「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To surely achieve a desired positional relation between a memory element and an image when printing the image on a printing medium in which the memory element is packaged.例文帳に追加

記憶素子が実装された印刷媒体に画像を印刷する際に、確実に記憶素子と画像を所望の位置関係にさせる。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子 - 特許庁

To make information to be stored in a memory element while preventing destruction of the memory element in ST-MRAM, and also to improve write-in speed.例文帳に追加

ＳＴ−ＭＲＡＭにおいて記憶素子の破壊を防ぎつつ記憶素子に情報を記憶させ、併せて書込速度の向上を図る。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

DEVICE FOR BUFFERING DATA STROBE SIGNAL WITH HIGH SPEED MEMORY ELEMENT例文帳に追加

高速メモリ—素子でデ—タストロ—ブ信号をバッファ—リングするための装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置 - 特許庁

To provide a phase change memory cell structure having a small size and an element.例文帳に追加

小さなサイズの相変化メモリセル構造及び素子を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置とこれらの製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND NONVOLATILE STORAGE例文帳に追加

不揮発性記憶素子、その製造方法及び不揮発性記憶装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

METHOD FOR READING NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING SELF-BOOSTING例文帳に追加

セルフブースティングを用いるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の読み出し方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置及び磁気メモリ装置 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加

強誘電体メモリ素子、その製造方法およびその製造装置 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

PRINTING DEVICE, INK UNIT, INFORMATION MEMORY ELEMENT AND COMPUTER SYSTEM例文帳に追加

印刷装置、インクユニット、情報を記憶可能な素子、及び、コンピュータシステム - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT HAVING CONTROLLED NUCLEATION SITE IN DATA LAYER例文帳に追加

データ層内に制御された核形成場所を有する磁気メモリ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT COMPRISING CAPACITOR PROTECTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

TUNNEL OXIDE FILM NITRIDING METHOD, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT MANUFACTURING METHOD, NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

トンネル酸化膜の窒化処理方法、不揮発性メモリ素子の製造方法および不揮発性メモリ素子、ならびにコンピュータプログラムおよび記録媒体 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT CONTAINING RESISTOR OF METAL-INSULATOR TRANSITION FILM例文帳に追加

金属−絶縁体転移膜の抵抗体を含む半導体メモリ素子 - 特許庁

The memory cell 11 includes a resistance change element 13, and a reference memory cell 22 provided in the reading circuit 20 includes a resistance change element 23.例文帳に追加

メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。 - 特許庁

ADDRESS CONTROL DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT UTILIZING BANK ADDRESS SIGNAL例文帳に追加

バンクアドレス信号を利用する半導体メモリ素子のアドレス制御装置 - 特許庁

STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体記憶容量素子のストレージノードおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a register forming method of a flash memory element for forming a register by the flash memory element applying SAFG process.例文帳に追加

ＳＡＦＧ工程を適用したフラッシュメモリ素子でレジスタを形成するためのフラッシュメモリ素子のレジスタ形成方法を提供すること。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造装置並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCING METHOD AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, STORAGE DEVICE AND MANUFACTURE OF THEM例文帳に追加

強誘電体記憶素子、記憶装置およびそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC HEAD, INFORMATION STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、情報記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

To provide a method of forming an element isolating film of a flash memory element capable of increasing the interference margin between memory cells and of easily adjusting the effective height of an element isolating film.例文帳に追加

メモリセル間の干渉マージンを増大し、素子分離膜の有効高さを容易に調節できるフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

The memory element is embedded in a dielectric substance and comprises a resistive element having at least one sub-lithographic dimension and a memory region that touches the resistive element.例文帳に追加

メモリ要素は誘電体中に埋め込まれ、少なくとも１つのサブリソグラフィック寸法を有する抵抗性要素と抵抗性要素と接触している記憶領域とを有する。 - 特許庁

The memory region has a phase change portion (5) contacted electrically and thermally with the heater element so that a first current path is formed between the heater element and the remaining portion (4) of the memory element.例文帳に追加

メモリ領域は、ヒータ素子と電気的熱的に接触した相変化部（５）を有し、ヒータ素子とメモリ素子の残りの部分（４）との間に第１の電流路を形成する。 - 特許庁

To provide an element structure of a nonvolatile memory element which is suitable for miniaturization and speed-up, because it is difficult to miniaturize and speed up a nonvolatile memory element composed of a capacitor and a transistor.例文帳に追加

キャパシタとトランジスタで構成される不揮発性記憶素子は、微細化や高速化が難しく、微細化や高速化に適した不揮発性記憶素子の素子構造が望まれる。 - 特許庁

Each memory cell comprises a first transistor T1, a second transistor T2 and a resistive memory element 10.例文帳に追加

各メモリセルは、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２および抵抗性記憶素子１０から成る。 - 特許庁

To provide an electronic circuit having a memory function, or an electronic circuit that can be integrated with a memory element.例文帳に追加

メモリ機能を有する電子回路またはメモリ素子と集積化可能な電子回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory strings, a selective transistor, and a carrier selection element.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリストリング、選択トランジスタ、及びキャリア選択素子を備える。 - 特許庁

On a same semiconductor substrate 1, a memory cell MC of a nonvolatile memory and a capacitative element are formed.例文帳に追加

同一の半導体基板１上に、不揮発性メモリのメモリセルＭＣと容量素子とが形成されている。 - 特許庁

A transistor with an extremely small leak current is used as a cell transistor of a memory element in a memory unit.例文帳に追加

メモリ装置内のメモリ素子のセルトランジスタとして、リーク電流の極めて小さいトランジスタを用いる。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory capable of suppressing deterioration in element characteristics of a memory cell accompanying microfabrication.例文帳に追加

微細化に伴うメモリセルの素子特性の劣化を抑制できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory cell equipped with an FET (field effect transistor) type memory element small in the cell size thereof.例文帳に追加

セルサイズの小さなＦＥＴ型のメモリ素子を備えた半導体メモリセルを提供することにある。 - 特許庁