メモリセル、メモリ素子、及び不揮発性メモリセルの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置 - 特許庁
MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
記憶素子およびその製造方法、並びに記憶装置 - 特許庁
MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加
メモリ素子、半導体記憶装置及びその動作方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加
磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
FERROMAGNETIC SINGLE ELECTRONIC ELEMENT AND MEMORY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
強磁性単電子素子とこれを用いた記憶素子 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体記憶素子の作製方法 - 特許庁
INCORPORATED SELF-TESTING CIRCUIT FOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
メモリー素子用内蔵自己テスト回路 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING CELL OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
フラッシュメモリ素子のセル製造方法 - 特許庁
OPERATION METHOD OF SONOS MEMORY ELEMENT例文帳に追加
SONOSメモリ素子の動作方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗素子および半導体メモリ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY ELEMENT AND FLASH MEMORY ELEMENT MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の製造方法および該方法で製造したフラッシュメモリ素子 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ - 特許庁
FLASH MEMORY ELEMENT AND PROGRAMMING METHOD THEREOF例文帳に追加
フラッシュメモリ素子とそのプログラム方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁
FLASH MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ素子とその製造方法 - 特許庁
METALLOCENE DENDRIMER, ORGANIC MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE ORGANIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
メタロセンデンドリマー、これを用いた有機メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁
ELEMENT OF MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
メモリの素子及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT, MEMORY ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加
記憶素子の製造方法、記憶素子、記憶装置、および電子機器、ならびにトランジスタの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性記憶素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性記憶素子の形成方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ - 特許庁
OPTICAL MEMORY ELEMENT AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
光メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IT, AND ELECTRONIC ELEMENT例文帳に追加
メモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子 - 特許庁
NONVOLATILE SONOS MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING THE ELEMENT例文帳に追加
不揮発性SONOSメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
OPTICAL SENSOR ELEMENT, IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加
光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子 - 特許庁
OPTICAL MEMORY ELEMENT AND ITS METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加
光メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT HAVING MEMORY FUNCTION例文帳に追加
メモリー性を有する液晶表示素子 - 特許庁
METHOD FOR FORMING FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強誘電体記憶素子形成方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強誘電体メモリ素子の製造方法 - 特許庁
FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT OF SINGLE GATE STRUCTURE例文帳に追加
シングルゲート構造の半導体メモリー素子 - 特許庁
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