「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A writing/elimination element CWE of the memory cell MC1 and a writing/elimination element CWE of the memory cell MC2 are arranged in the active region L2.例文帳に追加

また、活性領域Ｌ２には、メモリセルＭＣ１の書込み／消去用素子ＣＷＥおよびメモリセルＭＣ２の書込み／消去用素子ＣＷＥを共に配置する。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT MEMORY ELEMENT, AND DATA STORAGE DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME例文帳に追加

集積回路メモリー素子とこれを含むデータ格納装置及び電子システム - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC MEMORY MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC MEMORY USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気トンネリング接合素子およびその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、磁気センサ、磁気メモリならびに磁気記録再生装置、磁気センサ装置、磁気メモリ装置 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

The storage device includes a memory element 101 and a circuit 102 which changes the polarity of an applying voltage to the memory element for writing and for reading.例文帳に追加

メモリ素子１０１と、書き込み時と読み出し時とでメモリ素子に印加される電圧の極性を反転する回路１０２と、を有する記憶装置に関する。 - 特許庁

Memory cells are arranged at intersections between a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, the memory cell being configured by connecting a rectifier element and a variable resistance element in series.例文帳に追加

メモリセルは、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなり、複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置される。 - 特許庁

The resistance value of the memory element is reversibly varied between at least a first value and a second value by controlling the voltage applied to the memory element.例文帳に追加

メモリ素子の抵抗値は、メモリ素子に印加される電圧を制御することにより、少なくとも第一値と第二値との間で可逆変化させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory element and a patterning method to realize a stepped structure gate in the non-volatile memory element.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリー素子の製造方法を提供し、不揮発性メモリー素子において階段形態のゲートを具現できるパターニング方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory element comprises a magnetization recording layer 10 and a magnetic reading layer 50.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、磁化記録層１０と、磁気読出し層５０とを具備する。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DETECTING ADEQUATE INSERTION OF PORTABLE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

携帯型記憶素子の適切な差込みを検出する方法および装置 - 特許庁

To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.例文帳に追加

スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁

To set an accessible memory area for each processor element.例文帳に追加

プロセッサエレメントごとにアクセス可能なメモリ領域を設定できるようにすること。 - 特許庁

To provide a phase-change memory element and a method of forming the same.例文帳に追加

本発明は、相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

MULTI-BIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT OF NAND STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造のマルチビット不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To improve the shelf life of an optical waveguide device (optical memory element).例文帳に追加

光導波路素子（光メモリ素子）において、保存安定性を向上させる。 - 特許庁

In this case, when the threshold voltage Vth of the memory element 1 reaches the gate applied voltage Vg, a drain current Ids flowing to the memory element 1 stops flowing.例文帳に追加

その際、メモリ素子１に流れるドレイン電流Ｉｄｓは、メモリ素子１のしきい値電圧Ｖｔｈがゲート印加電圧Ｖｇに達すると、流れなくなる。 - 特許庁

METHOD OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加

リセス型制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子の動作方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

STACKED CAPACITOR, SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EQUIPPED THEREWITH, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

スタック型キャパシタ、スタック型キャパシタを備えた半導体メモリ素子、スタック型キャパシタの製造方法およびスタック型キャパシタを備えた半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

QUANTUM POINT CONTACT, QUANTUM DOT, QUANTUM THIN WIRE, MEMORY ELEMENT AND QUANTUM COMPUTER例文帳に追加

量子ポイントコンタクト、量子ドット、量子細線、メモリ素子、及び量子コンピュータ - 特許庁

This semiconductor device uses structure in which an output terminal 40c of a switching element 40 is connected to a terminal 20b by which write-in of data of a memory element 20 is performed, as a memory cell.例文帳に追加

記憶素子２０のデータ書き込みを行う端子２０ｂにスイッチング素子４０の出力端子４０ｃを接続した構造をメモリセルとして用いる。 - 特許庁

The width WDL is larger than the width WMM1 of the magnetic memory element MM, and the width WBL is smaller than the width WMM2 of the magnetic memory element MM.例文帳に追加

幅ＷＤＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ１よりも大きく、かつ幅ＷＢＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ２よりも小さい。 - 特許庁

SPIN TRANSISTOR, RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ - 特許庁

To disclose a technology for realizing a programmable nonvolatile logic switch memory (register) element by utilizing a resistive storage element in particular about a nonvolatile memory device.例文帳に追加

本発明は不揮発性メモリ装置に関し、特に抵抗記憶素子を利用してプログラマブル不揮発性ロジックスイッチメモリ（レジスタ）素子を実現する技術を開示する。 - 特許庁

VARIABLE-RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a storage cell for a memory element, a phase change type memory element in which operating current is decreased and high integration is achieved, and its forming method.例文帳に追加

動作電流を減少させて高集積化に適する、記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase-change material layer, and a method of forming a phase-change memory element using the method, and also to provide a phase-change memory element.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁

To provide a readout circuit which is suitable to a magnetic memory device using a magneto-resistance element as a memory element, and can be made small in circuit scale and perform high-speed operation.例文帳に追加

磁気抵抗素子をメモリ素子として用いる磁気メモリ装置に適し、回路規模を小さくでき、かつ高速動作が可能な読み出し回路を提供する。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁

An attachment part 120 with concavities which fits at least a part of the memory element 108 is formed on the external surface where the memory element 108 is attached.例文帳に追加

記憶素子１０８が装着される外面には、記憶素子１０８の少なくも一部を嵌合させ得る凹面状の装着部１２０が形成されている。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a method for testing a nonvolatile memory element which does not separately execute operations for masking failed bits when the nonvolatile memory element is tested on a wafer.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子をウェーハ上でテストするとき、フェールしたビットのマスキング動作を別途に行わない不揮発性メモリ素子のテスト方法の提供。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory element which has higher speed and is more efficient.例文帳に追加

より高速でより効率的な磁気ランダムアクセスメモリ要素を提供する。 - 特許庁

Simply by connecting the memory element 10 to the printer via the interface 22, the management information 31 of the data file 14 stored in the memory element 10 is printed.例文帳に追加

メモリ素子１０をインタフェース２２を介してプリンタに接続するだけで、メモリ素子１０に記憶されたデータファイル１４の管理情報３１が印刷される。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁

MAGNETIC THIN FILM, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加

磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND NONVOLATILE STORAGE例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法並びに不揮発性記憶装置 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MAGNETORESISTANCE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性記憶装置、磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a memory element in which the unit cell area of a memory element, having resistance change layer as a storage node, can be reduced to less than 4F^2.例文帳に追加

抵抗変化層をストレージノードとして備えるメモリ素子の単位セル面積を４Ｆ^２未満に減らせるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

CHARGE TRAP LAYER FOR CHARGE TRAP SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電荷トラップ型半導体メモリ素子の電荷トラップ層及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR, MEMORY ELEMENT HAVING FLOATING BODY EFFECT REMOVED AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

フローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

A data processing system has a memory system and plural peripheral constitution element.例文帳に追加

データ処理システムはメモリシステムと複数の周辺構成要素とを有する。 - 特許庁