| 意味 | 例文 |
memory elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3984件
This method is a method for programming data for a memory element 108B of a twin memory cell (i).例文帳に追加
ツインメモリセル(i)のメモリ素子108Bに対してデータをプログラムする方法である。 - 特許庁
MULTIVALUED-RECORDING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, MULTIVALUED-RECORDING PHASE-CHANGE CHANNEL TRANSISTOR, AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
多値記録相変化メモリ素子、多値記録相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁
To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加
特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁
The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加
前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁
The memory element is used in a memory device such as a register or a cache memory included in a signal processing circuit.例文帳に追加
そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 - 特許庁
To provide a ferroelectric integrated circuit element such as a ferroelectric memory element.例文帳に追加
強誘電体メモリ素子などの強誘電体集積回路素子を提供する。 - 特許庁
WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
半導体素子の製造方法、半導体メモリの製造方法、及び半導体素子 - 特許庁
To reduce a power consumption of a semiconductor memory in which a memory cell is composed of resistance changing element.例文帳に追加
抵抗変化素子をメモリセルとする半導体メモリの消費電力を削減する。 - 特許庁
A magnetic memory element TMR is arranged for every memory cell MC and equipped with a storage layer 103.例文帳に追加
磁気メモリ素子TMRはメモリセルMCごとに設けられ記憶層103を備える。 - 特許庁
The identical logical value is set into each settable memory element of three settable memory elements.例文帳に追加
3つの設定可能メモリ要素が各設定可能メモリ要素に同じ論理値を設定する。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY ELEMENT HAVING FERROELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子及びその製造方法 - 特許庁
In a memory element arrangement part, a plurality of memory elements capable of storing M value data are arranged.例文帳に追加
記憶素子配列部は、M値のデータを記憶可能な記憶素子を複数配列してなる。 - 特許庁
To check a memory halfway in operation and to improve the reliability of a memory element.例文帳に追加
動作の途中でメモリのチェックを行わせ、かつメモリ素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁
The variable resistance memory device has a memory cell MC including a tunneling magnetoresistive element TMR and a drive circuit 5A.例文帳に追加
トンネル磁気抵抗素子TMRを含むメモリセルMCと、駆動回路5Aを有する。 - 特許庁
Three settable memory elements set an identical logical value into each settable memory element.例文帳に追加
3つの設定可能メモリ素子は、各設定可能メモリ素子に同じ論理値が設定される。 - 特許庁
NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD例文帳に追加
磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 - 特許庁
FINE PARTICLE CONTAINING BODY, ITS MANUFACTURING METHOD, MEMORY FUNCTION BODY, MEMORY ELEMENT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
微粒子含有体およびその製造方法、メモリ機能体、メモリ素子並びに電子機器 - 特許庁
In a semiconductor memory device, the memory cell MC has a diode DI and a variable resistance element VR serially connected.例文帳に追加
メモリセルMCは、ダイオードDIと可変抵抗素子VRとを直列接続してなる。 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
不揮発性半導体記憶素子およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT SHARING CELL PLATE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS, AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加
隣接メモリセル間でセルプレートを共有する強誘電体メモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁
To provide a memory film structure operable with a low voltage and a memory element using it.例文帳に追加
低電圧で動作可能なメモリ膜構造及びそれを用いたメモリ素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a substrate; a control element disposed on the substrate; a resin covering the control element; and memory elements that are disposed above the control element, contact the resin, and are controlled by the control element.例文帳に追加
実施形態に係る半導体装置は、基板と、前記基板の上に配置された制御素子と、を備える。 - 特許庁
MAGNETIC ELEMENT, MEMORY, MAGNETIC REPRODUCTION HEAD, AND MAGNETIC DISC DRIVE例文帳に追加
磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF例文帳に追加
相変化メモリ素子とその製造方法及び動作方法 - 特許庁
NONVOLATILE ELECTRICALLY REWRITABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
不揮発性の電気的書き換えが可能な半導体メモリ素子 - 特許庁
To provide a resistive memory element and its manufacturing method.例文帳に追加
抵抗性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁
DIELECTRIC MATERIAL AND FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加
誘電体材料及びそれを用いた強誘電体メモリ素子 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION FILM AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
素子分離膜の形成方法と不揮発性半導体メモリ - 特許庁
MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR DATA MEMORY ELEMENT HOLDING LABEL例文帳に追加
データ記憶素子保持ラベルの製造方法および製造装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁
MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
記憶素子および半導体装置およびその作製方法 - 特許庁
CAPACITIVE ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加
容量素子、半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
To provide a semiconductor memory element and its manufacturing method.例文帳に追加
半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Instead of shape memory alloy, piezoelectric element can be applied.例文帳に追加
形状記憶合金に代えて圧電素子を適用してもよい。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
半導体不揮発性記憶素子およびその製造方法 - 特許庁
To obtain a nonvolatile memory device with superior element characteristics.例文帳に追加
素子特性に優れた不揮発性記憶装置を得ること。 - 特許庁
To provide a cell array of a memory element having a source strapping.例文帳に追加
ソースストラッピングを有する記憶素子のセルアレイを提供する。 - 特許庁
DRIVING CIRCUIT FOR SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加
単一電子メモリ素子の駆動回路及びその駆動方法 - 特許庁
To provide a tape cartridge comprising an exchangeable memory element.例文帳に追加
交換可能なメモリエレメントを含むテープカートリッジを提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURE AND DRIVE METHOD例文帳に追加
半導体記憶素子とその製造方法および駆動方法 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加
不揮発性メモリ素子、その製造方法及び半導体チップ - 特許庁
To provide the ferroelectric capacitor of a semiconductor memory element.例文帳に追加
半導体メモリ素子の強誘電体キャパシタを提供する。 - 特許庁
SPIN-INJECTED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
スピン注入磁化反転素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
SPIN ACCUMULATION MAGNETIC REVERSAL TYPE MEMORY ELEMENT, AND SPIN RAM例文帳に追加
スピン蓄積磁化反転型のメモリ素子及びスピンRAM - 特許庁
To provide a nonvolatile memory element and its manufacturing method.例文帳に追加
不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
INFORMATION STORAGE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY ARRAY例文帳に追加
情報記憶素子及びその製造方法並びにメモリアレイ - 特許庁
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