「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, ITS OPERATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ素子、その動作方法及びその製造方法 - 特許庁

A memory cell is composed of a TMR element and a MOS transistor.例文帳に追加

メモリセルは、ＴＭＲ素子とＭＯＳトランジスタから構成される。 - 特許庁

To easily and inexpensively provide a memory element having a high yield.例文帳に追加

歩留まりが高く、簡便かつ安価に記憶素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING SONOS STRUCTURE例文帳に追加

ＳＯＮＯＳ構造を有する不揮発性メモリ素子の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT COMPRISING NANO DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY SYSTEM例文帳に追加

半導体素子の形成方法及びメモリシステムの製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND NONDESTRUCTIVE READOUT METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリの素子構造、並びに非破壊読み出し方法 - 特許庁

To provide an organic bistable element used for a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリに用いる有機双安定素子を提供する。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ITS PROGRAM METHOD例文帳に追加

非揮発性メモリ素子、その製造方法及びそのプログラム方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METAL WIRING AND CONTACT PLUG FOR FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の金属配線およびコンタクトプラグ形成方法 - 特許庁

To provide a phase-change memory element having a semiconductor laser part.例文帳に追加

半導体レーザ部を有する相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR SUPPLYING SINGLE REEL TAPE CARTRIDGE AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

シングルリールテープカートリッジおよびメモリエレメントを提供するための方法 - 特許庁

CONTROL DEVICE AND CONTROL METHOD FOR SHAPE MEMORY ELEMENT ACTUATOR例文帳に追加

形状記憶素子アクチュエータの制御装置及び制御方法 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory element and its driving method.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory element with a small chip size.例文帳に追加

チップサイズの小さなメモリ素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a SONOS memory element and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリー - 特許庁

To provide a non-volatile memory element and its manufacturing method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子、磁気メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and its manufacturing method.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT HAVING CONTACT OF SMALL AREA例文帳に追加

小さな接点を有する相変化記憶素子の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, OPERATION METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性メモリ素子、その動作方法、及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC REPRODUCING APPARATUS例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気再生装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法ならびに磁気メモリ素子 - 特許庁

After a memory element is made IC, the slowest data path is discriminated.例文帳に追加

メモリ素子のＩＣ化後、最も遅いデータ経路を識別する。 - 特許庁

ADDRESSING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT AND ADDRESSING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

半導体メモリ素子のアドレシング回路及びこれのアドレシング方法。 - 特許庁

NON-VOLATILE FERROELECTRICS MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ素子並びにその製造方法 - 特許庁

DATA OUTPUTTING DEVICE IN MEMORY ELEMENT HAVING PIPE LATCH CIRCUIT例文帳に追加

パイプラッチ回路を有するメモリ素子におけるデータ出力装置 - 特許庁

MAGNETISM CONTROL ELEMENT, MAGNETIC COMPONENT USING THE SAME AND MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置 - 特許庁

The second drain is coupled to a second resistive memory element.例文帳に追加

上記第２ドレインは、第２抵抗記憶素子に結合されている。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ワンタイム・プログラマブル・メモリ素子をプログラムするための装置および方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

SONOS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH SIDE GATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

サイドゲートを備えるＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

ELECTRODE PARTICULARLY SUITABLE FOR USE WITH MOLECULAR MEMORY AND LOGIC ELEMENT例文帳に追加

分子メモリ及び論理素子のために特に適合させた電極 - 特許庁

RECORDING MEDIUM INCLUDING FERROELECTRIC FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE SAME AND DATA RECORDING/REPRODUCING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

強誘電膜を含む記録媒体、それを用いた不揮発性メモリ素子、および、その不揮発性メモリ素子のデータ記録／再生方法 - 特許庁

CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁

STORAGE NODE, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT HAVING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT HAVING IMPROVED STORAGE NODE CHARACTERISTIC例文帳に追加

ストレージノード、そのストレージノードを有する半導体メモリ素子およびストレージノードの特性を改善した半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a new material suitable as a nonvolatile memory element and as a nonvolatile semiconductor device which uses the nonvolatile memory element.例文帳に追加

不揮発性記憶素子およびそれを用いた不揮発性半導体装置として適している新しい材料を提供する。 - 特許庁

To provide an element structure for realizing multi-valued memory function for enhancing the recording density of a ferroelectric memory element.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の記録密度を高めるために、メモリ機能の多値化を実現するための素子構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element which enables high integration while extending channel length effectively, and to provide a manufacturing method for such a memory element.例文帳に追加

チャンネル長を効果的に延ばしつつも高集積化の可能な不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of stably maintaining the threshold voltage of a flash memory element.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のしきい値電圧を安定的に維持することを可能にした半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce an element size and improve reliability in a memory element having a structure where a memory gate and a control gate are adjacent to each other.例文帳に追加

メモリーゲートとコントロールゲートが隣接する構造のメモリ素子において、素子サイズの縮小および信頼性の向上を図る。 - 特許庁

In the nonvolatile memory, each bit line BL is coupled electrically to each tunnel magnetic resistance element TMR of each memory cell.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、メモリセルのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと電気的に結合される。 - 特許庁