「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

SOURCE CONTACT FORMATION METHOD FOR FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

An MRAM device is equipped with a memory element and a circuit which controls the memory element.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置は、メモリ・エレメントおよびそのメモリ・エレメントを管理する回路を有する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE MATERIAL ELEMENT MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗素子メモリとその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

ACCESS STRUCTURE OF MEMORY IN DRIVE CONTROL ELEMENT例文帳に追加

ドライブ制御素子内のメモリのアクセス構造 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

HIGH-VOLTAGE GENERATOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子用高電圧発生器 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子 - 特許庁

MEMORY ELEMENT TESTING BY UTILIZING SENSE AMPLIFIER例文帳に追加

センスアンプを利用してテストを行うメモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT ARRAY, AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリ素子アレイ、及び不揮発性メモリ素子アレイの動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NAND FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス - 特許庁

REPRODUCING METHOD OF STORAGE ELEMENT AND MEMORY CIRCUIT例文帳に追加

記憶素子の再生方法及びメモリ回路 - 特許庁

MEMORY ELEMENT, DATA RECORDING METHOD, AND IC TAG例文帳に追加

メモリ素子、データ記録方法及びＩＣタグ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF DRIVING THEREOF例文帳に追加

半導体メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子とその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND OPERATING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

LAYOUT METHOD OF SENSE AMPLIFIER FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT USING THE METHOD例文帳に追加

半導体メモリ素子におけるセンスアンプレイアウト方法及びこれを用いる半導体メモリ素子 - 特許庁

CELL ARRAY OF MEMORY ELEMENT HAVING SOURCE STRAPPING例文帳に追加

ソースストラッピングを有する記憶素子のセルアレイ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体記憶素子および半導体装置 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ショットキーダイオードを備える相変化メモリ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT USING ROW REPAIR SYSTEM例文帳に追加

ローリペア方式を用いる半導体メモリ素子 - 特許庁

CAPACITOR, MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

キャパシタ、メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

RESISTANCE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

抵抗メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The molecular element 10 operates as a switching element or a memory element at 65.1 K.例文帳に追加

この分子素子１０は、６５．１Ｋでスイッチング素子やメモリ素子として動作する。 - 特許庁

RESISTANCE SWITCHING ELEMENT AND INTERFACE RESISTANCE TYPE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

抵抗スイッチング素子及び界面抵抗型不揮発性メモリ素子 - 特許庁

A logic element 100 includes a memory element, a multiplexer (MPX) and a control part.例文帳に追加

論理素子100は記憶素子、MPX(マルチプレクサ)および制御部を含む。 - 特許庁

A programmable delay element is provided in each block of a memory element.例文帳に追加

プログラマブル遅延素子が、メモリ素子の各ブロックに設けられている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FINE PARTICLE DIFFUSED INSULATING FILM, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT, MEMORY ELEMENT, AND LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME FILM例文帳に追加

微粒子分散絶縁膜の製造方法、これを用いたメモリ素子、発光素子の製造方法及びメモリ素子、発光素子 - 特許庁

SWITCHING ELEMENT, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 - 特許庁

SWITCHING ELEMENT, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電体キャパシタ素子及び不揮発性半導体記憶素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, NONVOLATILE MEMORY CIRCUIT, NONVOLATILE MEMORY CARD, AND RECORDER/REPRODUCER例文帳に追加

不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カードおよび記録再生装置 - 特許庁

The memory cell array part includes a first memory string, a second memory string and an element isolation insulator layer.例文帳に追加

メモリセルアレイ部は、第１メモリストリングと、第２メモリストリングと、素子分離絶縁層と、を含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, MEMORY ELEMENT, AND MEMORY THEREWITH例文帳に追加

磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT AND ERASING METHOD OF FLASH MEMORY CELL USING THE SAME例文帳に追加

フラッシュメモリ素子及びこれを用いたフラッシュメモリセルの消去方法 - 特許庁