「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a memory element capable of improving repetition durability, and to provide a memory device.例文帳に追加

繰り返し耐久性を向上させることが可能な記憶素子および記憶装置を提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH SINGLE-BIT LINE COUPLED TO AT LEAST ONE MEMORY CELL例文帳に追加

少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC FERROELECTRIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING MEMORY ELEMENT, MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

有機強誘電体膜の形成方法、記憶素子の製造方法、記憶装置、および電子機器 - 特許庁

The memory chip 41 is composed of a memory element 42, filling resin 43, and a female terminal 44.例文帳に追加

メモリチップ４１は、メモリ素子４２、充填樹脂４３および雌端子４４で構成されている。 - 特許庁

THREE-LAYERED STACKED MAGNETIC SPIN POLARIZATION DEVICE WITH MEMORY FUNCTION, AND MEMORY ELEMENT USING DEVICE例文帳に追加

記憶機能を有する３層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子 - 特許庁

To provide a means for improving reliability of a memory element used for a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置に用いる記憶素子の信頼性を向上させる手段を提供する。 - 特許庁

The memory address buffer element may be accessed in order to reduce power consumption in accessing a cache memory.例文帳に追加

メモリアドレスバッファ要素はキャッシュメモリにアクセスする際の電力消費を減らすためにアクセスされる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING MEMORY ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC ELEMENT AND OXIDE THIN FILM, MEMORY ELEMENT AND PIEZOELECTRIC ELEMENT PRODUCED BY THESE PRODUCTION METHODS例文帳に追加

酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁

The blood bag (70) is equipped with an information memory medium (91) comprising a radio IC memory, a flash memory, or a memory element with functions similar to those.例文帳に追加

ラジオＩＣメモリーまたはフラッシュメモリーまたはこれらと同等の機能を有する記憶素子からなる情報記憶媒体（９１）を装着した血液バッグ（７０）。 - 特許庁

Such a semiconductor memory element is employed whereby a highly reliable small-size nonvolatile memory and the semiconductor memory device having such an nonvolatile memory are provided.例文帳に追加

このような半導体記憶素子を用いることで、信頼性の高い、小型の不揮発性メモリ、およびこれを有する半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

Prior to the occurrence of failure of memory elements 100-171 in the memory part 1, data generated from the written data of the memory part 1 are written in the replacement memory element 2.例文帳に追加

メモリ部１内のメモリ素子１００〜１７１の障害発生前に、メモリ部１の書き込みデータから生成したデータを交替メモリ素子２に書き込む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a plurarity of memory element groups which comprise memory elements each composed of a resistance variable element and a diode connected in series, a plurality of source lines connected to one-side ends of the plurality of memory elements in the memory element group.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、抵抗変化素子及びダイオードが直列に接続されたメモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群と、メモリ素子群の複数のメモリ素子それぞれの一端にそれぞれ接続された複数のソース線と、を有する。 - 特許庁

A DRAM element includes a plurality of memory blocks composed of memory blocks 200a located at the edge and memory blocks located at the center side.例文帳に追加

複数個のメモリブロックを有し、エッジに位置したメモリブロックに隣接した中央側メモリブロックを含むＤＲＡＭ素子が提供される。 - 特許庁

Further, the memory bus circuit 1 is provided with a dummy memory cell 120 having a dummy capacity element 121 connected to the memory bus 13.例文帳に追加

メモリバス回路１はさらに、メモリバス１３に接続されたダミー容量素子１２１を有するダミーメモリセル１２０を備えている。 - 特許庁

The memory element 2 for holding video digital signals having passed through a switch element 20 is formed by using a capacity element 21.例文帳に追加

スイッチ素子２０を通過した映像用デジタル信号を保持するメモリー素子２を容量素子２１を用いて形成する。 - 特許庁

To provide a memory element allowing substitution of a normally operating row or column of another memory element for a defective row or column of one given memory element; and to provide a system architecture related to it.例文帳に追加

ある与えられたメモリ素子の欠陥ロウまたはカラムを、別のメモリ素子の正常動作ロウまたはカラムと置換することを可能にするメモリ素子およびそれに対応づけられたシステムアーキテクチャを提供する。 - 特許庁

To provide a memory element of a variable-resistance nonvolatile memory device using a variable-resistance material varying in electric resistance value when applied with a voltage, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance memory element having a multiple-resistive state, a resistance memory cell and method of operating thereof, and a data processing system which applies the resistance memory element.例文帳に追加

多数抵抗状態を有する抵抗メモリ要素、抵抗メモリセル及びその動作方法、そして前記抵抗メモリ要素を適用したデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a flexible switching element used as a resistance-variation-type random access memory element.例文帳に追加

抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いられるフレキシブルなスイッチング素子を提供する。 - 特許庁

To read a memory content from a nonvolatile storage element, such as a fuse element, with low current consumption.例文帳に追加

ヒューズ素子などの不揮発性記憶素子から記憶内容を低消費電流で読み出す。 - 特許庁

MSM CURRENT LIMITING ELEMENT, RESISTIVE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＳＭ電流制限素子および抵抗メモリ素子、ならびにその製造方法および操作方法 - 特許庁

ORGANIC BISTABLE ELEMENT ADN NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING SAME例文帳に追加

有機双安定性素子およびこれを用いた不揮発性メモリ装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF CAPACITIVE ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリの製造方法及び容量素子の製造方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, DEVICE CONTAINING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE例文帳に追加

強誘電性記憶素子、その素子を含むデバイス及びその製法 - 特許庁

WIRING STRUCTURE, MEMORY ELEMENT AND ITS FABRICATION METHOD, AND STORAGE DEVICE例文帳に追加

配線構造、記憶素子およびその製造方法並びに記憶装置 - 特許庁

The memory cell, whose storage element is an electromagnetic element, is a static writing-and-reading memory which stores data until the data are deleted.例文帳に追加

前記メモリーセルは、電磁気素子を記憶素子とする消去されるまではデータを記憶しているスタティック書き込み読み出しメモリーセルである。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT USING RESISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗体を利用した不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To reduce trimming time of a fuse element in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体装置におけるヒューズ素子のトリミング時間を短縮する。 - 特許庁

The memory means is replaced according to the number of pixels of the display element.例文帳に追加

メモリ手段４１は表示素子の画素数に応じて交換する。 - 特許庁

There is also provided the method of manufacturing the phase change memory element.例文帳に追加

前記相変化記憶素子を製造する方法も提供される。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ERASURE EFFICIENCY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

イレーズ効率を改善した不揮発性メモリ素子及び製造方法 - 特許庁

ADDRESSING CIRCUIT FOR CROSSPOINT MEMORY ARRAY INCLUDING CROSSPOINT RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

クロスポイント抵抗素子を含むクロスポイントメモリアレイ用のアドレス指定回路 - 特許庁

To make needs for internal memory capacity small by a drive control element in an access structure of the memory in a drive control element concerning the invention.例文帳に追加

本発明に係るドライブ制御素子内のメモリのアクセス構造は、ドライブ制御素子が内部メモリの大きさへのニーズを小さくする。 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND REPRODUCTION VOLTAGE POLARITY DETERMINATION METHOD OF ELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

メモリ装置，および電気素子の再生電圧極性決定方法 - 特許庁

FERROELECTRIC ELEMENT, FERROELECTRIC MEMORY, AND THEIR MANUFACTURING METHODS例文帳に追加

強誘電体素子、強誘電体メモリ及びこれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁

The device includes a state memory element 31 and a transistor 32.例文帳に追加

本発明は、状態記憶素子３１及びトランジスタ３２を備える。 - 特許庁

To suppress deterioration in element characteristics used for a resistance change memory.例文帳に追加

抵抗変化メモリに用いられる素子特性の劣化を抑制できる。 - 特許庁

To reduce power consumption required for refreshing a volatile memory element.例文帳に追加

揮発性記憶素子のリフレッシュに要する消費電力を削減する。 - 特許庁

To provide an SONOS flash memory element and its fabricating method.例文帳に追加

ＳＯＮＯＳフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETIC SHIELD PACKAGE AND SEALING MATERIAL OF MAGNETIC NONVOLATILE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージおよび封止材料 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ - 特許庁

A volatile memory element 312 and a nonvolatile memory element 313 each consisting of a field effect transistor are formed on one semiconductor chip.例文帳に追加

１つの半導体チップ上に電界効果トランジスタからなる揮発性メモリ素子３１２と不揮発性メモリ素子３１３を形成する。 - 特許庁