「memory element」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory structure of the system comprises a user interaction module for allowing the user to select an image element without previously selecting an element selection mode, and a data memory.例文帳に追加

システムのメモリ構造は、要素選択モードを予め選択せずにユーザが画像要素を選択できるようにするためのユーザインタラクションモジュールと、データメモリと、を含む。 - 特許庁

The memory storage element (23) also can be constituted of a tunnel-junction device.例文帳に追加

メモリ記憶素子(23)もまたトンネル接合デバイスから構成することができる。 - 特許庁

FERROELECTRIC THIN FILM AND ITS PRODUCING PROCESS, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

強誘電体薄膜及びその製造方法、強誘電体メモリ、圧電素子 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE MEMORY ELEMENT HAVING BUFFER LAYER FORMED ON LOWER ELECTRODE例文帳に追加

下部電極上に形成されたバッファ層を備える可変抵抗メモリ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

強誘電体薄膜の製造方法、圧電素子、及び強誘電体メモリ - 特許庁

A capacitive element C of the memory cell MC1 is installed in the active region L1, and a capacitive element C of the memory cell MC2 in the active region L4.例文帳に追加

活性領域Ｌ１にはメモリセルＭＣ１の容量素子Ｃを配置し、活性領域Ｌ４にはメモリセルＭＣ２の容量素子Ｃを配置する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile memory element having a nanocrystal.例文帳に追加

ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate mounting of a non-contact type memory element to a recording medium cartridge and writing and reading of information to and from the memory element.例文帳に追加

記録媒体カートリッジへの非接触式メモリ素子の取り付けおよび該メモリ素子への情報の書き込み及び読み取りが容易にできるようにする。 - 特許庁

To provide a variable-resistance nonvolatile memory element having high reliability.例文帳に追加

高い信頼性を有する抵抗変化型不揮発メモリ素子を提供する。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

強磁性トンネル効果素子及び該強磁性トンネル効果素子を用いた磁気メモリ - 特許庁

The memory 24 stores individual management information for every vibration element.例文帳に追加

メモリ２４上には各振動素子ごとの個別管理情報が格納される。 - 特許庁

By supplying a predetermined current through the selection transistor 1 of a control target, and the element selection line 5 connected to the memory element 2 selected from the memory element group, writing and reading operations in the selected memory element 2 are controlled.例文帳に追加

制御対象の選択トランジスタ１を介して、メモリ素子群の中から選択されたメモリ素子２に接続された素子選択線５を経由して所定の電流を供給することにより、選択されたメモリ素子２に対する書込み動作と読出し動作を制御する。 - 特許庁

When these two semiconductor memory elements are sealed in the same package and a defective address in the semiconductor memory element MEM is inputted, a redundant relieving signal RS is outputted from the semiconductor memory element FM and inputted to the semiconductor memory element MEM, and a spare memory cell SC is accessed instead of a normal memory cell SMC.例文帳に追加

これら２つの半導体記憶素子を同一パッケージ内に封入し、半導体記憶素子ＭＥＭにおける不良アドレスが入力された場合に、不揮発性半導体記憶素子ＦＭから冗長救済信号ＲＳを出力して半導体記憶素子ＭＥＭに入力し、通常のメモリセルＳＭＣの代わりにスペアのメモリセルＳＣにアクセスする。 - 特許庁

The ECC memory module 500 is configured such that part of memory elements 501, 502, 503 constituting the ECC memory module and an element for storing parity bits are integrated and mounted by using a memory element with twice the density and twice the bit configuration.例文帳に追加

ＥＣＣメモリモジュールを構成するメモリ素子中の一部とパリティビットを保存するための素子を、２倍のデンシティ及び２倍のビット構成を有するメモリ素子を利用して統合構成して実装するＥＣＣメモリモジュールである。 - 特許庁

To prevent the degradation of element characteristics caused by high integration when a high performance logic element and a high quality memory element are formed on the same substrate to form an embedded element.例文帳に追加

高性能論理素子と高品質メモリー素子とを同一基板上で形成する混載素子の形成において、高集積化がもたらす素子特性の劣化を改善する。 - 特許庁

A current flowing between a (i+1)th bit line connected to the second nonvolatile memory element of the (i+1)th twin memory cell and the (i)th bit line connected to the first nonvolatile memory element is detected by sensing the (i+1)th bit line by the first nonvolatile memory element of the (i+1)th twin memory cell.例文帳に追加

（ｉ＋１）番目のツインメモリセルの第１の不揮発性メモリ素子を介して、（ｉ＋１）番目のツインメモリセルの第２の不揮発性メモリ素子に接続された（ｉ＋１）番目のビット線と第１の不揮発性メモリ素子に接続された（ｉ）番目のビット線との間に流れる電流を、（ｉ＋１）番目のビット線をセンスする。 - 特許庁

When the physical attack is detected by the sensor element 2 or when the output voltage abnormality of the battery 7 is detected by a voltage monitoring mechanism 8, a memory control mechanism 6 reads information to be preserved from the memory element 3, writes it in the memory element 5 and erases the secret information stored in the memory element 3.例文帳に追加

メモリ制御機構６は、センサ素子２によって物理的な攻撃が検知されたとき、あるいは電圧監視機構８によって電池７の出力電圧異常が検知されたとき、メモリ素子３から保存すべき情報を読み出してメモリ素子５に書き込むと共に、メモリ素子３に記憶された機密情報を消去する。 - 特許庁

A memory access controller 106 selects any one of the information latch address A104, the information latch enable E104 and the data latch data D105 and a computing element address A101, a computing element enable E101 and computing element data D101 outputted from a computing element 101 nd outputs a memory address A106, a memory enable E106 and memory data D106.例文帳に追加

メモリアクセスコントローラ１０６は、情報ラッチアドレスＡ１０４、情報ラッチイネーブルＥ１０４、データラッチデータＤ１０５と、演算器１０１出力の演算器アドレスＡ１０１、演算器イネーブルＥ１０１、演算器データＤ１０１のいずれかを選択して、メモリアドレスＡ１０６、メモリイネーブルＥ１０６、メモリデータＤ１０６に出力する。 - 特許庁

The resistive memory element includes the memory part formed by a lower electrode 10, a resistance memory layer 20 and an upper electrode 30, and the resistor part 50 for controlling the switching window of the memory part.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子は、下部電極１０、抵抗メモリ層２０および上部電極３０より形成されたメモリ部と、メモリ部のスイッチングウィンドウを調整する抵抗部５０を含む。 - 特許庁

The signal lines between the memory control element 1 and the memory cell 2a, between the memory cells 2a and 2b and between the memory cells 2b and 2c are connected by point-to-point.例文帳に追加

メモリ制御素子１と記憶素子２ａの間、記憶素子２ａと記憶素子２ｂの間および記憶素子２ｂと記憶素子２ｃの間の信号線はポイント・ツー・ポイントで接続される。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MEMORY ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 - 特許庁

To provide a rectification-variable element that is used as a memory element because its rectification reversibly changes.例文帳に追加

整流性が可逆的に変化してメモリ素子として用いることが可能な整流性変化型素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE PROVIDED WITH MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置とその製造方法 - 特許庁

A memory element is used as the semiconductor element 5, for example, and its terminals are connected to respective connection patterns 6.例文帳に追加

半導体素子５として例えばメモリ素子を使用し、その端子は各々接続パターン６とつながっている。 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子及びその製造方法、並びに、当該可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, PIEZOELECTRIC ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, LIQUID JETTING HEAD, AND PRINTER例文帳に追加

強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY, MAGNETIC RECORDER/REPRODUCER, MEMORY CELL ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

A third specified function memory element 130 (WCL, WMD or the like) is the element not to be a switching object.例文帳に追加

第３特定機能記憶素子１３０（ＷＣＬ、ＷＭＤ等）は、切換対象とはならない素子である。 - 特許庁

To provide a memory element that prevents deterioration in characteristics resulting from hot annealing after formation of an element.例文帳に追加

素子形成後の高温の熱処理による特性劣化を抑制することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, ELEMENT ISOLATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体装置の素子分離構造の形成方法、半導体装置の素子分離構造及び半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element containing a variable resistive material, which is operated without forming a switching element.例文帳に追加

スイッチング素子を形成させずに動作可能な、可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

A memory access request processing unit 25 is arranged between a source 10 of a memory access request and a data storage element 20 being the target of the memory access request.例文帳に追加

メモリ・アクセス要求のソースと、このメモリ・アクセス要求のターゲットであるデータ記憶要素との間に、メモリ・アクセス要求処理ユニットが配置される。 - 特許庁

A memory element comprises: a latch circuit; a first selection circuit; a second selection circuit; a first nonvolatile memory circuit; and a second nonvolatile memory circuit.例文帳に追加

記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。 - 特許庁

The memory error correcting device is equipped with a memory module, a redundant memory module 11, an error correction code generator 12, and an exclusive OR computing element 13.例文帳に追加

メモリ誤り訂正装置は、メモリモジュール１２０と、冗長メモリモジュール１１と、誤り訂正コード発生器１２と、排他的論理和演算子１３とを備えている。 - 特許庁

To provide a configuration of a thin film magnetic memory device in which required information can be programmed efficiently by using a magnetic memory element similar to a normal memory cell.例文帳に追加

正規メモリセルと同様の磁性体記憶素子を用いて、必要な情報を効率的にプログラムできる薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

In the arrangement of the data memory, a data memory (1) is constituted as a single group memory constituted of a plurality of element memories.例文帳に追加

このデータ記憶装置の配置では、このデータ記憶装置（１）は、複数の要素記憶器から構成された１つのグループ記憶装置として構成されている。 - 特許庁

For example, a memory block 20 is positioned in the element formation region 30, and normal and redundant memory cells are formed within the memory block 20.例文帳に追加

この素子形成領域３０には、たとえばメモリブロック２０が配置されており、そのメモリブロック２０内にはノーマルメモリセルおよび冗長メモリセルが形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell transistor MTr configured to store data; and a resistor element RE provided around the memory cell transistor MTr.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、データを記憶するメモリセルトランジスタＭＴｒ、及びメモリセルトランジスタＭＴｒの周辺に設けられた抵抗素子ＲＥを備える。 - 特許庁

The information accumulation concerning a memory element is improved by using a combination of a compressed data memory format 214 and a non-compressed data memory format 212.例文帳に追加

圧縮データ記憶形式２１４と非圧縮データ記憶形式２１２を組み合わせたものを用いて、メモリ素子に関連する情報蓄積を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element improving electrical properties of the element by suppressing a leakage current which flows through a memory cell by turning off a drain select transistor, a source select transistor, and a side transistor of an unselected memory cell block when the semiconductor memory element operates.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリ素子の動作時、非選択のメモリセルブロックのドレイン選択トランジスタと、ソース選択トランジスタ、及びサイドトランジスタをターンオフさせてメモリセルを通じて流れる漏洩電流を抑制し、素子の電気的特性を改善させる半導体メモリ素子を提供することにある。 - 特許庁

A memory structure comprises a controlling element electrode (35), a heater electrode (39), a memory component electrode (33), a chalcogenide-based memory component (23) that is arranged between the memory component electrode and the heater electrode, and a controlling element (25) that is arranged between the heater electrode and the controlling element electrode.例文帳に追加

本発明のメモリ構造は、制御素子電極（３５）と、ヒータ電極（３９）と、メモリ素子電極（３３）と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子（２３）と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子（２５）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To repetitively, stably and easily perform, with high recording density, recording, erasure and rewriting of an optical memory element using the optical memory element having a nano particle assembly whose fluorescent intensity is increased by a TLDM (Time Dependent Luminescence and Memory) function.例文帳に追加

ＴＤＬＭにより蛍光強度が増加するナノ粒子の集合体を有する光メモリ素子を用い、その記録、消去及び書き換えを、高記録密度で、かつ繰り返し安定して、容易に行う。 - 特許庁

A transistor having an oxide semiconductor film used as an active layer is provided for each of memory cells of a memory device as a switching element for holding an electric charge accumulated in the transistor functioning as a memory element.例文帳に追加

記憶素子として機能するトランジスタに蓄積された電荷を保持するためのスイッチング素子として、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタを、記憶装置の各メモリセルに設ける。 - 特許庁

The second memory includes a memory element and an insulated gate field effect transistor for controlling the holding of a charge in the memory element whose off-state current or leakage current is extremely low.例文帳に追加

そして、第２の記憶部が、記憶素子と、当該記憶素子における電荷の保持を制御するための、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタとを有する。 - 特許庁