「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置 - 特許庁

The internal address corresponds to an individual memory element within the memory under test.例文帳に追加

内部アドレスは検査すべきメモリ内の個々のメモリ要素に対応する。 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING VOLTAGE TO SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体記憶素子への電圧印加方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

QUANTUM RANDOM ADDRESS MEMORY WITH MAGNETIC READOUT AND/OR NANO-MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気読出部及び／又はナノ・メモリ素子を使用する量子ランダム・アドレス・メモリ - 特許庁

The memory structure (20) is constituted of the memory storage element (23), the control element (25) comprising a tunnel-junction device electrically coupled to the memory storage element and configured to control the state of the memory storage element, and a reference element (930).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、メモリ記憶素子(23)と、メモリ記憶素子に電気的に結合され、かつ、メモリ記憶素子の状態を制御するよう構成されたトンネル接合デバイスからなる制御素子(25)と、基準素子(930)とから構成される。 - 特許庁

SWITCHING ELEMENT, SWITCHING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, ELECTRONIC DEVICE, LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スイッチング素子、スイッチング素子の製造方法、電子デバイス、論理集積回路及びメモリ素子 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is smaller than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the second reference memory element (step S2), and the selected memory element is in a state 1 or 2.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより小さいとき、検出されたメモリ電荷レベルが第２基準メモリ素子と比較され（ステップＳ２）、選択されたメモリ素子は、状態１又は２のいずれかである。 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY DEVICE, DETECTING AND REPAIRING METHOD OF DEFECTIVE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置および記憶装置並びに不良記憶素子検出修復方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT AND CUTTING DEVICE例文帳に追加

光メモリ素子の製造方法及び切削装置 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE ELEMENT AND ITS RECORDING METHOD AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記憶素子及びその記録方法、磁気メモリ - 特許庁

BLOCK DECODER AND SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ブロックデコーダ及びこれを含む半導体メモリ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置 - 特許庁

A memory cell includes a switch element and a resistor circuit.例文帳に追加

メモリセルは、スイッチ素子と抵抗回路を有する。 - 特許庁

DRIVE CIRCUIT FOR NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ素子の駆動回路 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

POWER SUPPLY CONTROL DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のパワー供給制御装置 - 特許庁

CALIBRATABLE MEMORY ELEMENT AND ITS CALIBRATION METHOD例文帳に追加

較正可能なメモリ素子およびその較正方法 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE ELEMENT, DRIVING METHOD THEREFOR, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記憶素子及びその駆動方法、磁気メモリ - 特許庁

SPIN FET, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND SPIN MEMORY例文帳に追加

スピンＦＥＴ、磁気抵抗効果素子及びスピンメモリ - 特許庁

STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS例文帳に追加

アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - 特許庁

PERPENDICULAR MAGNETIZATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - 特許庁

SWITCHING MEMORY ELEMENT USING FLOW OF LIQUID CRYSTAL例文帳に追加

液晶の流動を利用したスイッチング・メモリ素子 - 特許庁

INSTRUCTION WORD-GENERATING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

命令語発生装置及び半導体記憶素子 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT UTILIZING CURRENT INDUCTIVE SWITCHING例文帳に追加

電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

強誘電体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR DRIVING MEMORY DISPLAY OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

液晶表示素子のメモリー表示駆動方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記憶素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

To provide a magnetic memory element having a uniform switching characteristic and capable of low-current switching, and to provide a method of operating the magnetic memory element and a method of fabricating the magnetic memory element.例文帳に追加

均一なスイッチング特性を有し、低電流スイッチングの可能な磁気メモリ素子、その動作方法及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

ALGORITHM PATTERN GENERATOR FOR MEMORY ELEMENT TEST, AND MEMORY TESTER USING SAME例文帳に追加

メモリ素子テストのためのアルゴリズムパターン生成器及びこれを用いたメモリテスタ - 特許庁

PHASE-CHANGE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

相変化型不揮発性メモリ素子及び半導体メモリ及びデータプロセシングシステム - 特許庁

The memory card includes a first cover, a second cover, a set of leads, and a memory element.例文帳に追加

メモリカードは、第一カバー、第二カバー、一組のリード、及び、メモリ素子、からなる。 - 特許庁

The failure of the logic related to the replacement memory element 2 is checked from the read data of the memory elements in the memory part 1 and the data of the replacement memory element 2.例文帳に追加

また、読み出したメモリ部１内のメモリ素子のデータと交替メモリ素子２のデータとから交替メモリ素子２に関連する論理の障害をチェックする。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING 3-TRANSISTOR MEMORY CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

３−トランジスタメモリセルを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RECORDING ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気記録素子とその製造方法及び磁気メモリ - 特許庁

LOGIC-IN-MEMORY CIRCUIT USING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いたロジックインメモリ回路 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁

SONOS FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

ＳＯＮＯＳフラッシュメモリ素子及びその形成方法 - 特許庁

PARALLEL MOUNTING INSPECTION BOARD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子用の並列実装検査基板 - 特許庁

TEMPERATURE INFORMATION OUTPUT DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子の温度情報出力装置 - 特許庁

DETACHABLE FUNCTION-EXPANSION ELECTRONIC DEVICE AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

着脱式機能拡張電子装置及びメモリ素子 - 特許庁

NOR FLASH MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METALLIC WIRING OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子の金属配線形成方法 - 特許庁