「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory element 108 is attached onto the external surface of the tank case 102.例文帳に追加

タンクケース１０２の外面には記憶素子１０８が装着されている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC THIN FILM MEMORY USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ - 特許庁

To easily perform a test in an OTP memory using a electric fuse element for a storage element.例文帳に追加

本発明は、電気ヒューズ素子を記憶素子に用いたＯＴＰメモリにおいて、容易にテストできるようにする。 - 特許庁

A functional element such as a memory element and a solar cell is constituted using the thin-film laminated structure.例文帳に追加

この薄膜積層構造体を用いて記憶素子や太陽電池などの機能素子を構成する。 - 特許庁

To provide a switching element or a memory element of a manganese oxide operating at room temperature and at a low temperature.例文帳に追加

室温および低温で動作するマンガン酸化物のスイッチング素子あるいはメモリー素子を提供する。 - 特許庁

BISMUTH LAYER STRUCTURE FERROELECTRIC, METHOD OF PRODUCING THE SAME, MEMORY ELEMENT AND DIELECTRIC/ ELECTROSTRICTIVE ELEMENT USING THE FERROELECTRIC例文帳に追加

ビスマス層状構造強誘電体、その製造方法、これを用いたメモリ素子および圧電・電歪素子 - 特許庁

FUNCTIONAL COPOLYMER AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, PHOTO-MEMORY AND POSITIVE HOLE TRANSPORTING ELEMENT BY USING THE SAME POLYMER例文帳に追加

機能性共重合高分子及びそれを使用した有機電界発光素子、光メモリ、正孔移動素子 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY USING MAGNETORESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびそれを用いた磁気ヘッドと磁気再生装置と磁気メモリ - 特許庁

FORMATION OF ELEMENT ISOLATION REGION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域の形成方法及び不揮発性半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子、不揮発性半導体装置及び不揮発性半導体素子の動作方法 - 特許庁

Codes in the floating memory locations at addresses stored in a memory element of the printer and security codes in the memory element of the printer are periodically (S1) read (S2, S3) and compared with each other (S4).例文帳に追加

周期的に（Ｓ１）、装置のメモリ素子内に格納されたアドレスにおけるフローティングメモリロケーション内のコードと、装置のメモリ素子内のセキュリティコードとが読み出され（Ｓ２，Ｓ３）、比較される（Ｓ４）。 - 特許庁

Thus, the sum of a signal propagation time from a transmission unit 5 to the selected memory element and a signal propagation time from the selected memory element to a receiving unit 6 is made the same for all the memory elements.例文帳に追加

送信ユニット（５）から選択メモリ素子への信号伝搬時間と選択メモリ素子から受信ユニット（６）への信号伝搬時間の和がすべてのメモリ素子について同じとなる。 - 特許庁

Therefore, the integration degree of a memory element can be increased, a manufacturing process can be simplified due to a simple structure of a memory cell, and current consumption in the memory element can be reduced by extending a refresh period.例文帳に追加

よって、メモリ素子の集積度を高くし、メモリセルの構造が単純なために製造工程を単純化でき、リフレッシュ周期を延ばしてメモリ素子の電流消費を減らせる。 - 特許庁

Each magnetoresistive element is formed as a TMR element or a GMR element having a multilayer film formed of a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer and the center element is formed as the memory element.例文帳に追加

各磁気抵抗効果素子は、固定層、非磁性層、自由層からなる多層膜を含むＴＭＲ素子あるいはＧＭＲ素子とすることができ、中央の素子が記憶素子となる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加

スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element and a semiconductor memory device that are designed for shortening the time necessary for testing a plurality of semiconductor memory elements.例文帳に追加

複数の半導体記憶素子の試験に要する時間の短縮を図った半導体記憶素子および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory element 21 having a plurality of memory sectors 15 each sector of which includes a plurality of memory cells 1 is provided with a hierarchical sector decoding means.例文帳に追加

各々が複数のメモリ・セル１を含む複数のメモリ・セクタ１５を有するメモリ素子２１が、階層的なセクタ・デコーディング手段を備える。 - 特許庁

Based on a first comparison result, the detected memory charge level of a selected memory element is compared with one selected from that of a second reference memory element having Vt equal to VR1 and that of a third reference memory element having Vt equal to VR3.例文帳に追加

最初の比較結果によって、選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルがＶＲ１に等しいＶｔを有する第２基準メモリ素子とＶＲ３に等しいＶｔを有する第３基準メモリ素子との内から選択された１つと比較される。 - 特許庁

To provide a memory control circuit which shortens processing time at rewriting of data stored in a memory element.例文帳に追加

記憶素子に格納されたデータの書き換えにおいて、処理時間を短縮するメモリ制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide magnetic memory element, magnetic memory device and magnetic wall movement method, enabling stable movement of a magnetic wall in a magnetic substance.例文帳に追加

磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。 - 特許庁

The memory element 10 has a memory portion 14 which intervenes between the first electrode 13 and a heating heater portion 15.例文帳に追加

またメモリ素子１０は、第１の電極１３と加熱ヒータ部１５との間に介在する記憶部１４を有する。 - 特許庁

By applying voltage to such a memory element, the plurality of memory material layers are softened or melted one by one.例文帳に追加

このようなメモリ素子に電圧を印加することで、複数のメモリ材料層を一つずつ軟化又は溶融させる。 - 特許庁

To provide a shallow trench element isolation method of a nonvolatile memory, which modifies the negative inclination of a field region in the memory.例文帳に追加

フィールド領域のネガティブ傾斜を改善する不揮発性メモリの浅いトレンチ素子分離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element storing multi-levels by using a memory having simply structured nano-dots.例文帳に追加

単純な構造のナノ点を有するメモリを利用してマルチレベルを保存することができるメモリ素子を提供する。 - 特許庁

The memory cell is a three terminal element and a read current does not flow through the conductor path of the memory cell during read operation.例文帳に追加

メモリセルは３端子素子であり、読み取り操作中、読み取り電流はメモリセルの導体経路を流れない。 - 特許庁

This memory element is formed by laminating a plurality of memory material layers having different glass transition temperatures between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に、ガラス転移温度が異なる複数のメモリ材料層を積層させたメモリ素子である。 - 特許庁

PROGRAM VERIFICATION METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND PORTABLE ELECTRONIC DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のプログラム検証方法および半導体記憶装置とそれを備えた携帯電子機器 - 特許庁

To reduce the area occupied by a non-volatile memory element and to enable memory rewriting at a low voltage.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子が占める面積サイズを縮小し、かつ低電圧でのメモリ書換えができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having both of a merit of a DRAM and a merit of a non-volatile memory element.例文帳に追加

ＤＲＡＭがもつ利点と不揮発性メモリ素子がもつ利点とを併せ持つ半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To achieve a stable memory operation of a memory element in which a resistance value changes according to a given pulse voltage.例文帳に追加

与えられるパルス電圧に応じてその抵抗値が変化する記憶素子の安定なメモリ動作を実現する。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITING METHOD FOR TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT IN NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置、及び、不揮発性磁気メモリ装置におけるトンネル磁気抵抗素子へのデータ書込方法 - 特許庁

Image signal acquired for each region is sent to either memory element of an image memory 23 and stored there.例文帳に追加

各領域ごとに取得された画像信号は、画像メモリー２３のいずれかのメモリーに送られて記憶される。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element, where the interval between the channel region and the source region of a memory cell is made constant.例文帳に追加

メモリセルのチャネル領域及びソース領域の間の間隔が一定な不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a page buffer for flash memory device in which program trouble of a NAND flash memory element can be reduced.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のプログラム障害を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子のページバッファを提供する。 - 特許庁

An addressing circuit (250) operates to address one or more memory element in a crosspoint memory array (25).例文帳に追加

アドレス指定回路(250)は、クロスポイントメモリアレイ(25)内の１つ以上のメモリ素子をアドレス指定するよう動作可能である。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cells including any of a phase transition resistance element, metal oxide resistance element, or solid electrolyte resistance element, and peripheral circuits (3 to 7).例文帳に追加

当該半導体記憶装置は、相変化抵抗素子、金属酸化物抵抗素子、又は固体電解質抵抗素子のいずれかを含む複数のメモリセルと、周辺回路（３〜７）とを備えている。 - 特許庁

The element separation insulating film comprises an element separator 6 in a peripheral circuit region and a plurality of element separators in a memory cell region.例文帳に追加

素子分離絶縁膜は、周辺回路領域に素子分離部分６を、メモリセル領域に複数の素子分離部分を備えている。 - 特許庁

The communication apparatus 20 conducts succeeding communication by using the light emitting element/light receiving element in the element holder with the ID number stored in the memory 28.例文帳に追加

以後の通信は、メモリ２８に記憶させたＩＤ番号を有する素子ホルダ上の発光／受光素子を用いて行えばよい。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SUBSTRATE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HARD DISK DEVICE, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、基体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、磁気センサアセンブリ、および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

To realize a flash memory element for realizing sector deletion and bit deletion, and for improving the reliability of an element by preventing the decrease of the operating speed of the element, and a method for manufacturing this flash memory element, and a method for deleting it.例文帳に追加

セクタ消去及びビット消去を可能にし、素子の動作速度が低下しないため素子の信頼性を向上させることのできるフラッシュメモリ素子、その製造方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

In memory state '0', a magnetic domain is pinned within a tapered portion (5) of the element (2).例文帳に追加

メモリ状態「０」では、磁区が要素（２）のテーパ部（５）内にピン止めされる。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory element, in which information can be maintained for a long period even when it is manufactured at a low temperature, a manufacturing method of the memory element and an integrated circuit.例文帳に追加

低温で製造しても情報を長時間に渡って保持することができるメモリ素子およびその製造方法ならびに集積回路を提供する。 - 特許庁

According to general data, a memory element which desires a writing state has its top oxide film made thin and a memory element which desires an erasure state has its top oxide film made thick.例文帳に追加

汎用データに応じ、書き込み状態を所望するメモリ素子はトップ酸化膜を薄く、消去状態を所望するメモリ素子はトップ酸化膜を厚くする。 - 特許庁