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memory elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3984件
INFORMATION MEMORY ELEMENT例文帳に追加
情報記憶素子 - 特許庁
SYNCHRONOUS MEMORY ELEMENT例文帳に追加
同期式メモリ素子 - 特許庁
SHAPE-MEMORY ELEMENT例文帳に追加
形状記憶素子 - 特許庁
MEMORY ELEMENT AND MEMORY例文帳に追加
記憶素子および記憶装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
相変化メモリ素子 - 特許庁
INTERMESH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
インターメッシュ・メモリ素子 - 特許庁
MEMORY ELEMENT, MEMORY DEVICE AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
記憶素子、記憶装置および発光素子 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性メモリ素子 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性メモリー素子 - 特許庁
MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加
メモリ素子およびメモリ素子の製造方法 - 特許庁
MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加
記憶素子及び記憶素子の作製方法 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性メモリー素子 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND MEMORY ELEMENT MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気メモリ素子、磁気メモリ装置およびメモリ素子製造方法 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
磁気メモリ素子、磁気メモリ素子の製造方法 - 特許庁
VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加
可変抵抗素子およびメモリ素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体メモリ素子及びメモリ装置 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強誘電体メモリ素子 - 特許庁
The memory element comprises a memory array of thin film memory cells.例文帳に追加
メモリ素子は、薄膜メモリセルのメモリアレイを含む。 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗素子及び磁気メモリ素子 - 特許庁
SONOS-TYPE MEMORY ELEMENT例文帳に追加
SONOS型メモリ素子 - 特許庁
FERROELECTRICS MEMORY ELEMENT例文帳に追加
強誘電体記憶素子 - 特許庁
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